封装玻璃
太阳光，在350nm以内的紫外区域入射光全部被封装材料玻璃、EVA等吸收，从而导致可以产生光生电流的光子数目减少。单晶组件损失的光电流比多晶组件多，与多晶电池相比，单晶电池在紫外线区域较为出色的光谱响应被
成组件的时候不止存在光学损失，同时也存在光学增益，在光照射在电池、焊带或者背板上时，由于组件玻璃对光线的反射，会有光线再次照射在电池上，增加组件的对光线的吸收利用。
多晶量子效率本身偏低，所以经过封装以后
单晶和多晶电池片光谱效应QE的差异。电池片封装成组件后的QE曲线可以发现在420nm处开始吸收太阳光，在350nm以内的紫外区域入射光全部被封装材料玻璃、EVA等吸收，从而导致可以产生光生电流的光子数目
多晶电池片光谱效应QE的差异。 电池片封装成组件后的QE曲线可以发现在420nm处开始吸收太阳光，在350nm以内的紫外区域入射光全部被封装材料玻璃、EVA等吸收，从而导致可以产生光生电流的光子数目减少
，主要受电池类型(单晶、多晶)和电池的生产工艺影响;
2)封装材料老化造成的衰减，衰减速度与光伏组件的生产工艺和封装材料，组件应用地环境成正相关。其中常见开裂，外观变黄，风沙磨损，热斑，组件老化都可以
加速组件功率衰减。
3)PID电势能诱导衰减。这种衰减存在于组件内部电路和其接地金属边框之间的高电压会造成组件的功率衰减，还与玻璃、背板、EVA、温度、湿度和电压有关。
2衰减率测试数据
单晶和
长期应用中出现的、缓慢的衰减，可分为两类：1）电池本身老化造成的衰减，主要受电池类型（单晶、多晶）和电池的生产工艺影响；2）封装材料老化造成的衰减，衰减速度与光伏组件的生产工艺和封装材料，组件应用地环境
成正相关。其中常见开裂，外观变黄，风沙磨损，热斑，组件老化都可以加速组件功率衰减。3）PID电势能诱导衰减。这种衰减存在于组件内部电路和其接地金属边框之间的高电压会造成组件的功率衰减，还与玻璃、背板
背板和树脂封装材料劣化，电池单元以外周附近为起点剥落，导致保护玻璃与封装材料或者封装材料与电池单元之间发生剥离的现象。剥离会造成光透射率降低，从而导致电池单元输出功率降低。当判明发生了这类故障，造成
反射基本发生在玻璃表面，玻璃反射率约4%，这样单晶电池片原本在反射率上的优势就被牺牲掉了。这也是为什么多晶的封装损失可能甚至出现负值，是因为多晶电池被封装以后，电池表面反射率大幅下降，电池实际接受到的
恢复。此外，PID状况还可通过使用抗PID的密封产品，如Enlight聚丙烯封装膜、离子交联聚合物膜、化学强化玻璃等，在组件层级进行减缓。多家组件制造商均宣称已研发出不受PID影响的组件，均已使用抗
，接地系统电源和逆变器类型可在极大程度上影响系统产生PID状况的难易程度。组件层级组件设计、所使用的玻璃和背板材料也可能会增加PID的易受性。在过去五年期间，很多机构，如Solon SE和PI
板完全报废，而是指当它的光电转化率降低到80%左右需要的时间。非晶硅电池的寿命根据其制作工艺差距比较大，一般来说的钢化玻璃层压封装寿命为25年，PET层压封装的寿命为5-8年，滴胶封装的太阳能电池板寿命
；但当电池封装成为组件以后，组件的反射基本发生在玻璃表面，玻璃反射率约4%，这样单晶电池片原本在反射率上的优势就被牺牲掉了。这也是为什么多晶的封装损失可能甚至出现负值，是因为多晶电池被封装以后，电池
