异质结硅片

)、铜铟镓硒(CIGS)以及非晶硅和先进的高性能硅片太阳能电池技术，如异质结太阳电池。 该团队正在着眼于降低或消除目前用于TCO开发的许多稀缺、有毒及昂贵的材料的使用。 SERIS

阳能电池为核心的光伏产业链，力争到2015年全市光伏产业产值达到1000亿元目标。 发展重点：依托南京光伏产业发展优势，重点在光伏生产装备、硅片、太阳能电池与组件、配套产品、系统集成等环节打造光伏产业链
。 光伏生产装备：重点发展太阳能光伏电池清洗、刻蚀、扩散、涂膜、丝网印刷、分检等关键设备等产业。 硅片：重点发展大面积超薄硅片和浆料回收利用技术，加强对熔铸、剖锭及切割等关键技术的创新

水平。 我们熟知的晶硅电池分为单晶和多晶，区别在于所用硅片。单晶硅片由多晶硅原料经拉晶炉拉成单晶棒后再切片制成，多晶硅片是由多晶硅料经铸锭炉铸成多晶硅锭后再切片制成。由于多晶硅电池的制作工艺与单晶硅电池

（约合1.0173亿美元）。然而，梅耶博格公司对于2013年下半年和2014年的市场形势颇为乐观，该公司预计客户将投资新的硅片、电池片及组件生产流水线。实际上，自2013年7月1日以来的六个星期，新增
4.2836亿美元）的净销售额目标。然而，正如上文所言，2013年下半年将有一个更好的开端。按照目前的项目方案，梅耶博格公司预计新增订单量将会较去年有所上涨。此外，异质结技术也有望签署另外的合约，全新的

利用200微米左右厚的硅片制成的太阳能电池。硅是地壳上最丰富的元素半导体，它的能隙宽度为1.12 eV。从能量转换效率来看，能隙为1.1eV～2.0 eV的半导体材料较适于制作太阳能电池。因此硅是一种
高效率太阳能电池结构是：交指式背接触(IBC)太阳能电池，非晶Si/N-Si异质结(HIT)太阳能电池，普通电池结构PANDA太阳能电池。 1.交指式背接触的太阳能电池

利用200微米左右厚的硅片制成的太阳能电池。硅是地壳上最丰富的元素半导体，它的能隙宽度为1.12 eV。从能量转换效率来看，能隙为1.1eV～2.0 eV的半导体材料较适于制作太阳能电池。因此硅是一种
密切相关，同时太阳能电池的结构也决定着电池的制造成本。目前研发的高效率晶体硅Si太阳能电池的种类较多，有代表性的三种高效率太阳能电池结构是：交指式背接触(IBC)太阳能电池，非晶Si/N-Si异质结

yingle、Shen yanlong、Chen jianhui、Yu bo、Tian shuquan、Xiong jingfeng，Yingli Solar大部分太阳能电池的生产目前是基于晶硅片，采用
目标，只要对现在的硅片和电池生产工艺做不大的修改即可。使用n型材料比使用p型材料有一些优点，这也将在本文第一节中谈到。目前，通过ECN、英利太阳能和Amtech Tempress的合作，高效工业化n型H

技术以杜邦旗下先进的选择刑法审计技术为基础，结合了金属穿孔卷绕（MWT）技术。阿特斯同时还将注意力放在了N型异质结薄膜和发射极穿孔（EWT）技术、以及其他单晶硅硅片高效电池设计工艺之上。 　　尽管
目前的主要目标则是将单晶硅电池效率提高至21%，将多晶硅电池效率提高至17.5%-18.5%。尽管由于长期存在的工艺成本问题，导致冥王星技术实际的开发速度远没有预期的迅速，尚德电力仍能将两种硅片类型的

心思来推广其ELPS电池技术，这一技术以杜邦旗下先进的选择刑法审计技术为基础，结合了金属穿孔卷绕（MWT）技术。阿特斯同时还将注意力放在了N型异质结薄膜和发射极穿孔（EWT）技术、以及其他单晶硅硅片高效电池
效率提高至21%，将多晶硅电池效率提高至17.5%-18.5%。尽管由于长期存在的工艺成本问题，导致冥王星技术实际的开发速度远没有预期的迅速，尚德电力仍能将两种硅片类型的转换率年均提高0.5%。值得指出的

瑞士法郎。然而，该公司指出，结算前制订了2013年新条款，约为1150万瑞士法郎。NPDSolarbuzz副总裁芬利-科尔维（FinlayColville）表示：光伏硅锭或硅片领域其他重要的制造商，最显著的
是应用材料（AppliedMaterials）、极特先进科技公司（GTAT）和Komatsu，已经制定战略决议，暂时放弃光伏硅锭或硅片营销效能，承认硅锭或硅片部门可能还持续低迷一点时间。这些公司有豪华