晶体硅太阳电池

，公用电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备
发布《太阳能发电科技发展十二五专项规划》，在太阳能发电规划中，我国将把实现太阳能大规模利用、使其发电成本可以与常规能源竞争作为十二五规划的总体目标。《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大

索比光伏网讯:由尚德公司提交的《晶体硅太阳电池和组件初始光致衰减检测方法》标准提案，于2012年4月6日获国际电工委员会批准立项，标准编号为IEC60904-11。IEC60904是由国际电工
开始晶体硅太阳电池和光伏组件的初始光致衰减的研究，针对各个批次的太阳电池进行了大量的检测，积累了丰富的数据，形成了一套有效的处理手段，并在我国太阳能光伏大会、我国国际光伏技术大会等发表相关研究论文多篇

电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备
2020年有望降低到0.05欧元/千瓦时。我国将把实现太阳能大规模利用、使其发电成本可以常规能源竞争作为“十二五”规划的总体目标。 　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大

电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备
1 .26G W，在建的太阳能热发电站超过2 .24G W，年平均效率超过12%。　　布局三大技术研发　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅

年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权
%。　　布局三大技术研发《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。在关键指标设计上，《规划》明确到2015

影响早期光致衰减机理P型掺硼晶体硅太阳电池的早期光致衰减现象最早在30多年前就有相关报道。大量的科学研究发现它与硅片中的硼氧浓度有关，大家基本一致的看法是光照或电流注入导致硅片中的硼和氧形成硼氧复合体
，从而使少子寿命降低，但经过退火处理，少子寿命又可恢复，其反应为：正是由于掺硼单晶硅在光照条件下硼氧复合体的生成，引起少子寿命的下降，最终导致太阳电池和组件功率的下降。光致衰减的危害光伏组件的早期

材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成“交钥匙”工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜
　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅

%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10
晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30

太阳能技术的保障措施。《专项规划》首先分析了国内外太阳能行业的形式，指出晶体硅太阳电池市场份额超过85%，未来10-20年内仍将是市场主流；薄膜太阳电池市场份额约占15%，技术向着高效率、稳定和长寿命的方向

HIT太阳电池的Voc大小相关。所以，通过提高a-Si的钝化性能以提高寿命的方法可以认为对提高HIT太阳电池的输出电压是有效的。　　图三Voc和载流子寿命（us）的关系HIT太阳能光伏电池单晶体硅的表面