晶体硅

，这使得光伏成为2016年美国发电的第二大通用技术，仅次于风电。 太阳能光伏系统因使用的电池板和系统是否使用跟踪技术而异。2016年，具有跟踪功能的晶体硅太阳能光伏系统是太阳能技术中最具附加值
的且价格最低的，为2243美元/千瓦。 随着技术的成熟和工程造价的下降，晶体硅已成为最广泛使用的光伏技术。由于需求和规模经济，它的安装费用每年降低400~500美元/千瓦，比薄膜技术低1000美元

来源：计鹏新能源 作者：胡晨辉 双面电池：通俗地讲，两面受光均可发电的晶体硅太阳电池就是双面晶体硅太阳能电池 双面组件：采用不同于常规组件制备技术将双面电池封装而成的组件。 双面电池可采用N型
和P型晶体硅材料制成，包括N型PERT电池、HJT电池、IBC电池，以及P型PERC双面电池等。 PERC技术(钝化发射极与背面的电池技术)由新南威尔士的马丁格林教授团队发明，1999年使用P型

捷佳伟创今日在深交所创业板上市，发行价格14.16元，证券代码为300724 捷佳伟创是一家国内领先的晶体硅太阳能电池生产设备供应商，主营PECVD设备、扩散炉、制绒设备、刻蚀设备、清洗设备
、自动化配套设备等晶体硅太阳能电池生产工艺流程中的主要设备的研发、制造和销售。公司生产晶体硅太阳能电池生产过程中的关键工艺设备，在光伏产业中处于支撑性的地位。 另据此前相关报道：2017

的电池进程中。 此外，在EUPVSEC召开期间，晶体硅领域的世界领先研究人员将提供他们的最新更新，以及PERC电池技术作为硅太阳能电池技术的新标准。 从光伏能源部署的早期阶段开始，科学和技术方面

二极管损坏，同时限制了接线盒的承载电流能力。 4. 接线盒散热能力对成本和长期可靠性的影响 晶体硅半导体器件遵循一个定律，温度每升高10度，半导体器件的可靠性下降50%【3】，工作温度越低，器件的

年代，基于p+pn+ 或p+nn+ 结构的双面受光晶体硅太阳电池的结构被正式提出。 1994 年Moehlecke 等在第一届世界光伏会议上介绍了基于p+nn+ 结构的双面太阳电池，该电池的正面
间衬底为n 型晶体硅，经过清洗制绒的n 型c-Si 正面依次沉积厚度为5～10 nm 的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)、p 型非晶硅薄膜(p-a-Si:H)，从而形成p-n 异质结。在硅片背表面

摘要:随着晶体硅太阳电池技术的不断发展，硅片的厚度不断降低，电池表面钝化对提高太阳能电池转化效率变得尤为重要。本文介绍了表面钝化膜在晶体硅太阳电池中的应用，以及几种晶体硅电池表面钝化方法，包括
等离子体增强化学气相沉积法、氢化非晶硅、热氧化法、原子层沉积法以及叠层钝化，并分别介绍了它们在应用上的优缺点。分析了制备钝化膜过程中存在的问题，并提出了相应措施及发展趋势。表面钝化技术是提高晶体硅

1、PERC电池技术的转化效率 光电转换效率是晶体硅太阳电池最重要的参数。 2017年，我国产业化生产的常规多晶硅电池转换效率达到18.8%，单晶硅电池转换效率达到20.2%。 与常规电池