拉低

？” 　　去年，武汉东湖新技术开发区的软件园一路、三路，关南二路，文园路，文华路，佳园路等，虽然修好了道路，但路底下没有铺设电缆。如重新拉电缆，需要破路，造成重复施工和浪费。而安装太阳能电池和灯具，不需要重铺电缆
，最大的缺点是能流密度低；强度受季节、地点、气候等的影响而不能维持常量。人类对太阳能的认识和利用虽然很早，却一直受制于这两大“瓶颈”。 　　1954年，美国研制出实用型单晶硅电池；1955年，以色列

的最早一批拉棒企业选用了当时价格低廉的硅废料进行加工，取得了很好的效果。昱辉并于2006年8月在英国AIM市场上市。废料在一夜之间变得炙手可热，从2006年5月初的50元/公斤疯涨到900元/公斤
！但是同时国内拉棒企业良莠不齐，技术较为落后，因此也生产出了为数不少的次品，致使2006年底国内企业被国外采购商退货情况严重，同时由于小组件厂家的不断增多，破电池片的销路也被打开，一般采用大尺寸的破损度

微米/秒的拉速生长了直径76毫米的无位错硅单晶。掺杂剂分别为硼、磷和锑。晶体的生长方向为100和(111。他们发现，施加至少1500高斯的磁场，就能显著地抑制熔融硅的热对流和温度波动。用Dash法腐蚀
硅片表明，外加磁场减少了由热对流引起的生长条纹，用本方法生长的晶体，氧浓度为1x10"原子/厘米”，比常规 CZ硅的氧浓度降低了一个数量级。高阻MCZ硅单晶的径向电阻率不均匀性比FZ硅单晶的低。例如

坩埚软化点低、寿命短、易下陷，单晶一旦断苞，几次回熔后很难再长出单晶。此外，石英坩埚下陷后，石墨坩埚裸露，引起碳含量超标。国产坩埚内表面气泡多，杂质点、斑点多，拉晶过程中脱落下的石英砂容易使单晶断苞
在软化点和外观上做到与进口坩埚一致，这一指标很直观，拉晶过程中很容易比较出来。进口坩埚即使多次回熔，最终也能拉出单晶，而国产坩埚由于软化点低，坩埚在回熔中易变形，表面起皮脱落，或者有难熔浮渣产生，最终

　　目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。而FZ法生长出的单晶硅则主要用在高功率
晶体。 　　（4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径渐渐增大到所需的大小。 　　（5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间

转换效率，如澳大利亚新南威尔士大学的格林教授采用 激光刻槽埋藏栅线等新技术将高纯化晶体硅太阳能电池的转换效率提高到24.4%，他在1994 年5月表示能用纯度低100倍的硅制成高效光电池，约在10年后
下降，而薄膜太阳能电池在降低制造成本上有着非常广阔的诱人前景。早在几年前，澳大利亚科学家利用多层薄膜结构的低质硅材料已使太阳能电池成本骤降80%，为此， 澳大利亚政府投资6400万美元支持这项研究，并

之势。2．2．aSI太阳电池的优势 技术向生产力如此高速的转化，说明非晶硅太阳电池具有独特的优势。这些优势主要表现在以下方面：（1）材料和制造工艺成本低。这是因为衬底材料，如玻璃、不锈钢、塑料等
斯太不拉一路昂斯基效应，简称SWF。暗电导的阿兰纽斯特性测量表明，光照时电导激活能增加，这意味着费米能级从带边移向带隙中央，说明了光照在带隙中部产生了亚稳的能态或者说产生了亚稳缺陷中心。这种亚稳缺陷

？ 苗连生：中国的日照率现在新疆、西藏、内蒙、甘肃这些省份，它的日照率均在1800个小时以上，中国除了重庆和贵州日照率低一些，其他的日照率都可以。 记者：也就是从资源优势上来
什么？线太长，线损太大，比方说线损要达到50％，要超过500米。线损要50％以上，过去一块钱的电，到你那儿就两块钱。老百姓也消费不起，所以这个优势非常大。你不用拉电线，把这个东西往那里一戳就行