异质结量产

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加仓SolarCity到啃咸菜 为什么?来源:东方财富网 发布时间:2014-07-07 09:02:56

以其高效组件Triex闻名业界,Triex是基于N型单晶硅片的高效晶体硅光伏电池结构,既金属-绝缘体-半导体电池的衍生物,其核心技术为复合硅基薄膜隧道异质结技术,综合了晶硅和薄膜电池各自的优点,在
转换效率、温度系数和衰减速率三大指标上,均有优异表现,能够以接近传统晶硅光伏电池/组件的成本,实现最高24%的光电转化率(莫激动,RD数据啊!),同时具备薄膜组件特有的优良温度特性。其杭州工厂生产线量产

加仓SolarCity到“啃咸菜” 为什么?来源: 发布时间:2014-07-05 08:47:59

闻名业界,Triex是基于N型单晶硅片的高效晶体硅光伏电池结构,既金属-绝缘体-半导体电池的衍生物,其核心技术为复合硅基薄膜隧道异质结技术,综合了晶硅和薄膜电池各自的优点,在转换效率、温度系数和衰减
速率三大指标上,均有优异表现,能够以接近传统晶硅光伏电池/组件的成本,实现最高24%的光电转化率(莫激动,RD数据啊!),同时具备薄膜组件特有的优良温度特性。其杭州工厂生产线量产转换效率已达21%(当然

光伏产业系列分析之八:工艺创新来源:新浪博客 发布时间:2014-06-25 09:03:01

公司在N型电池的技术上加上了背面接触技术(IBC)实现了量产量产的平均转换效率达到了23.6%。日本三洋公司则采用非晶硅异质结钝化N型硅片的两面,即HIT工艺,并进行量产,实验室效率达到了24.7

我国光伏产业系列分析之八:工艺创新来源:世纪新能源网 发布时间:2014-06-24 23:59:59

转换效率达到了23.6%。日本三洋公司则采用非晶硅异质结钝化N型硅片的两面,即HIT工艺,并进行量产,实验室效率达到了24.7%,量产的平均效率达到了22%。(二)现有常规光伏电池的新技术目前,主要的

Solarcity大笔收购落锤 光伏市场掀起高效电池热来源:Solarzoom 发布时间:2014-06-19 08:01:58

到,赛昂电力的核心技术名为复合硅基薄膜隧道异质结技术,该技术不同于常规太阳能电池,其综合了晶硅和薄膜电池各自的优点,在转换效率、温度系数和衰减速率三大指标上,均有优异表现。目前赛昂杭州工厂生产线量产
单晶电池,博秀组件每瓦成本较普通P型单晶成本高一点,但不太大,电站系统端则具备更高的性价比,可以实现更低的每度电发电成本。 与赛昂的异质结电池效率接近,晶澳博秀电池量产平均转换效率已达到20.4%, 实验室转换效率达到21%。(文/涉江)

晶硅电池正面电极——从多主栅到无主栅来源:PV-Tech 发布时间:2014-06-13 23:59:59

当初京瓷那样减小栅线的宽度。但细栅的宽度受制于网印的工艺,而主栅又因为还肩负着连接焊带的责任而无法太细,太细的主栅将造成焊接的困难,无法保证焊接拉力。这也是我们现在并没有看到太多的量产的多主栅类型的
:Meyer Burger SmartWire线膜布设机2011年,Day4 Energy将更名为DNA技术的电池连技术成功应用于Roth & Rau的异质结电池,并取得了19.3%的组件效率。同年总部

晶体硅太阳能电池转换效率 松下时隔15年刷新最高值来源:日经BP社 发布时间:2014-05-13 12:00:39

不同于以往的结构实现松下通过在异质结上组合使用背接触的结构,而非量产中采用的异质结,实现了25.6%的单元转换效率。(图由《日经电子》根据松下的资料制作)注2)但开路电压下降。松下正在分析原因。可能是

晶体硅太阳能电池转换效率,松下时隔15年刷新最高值来源:日经BP社 发布时间:2014-05-13 09:30:43

,通过背接触结构增加电流的手法为实现25.6%的转换效率做出了贡献。 图2:以不同于以往的结构实现 松下通过在异质结上组合使用背接触的结构,而非量产中采用的异质结,实现了25.6%的单元

追赶松下 夏普晶硅太阳能电池效率达到25.1%来源:energytrend 发布时间:2014-04-29 14:43:20

新南威尔士大学(University of New South Wales,UNSW)创下的25.0%一直未被超越。现在,松下和夏普均已超过25%。但夏普和松下尚未明确这种高效电池的量产时间
。 与松下一样,夏普采用的电池单元也组合使用了在硅基板上形成非晶硅层的异质结以及只在背面形成电极的背接触结构。在通过非晶硅层的作用来抑制硅基板表面载流子复合的同时,去掉了受光面的电极,增加了入射到单元的

夏普晶硅太阳能电池效率提至25.1% 仅次于松下来源:日经BP社 发布时间:2014-04-29 10:40:14

单元的量产时间。夏普已经将背接触结构应用到产品中。在背接触结构中组合使用异质结的研究成果是在2012年12月日本国内展会上首次公开的。当时的单元转换效率为21.7%。2013年2月提高至22.3
硅基板上形成非晶硅层的异质结以及只在背面形成电极的背接触结构。在通过非晶硅层的作用来抑制硅基板表面载流子复合的同时,去掉了受光面的电极,增加了入射到单元的光线。另外,截至目前,夏普和松下都未明确该构造