导电

功能层中，只有导电玻璃需要用到真空方法，而且是非常成熟的溅射方法;缓冲层和活性层都可以通过液相法制备，全程的温度最高不超过 200℃，能耗非常低。值得一提的是，钙钛矿活性材料本身不仅成本低廉，而且

及不同掺杂类型的非晶硅薄膜，并采用双面透明导电薄膜做电流收集层，从而形成高效光伏电池。区别于常见的丝网印刷银栅线的硅异质结电池，C-HJT电池的特点在于其采用金属沉积的方式制备铜栅线，使栅线具有更加优化的高宽比，提高了短路电流，提升了电池的转换效率，同时铜栅线在材料导电性及成本上也更具有优势。

导电性的LiGaSiO(a)和氧化物离子导体Ca12A114033(b和c)的阻抗数据 阻抗响应也可以反映陶瓷内部导电物质的特性，即通过离子还是电子导电。LiGaSiO(图2a)的阻抗数据为无低频

非晶硅薄膜，N型非晶硅薄膜，背面依次沉积本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜，掺杂非晶硅薄膜两侧分别沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)，在TCO两侧顶层形成金属电机。 预计2023年HJT电池片成本接近

定的量产。RPD5500A还结合新一代的靶材技术和工艺，载子迁移率已经超过150，带来更高的效率增益、更低的电子共振吸收、更好的长波透光率、更优的导电性，从而缓解HJT电池的低温银浆消耗量大的痛点

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市场化机制，提升天然气调峰能力。完善电价、气价政策，引导电力、天然气用户自主参与调峰、错峰，提升需求侧响应能力。健全电力和天然气负荷可中断、可调节管理体系，挖掘需求侧潜力。 (四)支持农村及贫困地区

，成为中国光伏装备第一股。 捷佳伟创系业内较早开始开发HJT整线设备的厂商。HJT电池制备的第三道核心工序是制作透明导电膜，行业内主要采用 PVD(磁控溅射)和 RPD(反应 等离子体沉积法)两种方式
核心工艺设备。捷佳伟创的RPD设备具备透光导电膜设备设计独特，相对传统的PVD设备具有表面损伤少、载子迁移速度高等技术优势，对于HJT电池转换效率的提升具有较大的贡献。RPD设备应用广泛，除应用于

ISE的说法，强脉冲光(IPL)过程的辐射能量不仅被晶圆吸收，而且也被金属化本身吸收。金属触点吸收的这部分能量会导致手指电阻显著降低，同时报告指出，这种降低也会导致触点横向导电率的增加

宽度，增加栅线数量，可降低银耗;现在最低耗量128mg，功率比9BB高7-8W;尽可能利用铜线来导电。细栅线对定位要求很高，迈为采用机械+真空定位，设备对准精度达到0.05mm。 HJT战略第四步