晶体生长炉

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无锡尚德vs江西赛维:全球资源整合模式揭密来源: 发布时间:2008-11-07 15:58:59

全球最大太阳能多晶硅铸锭炉生产商美国GT-SOLAR公司签订3300万美元的多晶硅片生产设备,这成为美国GT历史上最大的一个合同。 江西赛维的创业资本主要来自于彭晓峰(3亿元)、新余市政府(2亿元
经验,担任生产、工艺工程、战略原料供应等多重职位。1985-2002年,他担任MEMC公司单晶晶体生长生产董事、工程经理、战略原料供应经理。1981-1985年,他担任S.E.H(美国)生产部经理

西安理工大学工厂晶体生长设备填补国内空白来源:Solarbe.com 发布时间:2008-09-27 14:27:01

有色金属研究总院共同研制成功的TDR-150型单晶炉,填补了国内12英寸无错位单晶生长设备的空白。该公司还与世界著名的晶体生长设备制造商德国CGS公司组建合资公司,与全球规模最大的半导体设备制造企业——美国应用材料公司签订了营销合作协议。

光伏设备国产化取得突破来源: 发布时间:2008-01-22 14:01:59

  1月14日,中电科技集团第48研究所推出以多晶硅铸锭炉为代表的多种具有自主知识产权的新一代太阳能光伏装备产品。  记者了解到,该系列多晶硅铸锭炉一次可铸锭240kg-270kg,晶体生长速率、炉

3年刻苦研发 填补国内空白 12"硅单晶炉助我国IC驶入快车来源:知识产权报 发布时间:2007-06-14 16:21:46

  阅读提示   单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国,以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在核心技术缺乏的问题,高端产品均为国外公司所

磁场中直拉硅单晶的生长(二)来源:峨眉半导体 发布时间:2007-06-12 22:54:48

MCZ法生长硅单晶,已进入实用阶段。 利用磁场进行晶体生长研究的历史如表1所示。 四、设备 近年来出现的MCZ法是一种很有前途的方法。 MCZ法又可细分
,并在晶体生长时产生周期性的旋转条纹。VMCZ法解决了TMCZ法所存在的问题,与TMCZ比,它有如下特点: 1.尺寸小、重量轻的螺线管可产生强而均匀的磁场; 2.不需要调整常规CZ

TDR-150和FX150单晶炉形似还是神似?来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-12 22:46:21

集成电路与太阳能用单晶硅生长设备,在我国首次研制成功。 单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国,以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在

2007第三届中国太阳级硅材料及硅太阳电池研讨会来源:Solarbe.com 发布时间:2007-06-11 11:10:22

德国Schmid Group 史少武/张永安 自动化大规模生产太阳电池的技术 17:00-17:20 西安华德晶体生长设备公司 邱宗明 教授 CZ硅单晶生长技术与设备 17
:20-17:40 华东理工大学 郑金标 教授 硅切割废弃物的回收利用探讨 17:40-18:00 美国GT Solar Dr. Ford 硅晶体生长技术进展

太阳能光伏技术——晶体硅太阳能电池及材料来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-08 17:19:33

。在晶体生长中受应力等影响造成缺陷越多的硅材料,氢钝化的效果越好。氢钝化可采用离子注入或等离子体处理。在多晶硅太阳电池表面采用pECVD法镀上一层氮化硅减反射膜,由于硅烷分解时产生氢离子,对多晶硅可
的纯度大部分仍在6N到7N,价格依其品位约在10一20美元/kg。目前半导体工业用的投炉多晶硅料是采用三氯氢硅精馏法(西门子法)生产的,采用改进的西门子法并扩大规模进行生产是未来降低成本的有效措施之一

我首台12英寸单晶炉研制成功来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-05 08:34:13

集成电路与太阳能用单晶硅生长设备,在我国首次研制成功。   单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备,所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国,以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在
近日,国家863计划项目超大规模集成电路配套材料重大专项中的TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)项目在北京正式通过科技部的验收,这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸