晶硅体组件
组件在系统端的不同应用场景下发电量可以增加10%~30%(电池的等效效率21%~24%)。
编辑点评：
随着晶硅电池制造工艺越来越向更高效、更低成本、更规模化靠近，实验室效率数据已经开始显得
、产品品质、生产总量、市场占比等方面成为全球最具规模的单晶硅企业之一。随着光伏技术进步和领跑者计划推进，行业进入高效产品比拼时代，高效组件成为各企业发力重点。从PERC、黑硅到MWT、双面发电等，目的都在
最好的时代 成为全球最大的光伏电池厂商和渔光一体电站投资企业之前，通威在光伏行业开始的数年也许是不温不火，甚至可称得上磕磕绊绊，投资多晶硅最郁闷的那几年，刘汉元还在接受媒体采访时坦言：多晶硅这么难
天，刷新了晶科记录，也创造了乐山速度。
据悉，晶科能源25GW项目投资150亿元，占地1500亩，分5期建设，达产后预计年产值200亿元。该项目集晶硅生产制造及研发为一体，采用晶科自主开发的自动化拉
晶系统，融入智能制造理念，自动化程度达95%以上，无论单机产能还是产线的自动化水平，都处于行业领先地位，产品可全面满足PERC、HJT、IBC等高端太阳能电池需求。
晶科能源目前在电池、组件两个环节
1063h小时。本项目拟采用280Wp晶硅组件，以固定倾角方式安装，采用分块发电、集中并网方案，共30个约3.125MW容量的光伏发电分系统组成，每个3.125MW光伏发电分系统由13440块
280Wp的光伏组件、420路光伏组串(每20个光伏组件串联为一个组串)、21台直流汇流箱(每20个光伏组串联)、1台3125KW箱逆变一体机构成，所发电量并入国家电网。总投资40000万元。
相关工程参考
/sqr，在电极下的重掺方阻则低于40/sqr。
这样的结构有以下三个优点：
(1)降低串联电阻，提高填充因子
电池的串联电阻由栅线体电阻、前栅与硅表面的接触电阻、扩散层薄层电阻、硅片体电阻、背电极
接触电阻和背场体电阻组成。
其中，在丝网印刷工艺下，前栅接触电阻、体电阻和扩散层薄层电阻对串联电阻贡献最大。
根据金属-半导体接触电阻理论，接触电阻与金属势垒(barrier height)和表面
，可对表面钝化及表面陷光结构进行最优化的设计，可得到较低的前表面复合速率和表面反射，从而提高Voc和Jsc;
4)外形美观，尤其适用于光伏建筑一体化，具有较好的商业化前景;
2.2 挑战
虽然
，因为它不仅影响电池性能，还直接决定了IBC组件的制作工艺。按照电极设计的不同，中来IBC电池包含三种主要类型，如图2所示。
▲图2. 中来光电IBC电池背面电极设计图
一
一般在80-100/sqr，在电极下的重掺方阻则低于40/sqr。
这样的结构有以下三个优点：
(1)降低串联电阻，提高填充因子
电池的串联电阻由栅线体电阻、前栅与硅表面的接触电阻、扩散层薄层电阻
、硅片体电阻、背电极接触电阻和背场体电阻组成。
其中，在丝网印刷工艺下，前栅接触电阻、体电阻和扩散层薄层电阻对串联电阻贡献最大。
根据金属-半导体接触电阻理论，接触电阻与金属势垒(barrier
旗下集清洁能源开发、建设、运营、管理于一体的系统能源解决方案的提供商，致力于光伏组件的生产和销售，光伏电站、储能、配网售电、微电网、多能互补等综合能源的投资建设，注册资金81.2亿元，全球累计投资建设光伏电站
的活力和魅力。
高效、可靠
ASTRO 4 For六大系列晶硅太阳能组件
正泰新能源推出ASTRO 4 For六大系列晶硅太阳能组件， 包含：
AstroMAX高密度系列
相继推出并应用了金刚石线径细线化、大尺寸硅片、硅片薄片化等各类领先技术，电池片、组件生产领域先后推出并主要应用了黑硅技术、PERC背钝化、半片、双面双玻等先进技术的应用。随着各类技术及产品的持续升级
创新，光伏全产业链降本增效趋势明显，系统效率不断提升。
公司基于对市场需求的判断及技术储备，近年来陆续完成了数控金刚线切片机、全自动磨面倒角一体机等设备迭代升级款的技术论证、研究及开发工作，产品投产
。
从技术侧看，我国光伏产业经过十几年的快速追赶和发展，产业规模迅速扩大，产业链各环节市场占有率多年位居全球前列，为全球光伏制造大国。如2017年我国多晶硅、硅片、电池和组件等产业链主要环节的全球市场占
创新为基、客户为要，逆势走出一条超常规发展上扬线，全球产能由70MW增至5000MW，以70倍增幅实现指数级发展，成为世界领先的光伏产品制造商，并于去年入选中国组件出口25强。近期，赛拉弗公司总裁李纲
