无碳化

适合水冷散热设计，是一款散热性能好、可靠性强的大电流功率模块。 新MPD系列IGBT模块外型紧凑，采用新型无焊接AI基板，提供更高的温度循环能力。针对大电流专用的内部结构采用专门的封装，内部
。 现在，半导体功率器件都是采用硅材料，业内人士认为硅材料的节能能力已经接近极限。目前，人们把注意力放到开发碳化硅材料。碳化硅由于有着优良的物理和电气特性，可以期待在电力变换容量、低耗等方面

。硅片的预冲洗，表面污垢主要来自切片中带过来的一些切削液、沙浆、碳化硅及杂志金属氧化物等，去除起来非常难，因为只有薄薄一层，像钠、铜这种金属，哪怕只有千分之几PPM金属杂质在里面，会引起硅晶片表面缺陷
考察，现场目测，色泽均匀一致，无色差，无花斑，无暗痕，无可视残留污渍。第二次的目测，我们称为织构化处理，也就是制绒后，花斑一旦形成，是没办法去除的，而且这条花斑在没有制绒之前显现不出来，因为是极微量的

些，如果有些步骤上出现了误差，或者参差不齐，对订单价格会有所影响。硅片的预冲洗，表面污垢主要来自切片中带过来的一些切削液、沙浆、碳化硅及杂志金属氧化物等，去除起来非常难，因为只有薄薄一层，像钠、铜这种金属
，无色差，无花斑，无暗痕，无可视残留污渍。第二次的目测，我们称为织构化处理，也就是制绒后，花斑一旦形成，是没办法去除的，而且这条花斑在没有制绒之前显现不出来，因为是极微量的残留，或者腐蚀过度，经过制绒

（Shine Magazine/光能杂志 & www.solarbe.com/索比太阳能光伏网 记者 李默 报道） 合能阳光参与讨论审议了蓝宝石、碳化硅等14项半导体国家标准
单晶衬底片翘曲度测试方法，LED外延芯片用砷化镓衬底规范，碳化硅单晶抛光片等14项半导体材料国家标准。这些标准的确定将为LED、蓝宝石、碳化硅的规范发展奠定坚实的基础。 合能阳光实施“收养太阳能检测

级多晶硅。唯一的缺点是安全性差，危险性大。其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。此法比较
四氯化硅对B杂质无多高要求，而做锌还原法则不同，对B有严格要求。关于B杂质的去除，在西门子法的精馏工艺当中，也并非易事。如国内新光，从俄罗斯引进了湿氮除B的工艺，但实验结果并不理想。B杂质在三氯氢硅与

技术，主要有：改良西门子法的低价格工艺;冶金法从金属硅中提取高纯度硅;高纯度SiO2直接制取;熔融析出法;还原或热分解工艺;无氯工艺技术，Al-Si溶体低温制备太阳能级硅;熔盐电解法等。多晶硅生产工艺：1
不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。4、太阳能级多晶硅

迁移率、高透光性、高强度等众多优异的物理化学性质，在电子学、自旋电子学、光电子学、太阳能电池、传感器等领域有着重要的潜在应用。目前制备高质量石墨烯的方法主要有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气
铂基体均无破坏和损耗，铂基体可无限次重复使用。转移后的石墨烯完整保留了其原有的结构和质量，无金属杂质残留（图3）。该鼓泡转移方法操作简便、速度快、无污染，并且适于钌、铱等贵金属以及铜、镍等常用金属上

。开发电子级多晶硅、大尺寸单晶硅、抛光片、外延片等材料，积极开发氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟、锗、绝缘体上硅(SOI)等新型半导体材料，以及铜铟镓硒、铜铟硫、碲化镉等新型薄膜光伏材料，推进高效、低成本
导、绿色无铅新型铜合金接触导线规模化发展，满足高速铁路需要。进一步推动高磁导率软磁材料、高导电率金属材料及相关型材的标准化和系列化，提高电磁兼容材料产业化水平。开发推广耐高温、耐腐蚀铁铬铝金属纤维多孔材料，满足高温烟气处理等需求。

风起云涌。然而，徐科介绍说，目前市场上大规模应用于LED照明的氮化镓芯片距离氮化镓真正的神奇能量还相距甚远。　 这主要是由于目前市场上广泛使用的LED氮化镓芯片通常是基于蓝宝石或碳化硅衬底晶片制备而成
年可以生产出6英寸的晶片。　 除了做大之外，将氮化镓晶片做得更薄，使之直接成为氮化镓器件（或芯片）的一部分，生产出无衬底氮化镓晶片是徐科追求的另一目标。氮化镓芯片的厚度通常为0.1 毫米，目前以

将有更多矽晶圆厂面临相同问题。相较于台湾矽晶圆生产制造成本来看，大陆业者生产成本竞争力相对具优势，主要即是有效掌控多晶矽以外的相关成本，包括碳化矽等生产所需周边耗材，取得成本相对较台湾业者来得便宜，若
砍，使得矽晶圆厂开始面临亏损，也开始认同报价只要在总变动成本以上仍然接单生产，但业者均认知该策略非长久之计，第3季情况无大幅改善，被认定是最辛苦的1季，第4季多晶矽料源快速下滑，矽晶圆报价也持续打滑