异质结硅片

20.5%和19.1%。在一带一路建设引领下，多家企业在境外设厂，遍布世界20多个国家，境外已建成的产能超过5GW，生产布局全球化趋势明显。2016年，我国硅片、电池片和组件产品出口额约为138.4亿美元
国光伏产业高端产能尚无法满足国内市场需求，关键工艺技术与国外领先水平相比仍存在差距，尤其在核心光伏装备领域，新型薄膜、异质结等技术路线发展缓慢，基础创新能力也亟待提升。工信部电子信息司相关负责人说，还有

多晶电池平均转换效率达20.5%和19.1%。在一带一路建设引领下，多家企业在境外设厂，遍布世界20多个国家，境外已建成的产能超过5GW，生产布局全球化趋势明显。2016年，我国硅片、电池片和组件产品
带来的负面影响。但我国光伏产业高端产能尚无法满足国内市场需求，关键工艺技术与国外领先水平相比仍存在差距，尤其在核心光伏装备领域，新型薄膜、异质结等技术路线发展缓慢，基础创新能力也亟待提升。工信部

早日实现。 近两年来，通过技术创新，光伏组件生产成本得到进一步下降。统计数据显示，2016年，在多晶硅方面，部分企业成本已降至70元/千克以下;硅片方面，每片加工成本降至1.4元以下;电池片方面，部分
进步的一个非常重要的手段。该计划尤其将会继续催化PERC、黑硅等领先技术的进步，推动N型双面、异质结、半片等超高效电池技术发展和自清洁等新材料的规模化应用。另外，智能制造将加速生产自动化、数字化、网络化

会面临一定的困境。过度的供过于求可能使市场再现价格失序风暴，不仅组件价格整年跌幅将超过10%，中上游多晶硅、硅片、电池片价格低点都可能再创新低，因此，为迎战2017年产业低谷，各大光伏企业无不把降本列为
效技术的竞逐中，异质结双面电池技术(HJT)成为降本增效的一大潜在解决方案。据悉，HJT技术拥有高达21%以上的单面发电效率、首年0.5%逐年0.4%的超低衰减、超低的功率温度系数、更好的弱光发电性能

会面临一定的困境。过度的供过于求可能使市场再现价格失序风暴，不仅组件价格整年跌幅将超过10%，中上游多晶硅、硅片、电池片价格低点都可能再创新低，因此，为迎战2017年产业低谷，各大光伏企业无不把降本列为
，异质结双面电池技术（HJT）成为降本增效的一大潜在解决方案。据悉，HJT技术拥有高达21%以上的单面发电效率、首年0.5%逐年0.4%的超低衰减、超低的功率温度系数、更好的弱光发电性能以及双面发电带来

%~20.8%。PERTN型单晶电池、PERC+黑硅多晶电池、异质结N型单晶技术路线均在逐步形成量产过程中。硅片工艺与晶硅电池技术的进步正如两把利器为光伏实现平价上网扫清道路。隆基绿能
见识了技术先导带动生产力大幅提升的例证。以企业获得成长映射出行业良性发展轨迹，光伏取得的成绩远不止于此。2016年，光伏发电年新增装机容量达到3454万千瓦，全行业全年从硅料到硅片，电池再到组件全线产量

杂质源（硼或磷源），一般可以通过化学气相沉积的方法来形成掺杂的掩膜层。这样在后续就只需要经过高温将杂质源扩散到硅片内部即可，从而节省一步高温过程。而且，也可在电池背面印刷一层含硼的叉指状扩散掩蔽层
扩散死层。通过掩膜可以形成选择性的离子注入掺杂。离子注入后，需要进行一步高温退火过程来将杂质激活并推进到硅片内部，同时修复由于高能离子注入所引起的硅片表面晶格损伤。所以，离子注入技术的量产化导入的

朝阳产业，也是我国战略性新兴产业的重要组成部分。近年来，我国光伏产业充分利用自身技术基础和产业配套优势快速发展，逐步取得国际竞争优势并不断巩固，目前已形成了从高纯硅材料、硅锭/硅棒/硅片、电池片/组件
。硅片方面，全球产能约84GW，产量约为60.3GW，同比增长20.6%，我国硅片产能约64.3GW，产量约为48GW，占世界总产量的79.6%。电池片方面，全球产能约为79.2GW，产量约为62.1GW

%，整体运行状况良好。一是产业规模持续扩大。2016年多晶硅产量19.4万吨，同比增长17.5%；硅片产量约63GW（吉瓦，下同），同比增长31.2%，光伏电池产量约为49GW，同比增长19.5
。六是走出去步伐加快。在一带一路战略指引下，多家企业在境外设厂，已遍布全世界20多个国家，境外已建成的产能超过5GW，生产布局全球化趋势明显。2016年，我国硅片、电池片和组件产品出口额约为138.4