晶体硅片

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颗粒硅技术和市场现状探讨来源:申港证券 发布时间:2020-12-28 14:30:08

行业普遍把颗粒硅作为添加料使用,基本上将掺杂比例控制在30%以下,现下头部硅片厂的掺杂比例已可达到40%。掺杂比例主要受到微粉问题的限制,微粉在炉内高温的场景下会在石英坩埚内形成氧化物,影响晶体
生长,提高颗粒硅比例会加大晶体失活的风险。 我国颗粒硅在产产能不足3万吨,渗透率约5%,尚未实现大规模量产,行业前景亦存在诸多不确定性。我们总结了近期行业内关于颗粒硅技术路线的部分观点,并对未来发展前景的

158亿!高瓴资本重注押向光伏赛道,A股光伏产业链名单全梳理!来源:股市早晚报 发布时间:2020-12-28 08:40:00

用于光伏硅片生产的全套产品线; 晶盛机电晶体硅生长设备龙头;从事晶体生长、加工装备研发,全自动单晶生长炉、多晶硅铸锭炉等多款产品,应用于太阳能光伏行业; 国内首家实现GW级出货的叠片机组件设备供应商

光伏未来30年年均新增装机逾6个“三峡”?来源:腾讯新闻客户端 发布时间:2020-12-25 09:52:00

依赖于中国光伏! 2019年,中国硅料、硅片、电池片、组件占全球产量的比重分别达到了67%、98%、83%和77%,而中国生产的光伏产品,60%-70%出口到了全球各地。全球光伏组件出口商前十名中
。 也是这分毫间,凝结着中国光伏产业链各环节太多的智慧与艰辛。王勃华介绍,十三五期间,我国多晶硅价格下降了24.9%,硅片、电池片、组件价格降幅均超50%,系统价格下降47.2%。 而实现发电成本

2021年,才是光伏行业真正辉煌的起点(附股)来源:搜狐 发布时间:2020-12-24 15:31:39

低成本、又可以无限获取的清洁能源,谁就将掌握未来全球能源话语权! 而光伏主产业链从上至下可分为多晶硅、硅片、电池片、组件、逆变器及电站等环节。 硅料环节:短期新增供给
有限,2020 下半年到 2021 年有望维持供需整体偏紧的状态;后续国内多晶硅产业有望迎来新一轮扩产浪潮,进口替代以及国内落后产能的替代将持续演绎。 硅片环节:随着参与者的增加以及单晶硅片产能的

多晶硅产能爆发!产业龙头强者恒强来源:乐晴智库 发布时间:2020-12-16 09:08:43

。 光伏产业链 光伏发电技术路线主要包括晶体硅光伏发电和薄膜光伏发电,其中晶体硅光伏发电包括单晶硅片发电和多晶硅片发电。两者在成本和光能转换效率上各有优劣。单晶硅转换效率比多晶硅要高,但是制作

光伏尺寸之争:行业呼吁“组件标准化”!来源:中国能源报 发布时间:2020-12-15 09:49:47

半导体芯片的生产成本,尺寸不断变大已成必然趋势。目前,半导体行业尺寸正从8英寸向12英寸加速转型。而不断变化的光伏硅片尺寸其实是源自半导体硅片,在12英寸晶体成功研发后,对应产出的最大硅片尺寸即210

最低1.665元/瓦,天合拟中标珠海综合能源16.2MW组件采购来源:光伏們 发布时间:2020-12-15 08:46:29

12月14日,珠海综合能源有限公司2021年度晶体硅光伏组件框架招标中标候选人公示,天合光能以1.665元/瓦的最低报价位列第一中标候选人,隆基乐叶以1.7元/瓦的报价位列第二中标候选人,第三为合肥
340W的单晶组件158.75的硅片就能实现,但从价格上来看的话,明年一季度的组件供应形势仍然较为紧张。根据PVinfolink最新价格跟踪显示,G1单晶电池片供应偏紧,价格出现上扬趋势,明年初电池片

“双循环”战略专题:中国光伏行业发展前景及投资机会分析来源:中商情报网 发布时间:2020-12-03 10:36:02

,将在外循环中发挥重要的作用。 从产业链来看,光伏产业链上游环节主要包括硅料、硅片的生产。多晶硅料是信息产业和太阳能电池产业的基础原材料,由石英砂加工的冶金级硅精炼而来,用于制造基于晶体硅的电池组件
。多晶硅材料可以先被铸成硅锭,然后切割成片,加工成多晶硅硅片。光伏产业链中游主要环节为电池片、光伏组件等。 多晶硅 数据显示,2005年以来,在政策推动下,我国多晶硅产业历经产能过剩、淘汰兼并

保利协鑫的明天,颗粒硅种子已发芽来源:阿尔法工场研究院 发布时间:2020-12-01 13:06:45

。 颗粒硅大小形状比较均匀,熔化时对拉晶炉热场扰动小,是重复直拉单晶理想的复投料。 更进一步,颗粒硅流动性好,可以用机器自动加料或连续加料。 连续加料使拉晶效率提高很多,而且晶体质量和硅片的电学性能更均衡
不远的将来,不用连续直拉工艺、拒绝或无法获得颗粒硅的下游厂家,会输在起跑线上。 文 | 布衣老骑士 01 太阳能电池硅片生产 (图片来源:某A上市公司年报图片) 太阳能

光伏设备行业深度报告:HJT产业化发展潜力探析来源:未来智库 发布时间:2020-11-04 14:02:24

的设计可有效降低等离子体对基片的损伤,低功率薄膜 钝化后的晶体硅少子寿命接近其本征寿命。载板温度均匀,沉积薄膜厚度均一性好。此外,硅片上下料已全部实现 自动化,生产效率高,载板单次可装载 144
发生化学反应,沉积成膜。PECVD 在传统晶硅电池中主要用于钝化层和减反层薄膜的沉积,薄膜厚 度均大于 100 nm;HJT 技术采用 PECVD 在硅片正反面先后沉积两层非晶硅薄膜用作钝化层,钝化