晶体硅太阳电池技术

发展大致经历了三个发展阶段： 第一代太阳能光伏电池，主要是单晶硅和多晶硅太阳能电池。经过半个多世纪的持续发展，晶体硅太阳能电池制备工艺已经十分成熟，单晶硅和多晶硅太阳能电池的实验室转换效率分别达到

大幅突破。该高效电池技术将逐步应用于产品生产。 晶科能源CTO金浩评论说：晶科能源完成了晶体硅材料、电池技术和组件工艺等方面的技术创新，多次创造电池效率和组件功率的世界纪录，实现了研发方面的重要里程碑

Oxide Passivated Contact)太阳能电池技术，其电池结构为N型硅衬底电池，在电池背面制备一层超薄氧化硅，然后再沉积一层掺杂硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，有效降低表面复合和金
相对P型晶硅电池，N型晶硅电池的少子寿命高，无光致衰减，弱光效应好，温度系数小，是晶硅太阳能电池迈向理论最高效率的希望。 TOPCon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触(Tunnel

1. HIT 电池性能优异，商业化节奏提速1.1 HIT：一种非晶硅与晶硅材料相结合的高效电池技术 HIT 电池是以晶硅太阳能电池为衬底，以非晶硅薄膜为钝化层的电池结构。HIT(异质结电池
晶体硅太阳能电池是一种同质结电池，即 PN 结是在同一种半导体材料上形成的，而异质结电池的 PN 结采用不同的半导体材料构成。日本三洋公司在 1990 年发明出 HIT 电池并申请为注册商标，因此

，并经过日本电气安全与环境技术实验室(JET)独立测试认证。这是迄今为止经第三方权威认证的中国本土效率首次超过25%的单结单晶硅太阳电池，也是目前世界上大面积6英寸晶体硅衬底上制备的单晶硅太阳电池的最高

，单晶硅和多晶硅电池优于非晶硅电池。 太阳能电池主要包括晶硅电池和薄膜电池，靶材主要应用于薄膜太阳能电池的背电极环节以及HIT(异质结)电池的导体层。晶体硅太阳能电池按照生产工艺不同可分为硅片涂覆型

电池技术若要成为有竞争力的主流技术，需要能够达到降低 LCOE 的目标，即降低成本的 同时提升发电效率。太阳能电池转换效率损失的主要原因包括载流子损失、欧姆损失和光学损失，改善的途径主要 有：减少反射
、潞安太阳能、国 电投等)加大光伏领域布局力度、新一代电池技术积极蓄势寻求突破的阶段。随着补贴退坡，光伏产业市场化自主 发展趋势愈加明显，终端对降低 LCOE 的追求驱动产业竞争的核心逐步转向对高效

光伏半导体技术与新能源需求相结合而衍生的产业，根据半导体材料的不同，主要分为晶体硅太阳能发电、薄膜太阳能发电与聚光太阳能发电三种，其中晶体硅太阳能发电始终是光伏发电的主流。 光伏产业链包括上游硅料

日前从河北大学获悉，该校物理学院光伏技术课题组青年教师陈剑辉博士等人经过努力探索，克服高温和真空重装备的技术障碍，不断开辟晶体硅表面钝化领域新的研究方向，给未来进一步降低硅太阳电池制造成本提供了科学
，钝化不导电的矛盾，使得硅太阳电池技术仅用单层薄膜就可以同时实现两种物理效果，大大简化了制备工艺。 该工艺初步应用在多晶硅电池上，实现了18.8%的电池效率，与工业数据相当，但工艺上不再涉及高温