晶体材料

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深圳市发改委关于组织实施深圳市新能源产业发展专项资金2016年第二批扶持计划的通知来源:深圳市发改委 发布时间:2016-03-22 16:19:03

、柔性交直流输电关键设备、高压直流输电关键设备、智能变电配电设备及系统、智能用电设备及系统、智能电网通信信息平台等。 太阳能。重点发展薄膜太阳能电池、高效晶体硅太阳能电池及组件、新型太阳能电池
。 风能。重点发展风电控制装备、风力发电设备及新型风机设备制造等。 生物质能。重点发展垃圾焚烧发电,垃圾焚烧炉排和烟气处理装备及其他生物燃料等。 储能电站。重点发展储能材料、储能装备、储能电站

宁夏银川开发区缔造光伏产业“航母”来源: 发布时间:2016-03-22 11:23:59

经济技术开发区积极规划建设晶体材料产业园,将原中小企业创业基地等低效利用的厂房进行整合,集中布局新材料产业项目,打造新的创新孵化平台。
日前,当记者走进宁夏晶明科技有限公司晶科单晶等生产车间时,看见一片忙碌的景象。目前,银川经济技术开发区已拥有光伏材料、发电装备及其配套企业14家,并形成从高纯硅、多晶硅等较为完整的产业链。特别是

太阳能电池发展历程简介来源:科学出版社 发布时间:2016-03-22 11:14:21

无毒、生产成本低等特点,已经发展成为目前使用最广泛的一类太阳能电池材料。按硅材料晶体结构,太阳能电池又可分为单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池。单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池统称

【深度】2016最新单晶VS多晶对比分析来源: 发布时间:2016-03-21 08:37:59

数据【单晶VS多晶】一、 材料性能对比单多晶的晶体生长工艺不同,单晶硅的晶面取向相同、无晶界,品质优异,而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布,晶格缺陷增多,导致单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学

单晶VS多晶对比:单晶稳步提升市场份额来源:索比光伏网 发布时间:2016-03-18 15:20:48

对比数据 【单晶VS多晶】 一、 材料性能对比 单多晶的晶体生长工艺不同,单晶硅的晶面取向相同、无晶界,品质优异,而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布,晶格缺陷增多,导致单晶硅片与
多晶硅片在晶体品质、电学性能、机械性能方面与单晶相比有显著差异。因此,两种材料的生产工艺与结构决定了单晶具有以下优势: 1) 单晶硅比多晶硅材料具有更低的晶格缺陷。 2) 单晶硅片比多晶硅片有更高

干货:三大类薄膜太阳能电池综合评述来源:光伏标准及技术 发布时间:2016-03-18 10:56:33

减少光反射率等方法,来提高了光照稳定性及转换效率。 多晶硅薄膜太阳能电池不仅具有晶体硅太阳能电池的高效率及稳定性,而且具有材料用量少,生产成本低的优势。日本 Kaneka公司利用 PECVD 工艺在
薄膜太阳能电池 硅基类薄膜太阳能电池根据材料具体可以分为非晶硅、多晶硅以及微晶硅薄膜太阳能电池。其中,非晶硅薄膜太阳能电池因以玻璃、不锈钢等为衬底而研制出来的,所以被认为是现阶段环保性能最好的电池。它的

三大类薄膜太阳能电池最新研究进展来源: 发布时间:2016-03-18 10:25:59

方法,来提高了光照稳定性及转换效率。多晶硅薄膜太阳能电池不仅具有晶体硅太阳能电池的高效率及稳定性,而且具有材料用量少,生产成本低的优势。日本 Kaneka公司利用 PECVD 工艺在玻璃基板上制备了厚
电池硅基类薄膜太阳能电池根据材料具体可以分为非晶硅、多晶硅以及微晶硅薄膜太阳能电池。其中,非晶硅薄膜太阳能电池因以玻璃、不锈钢等为衬底而研制出来的,所以被认为是现阶段环保性能最好的电池。它的研究开始于

光伏支架设备的种类和使用特点介绍来源:中国安装信息网 发布时间:2016-03-16 23:59:59

随着经济的发展,越来越多的材料被用于生产工业中,也衍生出了很多新型设备,ink"光伏支架设备就是其中一种。光伏支架设备一般被光伏制造企业用于生产原料、电池组件、和其他零部件产品。是被反复使用过程中
、电池芯片制造设备、晶体硅电池组件制造设备和薄膜组件制造设备 。光伏支架设备根据安装地面的不同分为三大类:一是坡屋面光伏系统,二是平屋面光伏系统,三是大型地面光伏系统。三种系统都有各自的优势和特点。1

结构、衰减与性能——单晶与多晶的本质透析来源:王火火 发布时间:2016-03-15 15:31:36

,第一年初始光衰稳定后,以后每年衰减0.71%~0.73%。单晶组件由于使用完美晶体结构的硅材料,内部结构更为稳定,第1年功率保证是97%,25年保证83.8%,第2~25年平均每年衰减仅0.5%,这些
,没有把晶体硅材料的性能充分发挥出来,转换效率的差异也不太明显。随着技术不断进步,晶体硅材料的发电性能利用程度不断被刷新,由于单晶材料本身的高品质特征、多晶材料本身无法克服的高位错密度和高杂质缺陷

结构、衰减与性能--单晶与多晶的本质透析来源: 发布时间:2016-03-15 14:55:59

初始光衰稳定后,以后每年衰减0.71%~0.73%。单晶组件由于使用完美晶体结构的硅材料,内部结构更为稳定,第1年功率保证是97%,25年保证83.8%,第2~25年平均每年衰减仅0.5%,这些指标是
晶体硅材料的性能充分发挥出来,转换效率的差异也不太明显。随着技术不断进步,晶体硅材料的发电性能利用程度不断被刷新,由于单晶材料本身的高品质特征、多晶材料本身无法克服的高位错密度和高杂质缺陷,每一种