半导体,经由蚀刻(etching)将n型边缘除去,才能彰显出p-n二极管的结构,接着经过电浆镀膜(SiN-coating)、金属镀膜(Metallization)等方式在晶圆上印出导电电极,再经烧结炉
)制程设备在玻璃基板镀上透明导电膜(TCO coating),进行雷射切割(Laser Scribing)分割玻璃上的TCO膜,接着形成金属膜(Coating Absorber),再进行雷射切割,接着
备CdS薄膜,其方法主要是将含有3和Cd的化合物水溶液,用喷涂设备喷涂到玻璃或具有SnO2导电膜的玻璃及其它材料的衬底上,经热分解沉积成CdS薄膜。
各国不同学者采用的工艺都基于如下热分解效应
Dow-Redfiled效应引起的。
2.3 CulnSe2材料的电学性质
CulnSe2材料的电学性质(电阻率、导电类型、载流子浓度、迁移率)主要取决于材料的元素组份比,以及由于偏离化学计量比而引起的固有
一、太阳能电池原理:
太阳能电池与一般的电池不同。太阳能电池与一般的电池不同。 太阳能电池是将太阳能转换成电能的装置,且不需要透过电解质来传递导电离子,而是改采半导体产生 PN 结来获得电位
。太阳能电池是将太阳能转换成电能的装置,且不需要透过电解质来传递导电离子,而是改采半导体产生PN结来获得电位。
当半导体受到太阳光的照射时,大量的自由电子伴随而生,而此电子的移动又产生了电流