晶体硅片

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2.3GW!8大能源央企25个光伏项目招标复盘!来源:光伏头条 发布时间:2018-04-25 21:24:54

单晶硅之间竞争尤为激烈,近日协鑫在云南投产的20GW、90亿元的整锭单晶以及隆基拟在云南楚雄投资12亿元建设10GW单晶硅片项目甚为抢眼,此外通威、中环也都纷纷加速扩产,光伏头条推测,此次组件招标最后的
投标人资格能力要求中,几点备受关注: 1)投标人实收资本金在2亿元人民币或以上的晶体硅太阳能电池组件生产企业。 2)晶体硅组件按GB/T9535(或IEC61215)和GB/T20047(或

太阳能硅片行业:2018年单晶市占率将超40%来源:高科智库 发布时间:2018-04-25 09:24:22

我国硅片产业在上一轮去产能周期中已洗牌充分,目前竞争格局基本稳定且集中度较高,在全球硅片产量前十的企业中,我国共占8家。其中,多晶硅片一线企业主要包括保利协鑫、赛维LDK、宇峻等;单晶硅片一线企业主

光伏智能化时代来临!华为、天合、阳光、大海、协鑫、中信博、创动等企业抢先布局!中国正在规模化调整光伏产业布局!来源:光伏头条 发布时间:2018-04-23 19:44:24

发达国家把持的高利润行业。 光伏组件的EVA膜,光伏背板材料,光伏玻璃,硅片,硅料等基本全都依赖进口,中国只拥有电池片制造和组件生产技术。 光伏组件的原料是高纯度的多晶硅料,需要99.999%以上
”解决方案。 进入2018年,晶澳太阳能在东海基地启动智能化硅片制造项目。一期项目总投资约2.5 亿元,将现有 2#厂房改建为智能化硅片制造车间,二期项目投资 3 亿元,利用现有办公楼北侧空地新建一座

应用光伏领跑者中几种高效技术介绍来源:智汇光伏(PV-perspective) 发布时间:2018-04-23 11:31:51

。 然而,这些新技术到底是怎么回事?本文介绍了应用领跑者中备受欢迎的PERC技术、P型双面技术、N型双面技术等。节选自鲁伟明的《高效晶体硅太阳能电池产业化趋势》。 一、高效电池的转化效率 二
; 6)具有更长的使用寿命,可以提供30年功率质保,发电衰减率约0.5%/年。 5、小结 1、N型硅片具有更高的少子寿命、更低的光致衰减,更好的弱光性能,更低的温度系数。 2、N型PERT/PERL

最新单多晶在终端综合收益对比分析 多晶走上绝路?来源:OFweek太阳能光伏 发布时间:2018-04-21 18:59:59

加工成本提高50%,只要电池效率提高超过5%,在终端依旧有利的。 3、多晶晶体生长占系统成本比例太低,只有0.1元/W,仅仅只有2%,即使铸锭成本为0,在终端依旧没有优势,比如现在(2月,3月)多晶
全线亏损,单晶仍有0.6元/片的利润,铸锭成本为0,也只能给多晶带来0.45元/片的利润,依旧低于单晶,在这种情况下单晶还依旧有优势。 4、多晶并非走上绝路,硅料和晶体加工成本依旧占系统的成本的10

晶盛机电:光伏订单持续增长 半导体业务开始发力来源:中财网 发布时间:2018-04-19 14:28:15

1.05 亿元。 把握产业趋势,半导体业务开始发力 公司创立之初就立足晶体生长工艺,在半导体长晶领域有着丰富的经验积累和客户基础。随着国内IC 产业崛起、国产硅片投资增速加快,2017年公司半导体
精益求晶的晶体硅生长设备龙头 晶盛机电是国内晶体生长设备龙头,业务涵盖光伏、半导体设备和蓝宝石等业务。17 年公司实现营收19.5 亿元,归母净利润3.87 亿元,同比增长90%。其中长晶设备

掉头转向还是补全拼图? 解密保利协鑫云南20GW单晶项目战略意图!来源:黑鹰光伏 发布时间:2018-04-19 00:14:11

技术路线的代表。 众所周知,保利协鑫的多晶硅片龙头地位已经保持多年,根据其年报数据,2017年硅片产量24吉瓦。金刚线切多晶技改完成后,目前硅片产能已达40吉瓦,是身后排名20家吉瓦级以上多晶硅片企业

协鑫CCZ、“鑫扶贫”等四大亮点将闪耀SNEC展会来源:索比光伏网 发布时间:2018-04-17 09:52:04

单晶协鑫发布首款基于CCZ连续直拉单晶技术的新品 协鑫集团旗下保利协鑫是全球规模最大、市场占有率最高的硅料、硅片供应商,也是主要的技术驱动者,每年为全球提供1/4的硅料、1/3的硅片,2017
年公司共生产约7.5万吨多晶硅及24GW硅片。今年的SNEC展会,保利协鑫将发布恒单晶新产品,这是协鑫基于全球领先的CCZ连续直拉单晶技术研发的首款产品。该新型单晶硅片品质更佳,电阻率更加均匀、分布更

最新 | 晶科能源半片组件技术白皮书震撼发布来源:365光伏 发布时间:2018-04-16 17:14:22

大型项目选择单晶组件的融资意愿不高的主要原因。 PERC 目前的成本仍比较高,对高效组件生产商来说,设备投资高,制程复杂,工序增加导致破片率上升的问题制。IBC 电池使用的 N 型硅片成本较高,电池制备
过程中需要多步掺杂等复杂的工艺,使得其制造成本较高,技术门槛高。HIT 电池工艺要求严格,要获得低界面态的非晶硅 / 晶体硅界面,对工艺环境和操作要求也较高,需要开发适宜的低温封装工艺。其他技术或

提升10W 降本10% 晶科能源下一代半片组件技术公布 剑指光伏领跑者与户用市场来源:晶科电力 发布时间:2018-04-16 10:23:11

。IBC 电池使用的 N 型硅片成本较高,电池制备过程中需要多步掺杂等复杂的工艺,使得其制造成本较高,技术门槛高。HIT 电池工艺要求严格,要获得低界面态的非晶硅 / 晶体硅界面,对工艺环境和操作