拉晶项目

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包头市年产值达40亿元晶澳晶硅项目投产来源:包头市人民政府 发布时间:2018-04-25 16:20:18

位于包头装备园区的晶澳3吉瓦晶硅项目一期工程进展顺利,部分设备已开始生产。待项目全部建成后,将具备年产3吉瓦单晶硅方、多晶硅锭的生产能力,年产值预计达到40亿元。 目前,厂房已封闭,192台

博弈光伏电站下半场来源:能源杂志 发布时间:2018-04-23 17:07:39

《能源》记者透露,领跑者招标中有三个要素,其一,你选什么样的设备,其二,转化效率,其三才是电价。只有在其它条件不相上下时,电价才是决定性因素。但在第三次领跑者项目中,技术和转化效率拉不开距离,电价反而占据
展现在读者面前。 3月23日,在第三批领跑者达拉特旗项目的投标结果即将公示的几个小时前,位于北京市丰台区总部基地的特变电工大楼内,气氛格外严肃紧张,一改往日周末来临前的兴奋。 这是一场艰难的战斗

掉头转向还是补全拼图? 解密保利协鑫云南20GW单晶项目战略意图!来源:黑鹰光伏 发布时间:2018-04-19 00:14:11

设备+工艺+产品组合方面,达到国际领先水平。而此次云南曲靖20GW单晶项目落地后,保利协鑫将成为全球唯一一家实现CCz技术产业化的企业。 目前,业内主流应用的、以及即将扩产的,全部为RCz多次技术

【趋势】供应吃紧 硅晶圆价格上涨来源:OFweek太阳能光伏 发布时间:2018-04-17 18:59:59

片/月,原计划一期15万片/月的产能在2018年年中达产,全部产能于2021年满产。 不过,上海新阳董秘杨靖告诉中国证券报记者,因上海新昇管理层变动及炉设备订购难等因素,上海新昇的实际达产情况
12英寸晶圆厂达到10家,产能62万片/月。在建12英寸晶圆厂项目15个,在建产能超过81万片/月。预计12英寸硅晶圆的需求缺口将进一步扩大。 IHSMarkit预计,2018年半导体硅晶圆面积将增加

硅晶圆供需吃紧 价格上涨来源:中证网 发布时间:2018-04-17 14:30:42

片/月,原计划一期15万片/月的产能在2018年年中达产,全部产能于2021年满产。 不过,上海新阳董秘杨靖告诉中国证券报记者,因上海新昇管理层变动及炉设备订购难等因素,上海新昇的实际达产情况
英寸晶圆厂达到10家,产能62万片/月。在建12英寸晶圆厂项目15个,在建产能超过81万片/月。预计12英寸硅晶圆的需求缺口将进一步扩大。 IHS Markit预计,2018年半导体硅晶圆面积将增加

保利协鑫单多晶战略并行 新投产项目定位革命性新技术来源:时代周报 发布时间:2018-04-17 10:23:14

市场爆发之下,保利协鑫能源早已开始单多晶并行的战略部署。据了解,2010年,保利协鑫能源在河南投产了单晶拉棒项目,2015年在宁夏又投产了1GW单晶项目,此后更有一系列的单晶项目落地。 其中,最为

定位革命性CCZ连续直拉单晶技术 保利协鑫新建20GW单晶项目来源:OFweek太阳能光伏 发布时间:2018-04-12 18:59:59

拉制。当前,业界主流应用的全部为RCz多次技术(Recharged Czochralski),与之相比,CCz产出的晶棒品质更佳,电阻率更加均匀、分布更窄,更加适用于P型PERC电池工艺及更加
4月10日晚间,光伏龙头保利协鑫发布重磅公告称,已与云南省曲靖市人民政府等订立协议,将投资90亿元人民币在当地兴建单晶硅项目,设计产能为20吉瓦。公告称,新建项目将采用革命性的CCz连续直拉单晶技术

协鑫90亿重金下注云南单晶基地背后:曲靖政府要员全线访徐州 四大基地联袂出炉来源:能源一号 发布时间:2018-04-12 08:59:09

多晶硅料生产基地,未来将取代进口产品。 第三,常规拉单晶与中环股份有合作:在新疆的多晶硅项目上,中环股份有一定参股,这样它能解决多晶硅原料来源相对稳定的问题,不用都在外购买。这部分由中环股份主要

拓日新能2018年第一批组件原材料采购项目及合格供应商入围招标公告来源:索比光伏网 发布时间:2018-04-02 08:47:53

研发同时生产非晶硅、单晶硅、多晶硅光伏电池芯片的企业。目前拥有深圳光明、四川乐山、陕西渭南、新疆喀什、青海西宁、青海海西六大产业基地,拥有全球最完整、从砂到电的非晶硅光伏电池产业链,拥有包含切片
深圳市拓日新能源科技股份有限公司就拓日新能2018年第一批组件原材料采购项目及合格供应商入围招标,欢迎有意向的单位前来竞标。 一、招标编号:(详见五、招标产品情况) 二、项目名称:拓日新能

光伏下午茶(第606期)来源:老红看光伏 发布时间:2018-03-28 14:03:57

电表的计量数据不一定是一样的 在多晶硅料生产环节,电费和金属硅原料的占比最高,分别达到了44%和21% 在硅片生产环节,硅料的成本占比约66%左右 单晶硅片降本途径:大装料、高拉速、多次、大切