晶体硅材料

　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料

晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30

，其中关键指标包括：多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有
太阳能技术的保障措施。《专项规划》首先分析了国内外太阳能行业的形式，指出晶体硅太阳电池市场份额超过85%，未来10-20年内仍将是市场主流；薄膜太阳电池市场份额约占15%，技术向着高效率、稳定和长寿命的方向

经济发展以及国际旅游岛建设。苗连生说。据悉，目前海南英利的一期及其扩建项目已全面实现投产，而二期400兆瓦前200兆瓦项目也已实现投产，形成了多晶硅太阳能电池的完整产业链，填补了我省不能规模化生产晶体
能量使英利早已将海南列入英利的未来发展战略。而按照协议，英利集团将在海南建设年产1000兆瓦太阳能电池完整产业链项目、年产3000吨电子级硅材料项目、新型大容量储能产业项目、光伏配套材料产业项目

"规划的总体目标。 　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，碲化镉、铜铟镓硒薄膜电池实现商业化应用
，装机成本1.2万-1.3万元/千瓦，初步实现用户侧并网光伏系统平价上网，公用电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料

。《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，碲化镉、铜铟镓硒薄膜电池实现商业化应用，装机成本1.2万-1.3
万元/千瓦，初步实现用户侧并网光伏系统平价上网，公用电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到

、工程建设、运行维护等产业链技术服务体系。关键指标如下：（1）实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；（2）晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程
。光伏电池生产主要集中在中国、日本、德国、美国等国家，德国、西班牙等国为主要应用市场。晶体硅太阳电池市场份额超过85%，其商业化最高效率已经达到22%，技术向着高效率和薄片化发展，未来10-20年内仍将

索比光伏网讯:EL检测仪，又称太阳能组件电致发光缺陷检测仪，是跟据硅材料的电致发光原理对组件进行缺陷检测及生产工艺监控的专用测试设备。给晶体硅电池组件正向通入1-1.5倍Isc的电流后硅片会发
缺陷种类二：黑团片多晶电池片黑团主要是由于硅片供应商一再缩短晶体定向凝固时间，熔体潜热释放与热场温度梯度失配导致硅片内部位错缺陷。缺陷种类二：黑团片缺陷种类三：黑斑片黑斑片一般是由于硅料受到其他杂质污染

C.R.Wronski最早发现的）。对S-W效应的起因，至今仍有不少争议，造成衰退的微观机制也尚无定论，成为迄今国内外非晶硅材料研究的热门课题。总的看法认为，S-W效应起因于光照导致在带隙中产生了新的悬挂键
复合中心，使得电子的俘获截面增大、寿命下降。在a-Si∶H薄膜材料中，能够稳定存在的是Si-H键和与晶体硅类似的Si-Si键，这些键的键能较大，不容易被打断。由于a-Si∶H材料结构上的无序，使得一些

索比光伏网讯:降低硅太阳能电池成本的方法之一是尽量减少高质量硅材料的使用量，如薄膜太阳能电池。不过这种太阳能电池的效率只达到了约11-12%。研究人员们正在寻求提升其效率的方法。最近取得突破的技术有
至少延长了7倍，最终大大提高了太阳能电池的效率。低成本太阳能电池基于单晶或多晶体硅基底的硅太阳能电池是光伏市场的主体。但若全部用高纯硅制作，生产这种太阳能电池非常耗能，并且比较昂贵。为进一步推动