新型晶体硅

晶盛机电）成功闯关。然而，这家有着高新之名的企业并未赢得业内人士的青睐，却因一股独大、客户集中度过高等问题饱受诟病。资料显示，晶盛机电是一家晶体硅生长设备供应商，并以晶体硅生长设备及其控制系统的研发
的费用化支出金额全部转入了当期损益，其中355.85万元转入管理费用-研发经费科目，其余648.08万元转入了主营业务成本科目。对此，公司解释称，2008年公司进行了新型单晶炉产品的研制，其中数台新型

供应商合作，以进一步降低太阳能的成本，扩大其应用领域。有了杜邦这样的创新型公司，美国成为全球光伏供应链中一个重要角色，也成为中国和全球市场的太阳能产品净出口国。提升太阳能电池的转换效率及进一步延长
验室申请的15个产品的检测能力，包括：地面用晶体硅光伏组件、光伏（PV）组件安全、平面光伏组件和电池板、地面用薄膜光伏组件、光伏系统连接器、光伏组件接线盒、电缆接头、太阳能光伏用玻璃、光伏组件用接地夹

，将提升光伏发电效率今年金太阳工程对关键设备的要求有所提高。组件方面，晶体硅组件全光照面积的光电转换效率由2011年的不低于14%提高至不低于14.5%；非晶硅薄膜组件由2011年的不低于6%提高至
电性能、高智能管理、安装灵活方便的新型逆变器。关键设备要求的提高有助于提升光伏系统发电效率，推动光伏并网技术标准实施和完善，保障电网运行安全。国内光伏应用市场加速启动，短期利好光伏并网设备2011年8月

的目标，方正证券预计今年招标规模将进一步扩大。短期利好并网设备公司今年金太阳工程对关键设备的要求有所提高。组件方面，晶体硅组件全光照面积的光电转换效率由2011年的不低于14%提高至不低于14.5
最大转换效率要求不低于95%，并鼓励采用高发电性能、高智能管理、安装灵活方便的新型逆变器。关键设备要求的提高有助于提升光伏系统发电效率，推动光伏并网技术标准实施和完善，保障电网运行安全。2011年8月

。 　　短期利好并网设备公司 　　今年金太阳工程对关键设备的要求有所提高。组件方面，晶体硅组件全光照面积的光电转换效率由2011年的不低于14%提高至不低于14.5%；非晶硅薄膜组件由2011年的不低于
采用高发电性能、高智能管理、安装灵活方便的新型逆变器。关键设备要求的提高有助于提升光伏系统发电效率，推动光伏并网技术标准实施和完善，保障电网运行安全。 　　2011年8月，国家发改委推出光伏上网

，延续了往年的补贴力度。为实现2015年光伏装机达到15GW的目标，方正证券预计今年招标规模将进一步扩大。　　短期利好并网设备公司　　今年金太阳工程对关键设备的要求有所提高。组件方面，晶体硅组件全光照
隔离变压器型逆变器最大转换效率要求不低于97%，含变压器型逆变器最大转换效率要求不低于95%，并鼓励采用高发电性能、高智能管理、安装灵活方便的新型逆变器。关键设备要求的提高有助于提升光伏系统发电效率

。目前已有产业化的晶体硅(单晶硅、多晶硅)太阳能电池，部分投产的薄膜电池(非晶/微晶硅硅基薄膜、碲化镉和铜铟镓硒)，以及主要处于研究中的染料敏化电池、有机薄膜电池等。一种叶绿素太阳能电池，因为尽可能模仿了
生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。比如，晶体硅(单晶硅、多晶硅)太阳能电池目前已有广泛产业化规模，薄膜电池也有部分投产。目前，要想大规模地推广太阳能技术，光能

光伏行业大有裨益。光伏产业是中国少数在科研与制造水平上处于国际前沿的行业。坚定不移地走科技创新之路，才能保持低成本、高品质，帮助企业加快转型升级步伐。2011年11月25日，科技部正式启动国家创新型产业集群试点工作
和晶枫两张技术王牌：已经量产的赛秀技术使光电转换效率达到19.2%，为世界一流水平；具有自主知识产权的晶枫技术，生产出接近直拉单晶硅品质的晶体硅电池，光电转换效率达到18.2%。使用这两项技术制造出的

　　一、电池组件（一） 性能要求1. 晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）14.5%，非晶硅薄膜组件7%，CIGS薄膜组件10%；2. 工作温度范围为-40℃～+85℃，初始功率（出厂前
）不低于组件标称功率；3. 使用寿命不低于25年，质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%，25年内不高于20%。非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%，25年内不高于20%；4. 晶体硅

(一)性能要求1.晶体硅组件全光照面积的光电转换效率（含组件边框面积）14.5%，非晶硅薄膜组件7%，CIGS薄膜组件10%；2.工作温度范围为-40℃～+85℃，初始功率（出厂前）不低于组件标称功率
；3.使用寿命不低于25年，质保期不少于5年。晶体硅组件衰减率在2年内不高于2%，25年内不高于20%。非晶硅薄膜组件衰减率在2年内不高于4%，25年内不高于20%；4.晶体硅和非晶硅薄膜组件分别按照