,二是1955年以色列的Tabor提出选择性吸收表面概念和理论并研制成功选择性太阳吸收涂层。这两项技术突破为太能利用进入现代发展时期奠定了技术基础。太阳能电池根据所用材料的不同,可分为:硅太阳能电池
臼趋枯竭。缓解常规能源紧缺、改善生态环境,以光伏发电为首的新能源技术的开发利用追在眉睫。二十世纪50年代,太阳能利用领域出现了两项重大技术突破:一是1954年美国贝尔实验室研制出6%的实用型单晶硅电池
光伏电池的成功研制为3结IMM结构的开发开创了先机,而最终目的是开发出可以商业化的技术。2011年10月,RFMD宣布组建新的商业集团化合物半导体集团(Compound Semiconductor
进一步提升空间。RFMD一年前宣布采用公司现有的标准6英寸半导体设备生产出集成砷化镓(GaAs)和磷化镓铟(InGaP)的双结光伏电池,成功实现了IMM技术商业化过程中有重要意义的性能里程碑。双结
有重要意义的性能里程碑。双结光伏电池的成功研制为3结IMM结构的开发开创了先机,而最终目的是开发出可以商业化的技术。
2011年10月,RFMD宣布组建新的商业集团化合物半导体集团
40.8%,研究表明甚至还有进一步提升空间。
RFMD一年前宣布采用公司现有的标准6英寸半导体设备生产出集成砷化镓(GaAs)和磷化镓铟(InGaP)的双结光伏电池,成功实现了IMM技术商业化过程中
中国作为新的世界经济发动机,光伏业呈现出前所未有的活力。大量光伏企业应运而生,现在光伏产量已经达到世界领先水平。下面我们来一起来回顾一下中国太阳能发展历史:
1958,中国研制出了首块硅单晶
1968年至1969年底,半导体所承担了为实践1号卫星研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中,研究人员发现,P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射,造成电池衰减,使电池无法
总的发展来看,基础研究和技术进步都起到了积极推进的作用。对太阳电池的实际应用起到决定性作用的是美国贝尔实验室三位科学家关于单晶硅太阳电池的研制成功,在太阳电池发展史上起到里程碑的作用。至今为止
14W。1963年Sharp公司成功生产光伏电池组件;日本在一个灯塔安装242W光伏电池阵列,在当时是世界最大的光伏电池阵列
白热化。但是,对于那些在国际光伏市场具备雄厚实力和运作经验的公司来说,危机也是最大的机遇。降低生产成本,提高光电转化效率,贺利氏成功的做到了。在刚刚结束的SNEC第六届(2012)国际太阳能光伏大会暨
的话,可以让我们的客户的成本,有进一步下调的空间。第三个新产品SOL315,是给高效的背面钝化电池专门研制的这一款浆料,主要特点就是不会烧伤任何钝化膜。这样的浆料,给高效电池提供了一个基础,用他作为
在刚刚结束的上海SNEC会议上,成功上市之后的阳光电源携最新研制的组串型光伏逆变器SG30KTL盛装亮相。向来以大中型逆变器产品为主的阳光电源,本次一改以往,重磅推出30K中型逆变器产品,似乎有点让
在刚刚结束的上海SNEC会议上,成功上市之后的阳光电源携最新研制的组串型光伏逆变器SG30KTL盛装亮相。向来以大中型逆变器产品为主的阳光电源,本次一改以往,重磅推出30K中型逆变器产品,似乎有点让
经验的公司来说,危机也是最大的机遇。降低生产成本,提高光电转化效率,贺利氏成功的做到了。在刚刚结束的SNEC第六届(2012)国际太阳能光伏大会暨(上海)展览会上,OFweek太阳能光伏网编辑与
。第三个新产品SOL315,是给高效的背面钝化电池专门研制的这一款浆料,主要特点就是不会烧伤任何钝化膜。这样的浆料,给高效电池提供了一个基础,用他作为一个焊接的材料,同时也可以用在正面作为主栅线用。在
商业化过程中有重要意义的性能里程碑。双结光伏电池的成功研制为3结IMM结构的开发开创了先机,而最终目的是开发出可以商业化的技术。2011年10月,RFMD宣布组建新的商业集团化合物半导体集团
转换效率相当高为40.8%,研究表明甚至还有进一步提升空间。RFMD一年前宣布采用公司现有的标准6英寸半导体设备生产出集成砷化镓(GaAs)和磷化镓铟(InGaP)的双结光伏电池,成功实现了IMM技术