晶硅太阳电池

接触测试样品，不会对测试样品造成损伤，而且可以测试样品的立体形貌数据，能够更直观、更立体地观察太阳电池电极栅线的印刷效果，本标准的制定将对优化栅线的高宽比、提高太阳电池转换效率有着重要的意义
实施，对晶体硅太阳电池的效率和质量提出了更高的要求。英利牵头制定的光伏电池领域的3项 SEMI 标准，从太阳电池关键制备过程的测试方法上对太阳能电池质量和转换效率的提高提供了保障，同时也标志着我国

型高效电池进行了全方位的布局，国际光伏技术路线图（ITRPV）预期N型单晶硅太阳电池将从2014年的18%左右提高到2020年的50%左右。 N型高效电池：IBCorHIT多晶硅电池的量产效率极限

多晶硅电池来说，其光电转换效率在15%-18%之间，较薄膜电池稍高，但它从原材料高纯硅的制备到电池生产，都属于高耗能高污染。多晶硅最终会被淘汰，而铜铟镓硒等薄膜太阳电池将成为替代。 尽管被学界看好

高效电池进行了全方位的布局， 国际光伏技术路线图(ITRPV)预期 N 型单晶硅太阳电池将从 2014 年的 18%左右提高到 2020 年的 50%左右。 　　光伏公司各项业务特别是电站类业务利润
定能完成， 光伏行业发展势头良好。 随着近些年国内外对分布式光伏的大力支持， 高效晶硅电池的占比从 12 年开始持续攀升，N 型单晶硅高效电池更是备受瞩目。产业界从硅片制造、电池生产到组建封装对 N 型

）预期N 型单晶硅太阳电池将从2014年的18%左右提高到2020年的50%左右。 N 型高效电池：IBC or HIT 多晶硅电池的量产效率极限约在19%;类单晶极限约在19.5%;P 型单晶在

改善硅单晶质量 太阳电池性能的早期光致衰减现象主要发生在单晶硅太阳电池上，对于多晶硅太阳电池来讲，其转换效率的早期光致衰减幅度就很小。由此可见硅片自身的性质决定了太阳电池性能的早期光致衰减程度。因此要

型单晶硅太阳电池将从2014年的18%左右提高到2020年的50%左右。 N型高效电池：IBCorHIT?多晶硅电池的量产效率极限约在19%；类单晶极限约在19.5%；P型单晶在目前技术基础上，辅以

)预期N 型单晶硅太阳电池将从2014 年的18%左右提高到2020 年的50%左右。 N 型高效电池：IBCorHIT多晶硅电池的量产效率极限约在19%；类单晶极限约在19.5%；P 型单晶在

薄膜太阳能电池就是将一层薄膜制备成太阳能电池，其用硅量极少，更容易降低成本，是一种新型建筑材料。和晶硅太阳能电池相比，虽然其单位面积输出功率稍低，配套产品成本偏高，但是其凭借重量轻、透光性好、柔性可
当基板来制造，目前实验室转换效率最高已达20%以上，规模化量产稳定效率最高约13%。薄膜太阳电池除了平面之外，也因为具有可挠性可以制作成非平面构造其应用范围大，可与建筑物结合或是变成建筑体的一部分

目前，全球大部分光伏产业中所用的主体材料都是晶硅电池，单晶硅电池和多晶硅电池在光伏面板领域占主导地位。而第二代太阳能电池薄膜太阳能电池市场如今正在悄然崛起，以其特有的质轻、透光性好等优势开拓出了
一片新领域。 薄膜太阳能电池就是将一层薄膜制备成太阳能电池，其用硅量极少，更容易降低成本，是一种新型建筑材料。和晶硅太阳能电池相比，虽然其单位面积输出功率稍低，配套产品成本偏高，但是其凭借