晶硅叠层技术

/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 25.5 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 27.0 单片叠层三结太阳电池◎ 聚光电池GaAs

索比光伏网讯:摘要：以金刚线切割的多晶硅片为基础，正面是低反射率的亚微米级绒面，结合SiOx/SiNx薄膜保证正面的钝化效果。背面采用AlOx/SiNx叠层钝化，形成PERC电池结构，大大改善背表面

太阳电池GaInP/GaAs 4cm2 26.9 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 25.5 单片叠层双结太阳电池GaInP/GaAs/Ge 4cm2 27.0 单片叠层三结

：研究新型的钙钛矿类光电材料体系，研制效率超过 20%性能稳定的薄膜型单结太阳能电池器件，制备大面积柔性钙 钛矿电池，钙钛矿叠层太阳能电池的效率超过 25%。研究内容：开展新型钙钛矿材料(环境友好型
钙钛矿材料、高相 变温度钙钛矿材料、不同带隙的钙钛矿材料)的设计与合成，研 究钙钛矿薄膜形态的控制方法，以及钙钛矿界面材料设计与性质 调控，设计新型平面结构钙钛矿太阳能电池;突破高效钙钛矿叠 层

目标：研究新型的钙钛矿类光电材料体系，研制效率超过 20%性能稳定的薄膜型单结太阳能电池器件，制备大面积柔性钙 钛矿电池，钙钛矿叠层太阳能电池的效率超过 25%。研究内容：开展新型钙钛矿材料(环境友好型
钙钛矿材料、高相 变温度钙钛矿材料、不同带隙的钙钛矿材料)的设计与合成，研 究钙钛矿薄膜形态的控制方法，以及钙钛矿界面材料设计与性质 调控，设计新型平面结构钙钛矿太阳能电池;突破高效钙钛矿叠 层

稳定性。最近，香港理工大学研发的钙钛矿/单晶硅叠层太阳能电池，其转换效率已高达25.5%。德国ZSW、卡尔斯鲁厄理工学院（KIT）及IMEC的科学家团队联合制成了钙钛矿和CIGS薄膜太阳能光伏组件堆

和前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL
MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。再我国，目前已有

前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL
，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。再我国，目前已有多家

，IBM公司和前苏联Ioffe技术物理所等为代表的研究单位，采用LPE技术引入GaAlAs异质窗口层，降低了GaAs表面的复合速率，使GaAs太阳电池的效率达16%。不久，美国的HRL
MOCVD，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高，目前实验室最高效率已达到50%（来自IBM公司数据），产业生产转化率可达30%以上。再我国，目前