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集帮:拓展太阳能海外市场,相关配套仍待克服来源:世纪新能源网 发布时间:2013-03-19 23:59:59

表现来看,涨势仍未停止,但部分产品的上涨力道已趋缓。就大陆市场价格来看,多晶矽报价在$135 RMB/kg~$150 RMB/kg之间,多晶矽晶圆的市场价格在$5.8 RMB/piece~$6.3/RMB
之间;单晶矽晶圆的价格在$8.2 RMB /piece~$8.4 RMB/piece之间;电池方面也维持涨势,平均价格在$2.7 RMB/watt左右。在美金报价方面,多晶矽现货价格依旧上扬,但后势值得

看尚德风风雨雨发展之路来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2013-03-18 17:13:59

算是时运不济。先是传出光伏组件在欧洲集体遭拒,让人尴尬不已;其次是支付2.12亿美元与MEMC以终止2006年签署的一份硅晶圆供应合约,只能说是迫于时势的无奈之举;该年尚德电力将加快公司的改革步伐,包括

2013年第一季产能稼动率拉升,太阳能加速产业集中化来源:索比光伏网 发布时间:2013-03-15 11:59:14

产能稼动率约仅维持在60~85%。 此外,EnergyTrend表示,2012年全球前十大厂商的电池片生产量都已经超过1GW,占整体产能的40%左右,市场集中的态势虽然还不如硅晶圆

得可占尽APEX优势 在展会上售出设备和网板来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2013-03-14 11:50:51

。而且,我们的知识团队能够说明得可如何解决工艺挑战并带来更高效操作的尖端科技。我们超额完成了目标。 得可是先进材料涂敷技术和支持解决方案的全球提供商,其产品包括广泛应用于印刷组装、半导体晶圆制造以及可替代能源组件生产领域的印刷设备、网板、高精度丝网和大批量成像工艺。

订单能见度佳,太阳能台厂月营收可望逐月走扬来源:索比光伏网 发布时间:2013-03-14 09:36:22

,硅晶圆业者陆续调涨报价,多晶硅晶圆的市场平均价格上涨至$6.2 RMB/piece左右;单晶硅晶圆的平均价格小涨至$8.2 RMB/piece;电池方面也维持涨势,平均价格在$2.68 RMB/Watt

国硕高效太阳能硅片价涨1成,Q2订单已接满来源:世纪新能源网 发布时间:2013-03-13 23:59:59

%,价格较一般矽晶圆片佳,2月初时每片价格已回升到0.9美元以上水准,目前则再涨至1美元大关。国硕目前太阳能矽晶圆年产能为240-250 MW,先前已在湖口买厂房,进行扩产规划,国硕拟于Q2进行扩产
,目标将扩至500 MW的水准。国硕去年第四季因为太阳能矽晶圆价格下滑以及汇损因素,单季出现亏损,法人估,国硕去年第四季每股亏损约0.7元,但去年全年维持获利水准。

集帮:订单能见度佳,太阳能台厂月营收可望逐月走扬来源:世纪新能源网 发布时间:2013-03-12 23:59:59

需求力道能否维持目前的强度表达较为保守的态度。就现货市场表现来看,买气仍持续中,而下游业者也顺势调升报价。以大陆市场价格来看,矽晶圆业者陆续调涨报价,多晶矽晶圆的市场平均价格上涨至$6.2 RMB
/piece左右;单晶矽晶圆的平均价格小涨至$8.2 RMB/piece;电池方面也维持涨势,平均价格在$2.68 RMB/Watt,多晶矽与模组则维持不变。在美金报价方面,由于比价效应的关系,多晶矽

中美太阳能贸易大战台厂受惠提早迎春燕!来源:世纪新能源网 发布时间:2013-03-12 23:59:59

开始针对中国发动「双反案」调查反倾销、反政府补助,决心制裁中国低价倾销的手段。面对欧美的制裁,中国可不打算就此放弃这个商机巨大的市场。据《路透社》报导,2011 年,中国输往美国的太阳能晶圆及面板就高达
太阳能厂商提早迎春燕!若是欧盟确定对陆制太阳能产品制裁,台厂可望获利更多。国内矽晶圆龙头绿能科技(3519) 表示,中国为规避美国高额的反倾销税而将订单转至台湾,今(2013) 年1 月中以来,太阳能

松下开发出转换效率达24.7%的晶体硅太阳能电池来源: 发布时间:2013-03-12 10:39:59

理论效率为29%,但在实用级别,25~26%已经是极限。松下表示,此次的成果明确了超过25%所需要克服的问题,计划进一步挑战极限值。  此次开发的HIT太阳能电池单元达到24.7%转换效率的是在单晶硅晶圆
两面形成非晶硅层的异质结构造的HIT太阳能电池(图1)。非晶硅层可减少硅晶圆表面的结晶缺陷、抑制再结合损失,因此容易提高电压。但受非晶硅层、透明导电膜和表面电极等的影响,有部分太阳光被遮挡,因此

松下晶体硅太阳能电池转换效率达到24.7%超过SunPower来源: 发布时间:2013-03-12 09:47:47

%转换效率的是在单晶硅晶圆两面形成非晶硅层的异质结构造的HIT太阳能电池(图1)。非晶硅层可减少硅晶圆表面的结晶缺陷、抑制再结合损失,因此容易提高电压。但受非晶硅层、透明导电膜和表面电极等的影响,有部分