晶硅太阳电池

太阳能光伏发电系统是利用太阳电池半导体材料的光伏效应，将太阳光辐射能直接转换为电能的一种新型发电系统。它是利用半导体界面的光生伏特效应而将光能直接转变为电能的一种技术。这种技术的关键元件是太阳能电池
。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。由于国际上对于太阳能光伏电池的需求日益庞大，越来越多国内企业成为太阳能光伏电池的OEM工厂

（hydrochloric acid）加入冶金级的矽，进行氯化反应生成三氯氢矽（trichlorosilanes），之后加入氢气进行一次性还原产生高纯度的多晶硅（polysilicon），在整个过程中最多有25%的三氯氢矽
会转化为多晶硅，同时伴随非常毒的附产品四氯化矽（silicon tetrachloride）产生，估计每生产一吨的多晶硅，会有3~4吨的四氯化矽。 大部分的制造商会将四氯化矽回收再利用，因为所消耗的

等大半导体分支行业的产业配套不断完善。目前，我国光伏产业已形成从多晶硅提纯、太阳电池制造、组件封装到系统集成的完整产业链体系，辅料、设备等配套产业相对完善，土地、人力等成本较欧美主要光伏国家偏低，且
，我国多晶硅产量13.2万t，占全球总产量比例47%；电池组件产量35GW，占全球比例达到70%；全年新增光伏并网装机10.6GW，累计装机量达到26.5GW。我国已成为全球最重要的光伏产品制造国和

。3）产业发展综合优势我国对半导体、集成电路等行业的长期投入，推动了光伏产业等大半导体分支行业的产业配套不断完善。目前，我国光伏产业已形成从多晶硅提纯、太阳电池制造、组件封装到系统集成的完整产业链体系
年，我国多晶硅产量13.2万t，占全球总产量比例47%；电池组件产量35GW，占全球比例达到70%；全年新增光伏并网装机10.6GW，累计装机量达到26.5GW。我国已成为全球最重要的光伏产品制造国和

级的矽，进行氯化反应生成三氯氢矽（trichlorosilanes），之后加入氢气进行一次性还原产生高纯度的多晶硅（polysilicon），在整个过程中最多有25%的三氯氢矽会转化为多晶硅，同时伴随
非常毒的附产品四氯化矽（silicon tetrachloride）产生，估计每生产一吨的多晶硅，会有3~4吨的四氯化矽。大部分的制造商会将四氯化矽回收再利用，因为所消耗的能源会比从最原始的原料

科学家贝克雷尔（Becqurel）就发现，光照能使半导体材料的不同部位之间产生电位差。这种现象后来被称为光生伏特效应，简称光伏效应。1954年，美国科学家首次制成了实用的单晶硅太阳电池，诞生了将太阳光
太阳电池将太阳光能直接转化为电能。不论是独立使用还是并网发电，光伏发电系统主要由太阳电池板（组件）、控制器和逆变器三大部分组成，它们主要由电子元器件构成，不涉及机械部件。光伏发电是利用半导体界面的光生

硅材料国家重点实验室余学功教授发表演讲《掺硼直拉单晶硅太阳电池的光衰减问题研究》 单晶组件高可靠、低衰减、低投资，市场需求回归 高温对组件输出功率的影响可能高达10%以上，同样条件下的单晶组件温度
/平方厘米光照下，多晶电池相对效率比单晶电池衰减更快，其差异主要由相对开路电压的差异所致。室温下多晶硅中位错网络和晶界等深能级结构缺陷复合活性随载流子注入浓度降低而升高，对饱和电流和短路电流均有影响。 浙江大学硅材料国家重点实验室原帅：光照强度对单多晶太阳电池及组件性能差异的影响

热处理、使用同族掺杂硅晶体都可以实现光衰减抑制。余教授特别指出，浙大研究成果表明，第三态的生成能有效控制直拉单晶太阳电池的光衰减效应。浙江大学硅材料国家重点实验室余学功教授发表演讲《掺硼直拉单晶硅
所致。室温下多晶硅中位错网络和晶界等深能级结构缺陷复合活性随载流子注入浓度降低而升高，对饱和电流和短路电流均有影响。浙江大学硅材料国家重点实验室原帅：光照强度对单多晶太阳电池及组件性能差异的影响

Emission Spectrometry/电感耦合等离子体光谱法测量光伏多晶硅用工业硅粉中B, P, Fe, Al, Ca的含量由中国恩菲牵头编制 SEMI PV65-0715 Test
Method for (C-Si) Solar Cell Color/晶体硅太阳电池颜色测试方法由英利牵头编制 SEMI PV66-0715 Test Method for Determining

今后较长一段时间里，会出现薄膜太阳电池与晶硅太阳电池共存的局面，但是薄膜光伏产品将很快会在市场上扩大份额，并快速增长，最终以铜铟镓硒等为代表的薄膜太阳电池技术将成为光伏行业的主流。对于薄膜太阳能