晶体硅太阳电池
封面论文（也是该杂志首篇封面论文）形式报道了上海交通大学物理与天文学院太阳能研究所沈文忠研究组在工业化高效晶体硅双面太阳电池方面的研究成果。N型双面晶体硅太阳电池由于双面发电特性，广受学术界和产业界的
晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管，就n型电池而言，电池的基体是n-Si，基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极，p+发射极与n-Si基体接触形成p+-n结，基体的背表面通过扩散或者
，n-PERT双面电池的正面功率可以达到5.2 W，背面功率可以达到4.7 W，电池的双面率为90%。n-PERT双面电池相对于单面电池的效率增益难以通过单片电池来衡量，一般将多片太阳电池采用串联或
索比光伏网讯:晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管，就n型电池而言，电池的基体是n-Si，基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极，p+发射极与n-Si基体接触形成p+-n结，基体的背表面通过
关键是设备和运行成本。2.表面钝化技术对于晶体硅太阳电池，前表面的光学特性和复合至关重要。对于IBC高效电池而言，更好的光学损失分析和光学减反设计显得尤其重要。在电学方面，和常规电池相比，IBC电池的性能
钝化作用带来的开路电压增益，使得这种正面无遮挡的电池就拥有了高转换效率。IBC电池的工艺技术较之传统太阳电池，IBC电池的工艺流程要复杂得多。IBC电池工艺的关键问题，是如何在电池背面制备出呈叉指状
技术中心和光伏技术国际联合研究中心四个研发平台，掌握了从高纯硅材料制备、高质量晶体硅生长、超薄硅片切割、高效太阳能电池、长寿命光伏组件到光伏发电应用系统各个环节的核心技术，申请PCT国际专利13项
指标等六个方面，建立起了一套针对光伏电池生产全面的综合性指标。英利首席技术官宋登元表示，该评价指标体系设置了光伏电池行业国际领先清洁生产的指标等级，企业达到这个指标后，太阳电池生产能耗将降低20
注册成立，作为大型中央企业中节能太阳能股份有限公司的控股子公司，主营业务为晶体硅太阳电池及组件的研究、制造和销售。致力于光伏技术研发、光伏产品制造与销售以及光伏系统的设计和实施。一直以来秉承以客户为中心
，以价值创造者为本的企业价值观，不断开拓创新，务实奋进。通过持续的技术创新和扩大生产规模，不断提高太阳电池和组件的质量、降低制造成本,从而使太阳能这一取之不尽、用之不竭的绿色能源走进千家万户，为人
合作开发氢钝化技术，能将多晶PERC电池片光致衰减比率降为零。HIT太阳能电池技术HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积
一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下
Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路
电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。
目前，国内的HIT太阳电池组件刚起步，还需要进一步加快发展步伐。日本松下最新发布的家用HIT高效组件，转换效率已达19.6%。
HJT
，也是天合光能光伏科学与技术国家重点实验室第13次打破世界记录。
HIT太阳电池组件
HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)硅太阳能电池，是在晶体硅
℃以下实现。
与常规晶体硅太阳电池组件相比，HIT太阳电池组件的单位面积发电量更高、高温时能发更多的电、制成双面组件能够利用反射光,发电量进一步提升。
HIT电池特点有：1、结构对称，相比传统
世界记录。HIT太阳电池组件HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）硅太阳能电池，是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂
