太阳能CIGS组件

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张赛娥:料港股短期整固 看好光伏行业来源:南华金融 发布时间:2013-09-26 11:44:10

) 主要业务包括制造硅基薄膜太阳能光伏组件之生产设备及整套生产线。近日集团计划启动100MW青海太阳能地面电站及20MW新疆太阳能地面电站,为集团首2个在内地启动的下游太阳能项目。 集团长期供应价格

龙焱能源:请保护和支持中国薄膜光伏产业来源:北极星太阳能光伏网 发布时间:2013-09-25 13:22:22

碲化镉薄膜组件的光伏企业,龙焱公司深表支持,并在认真学习和研究的基础上,认为《条件》对薄膜光伏企业的一些要求和规定,可能会影响薄膜光伏行业的健康发展。对此,龙焱公司提出以下几点看法和建议: 一
、《条件》的出台是为了加速我国光伏产业整合进程,促进过大而缺少竞争力的产能退出市场。2012年我国晶硅组件出货量为23GW,而薄膜组件实际出货量只有400MW,仅占总出货量的2%。也就是说,薄膜电池在

请保护和支持中国薄膜光伏产业来源: 发布时间:2013-09-25 11:39:25

家能规模生产碲化镉薄膜组件的光伏企业,龙焱公司深表支持,并在认真学习和研究的基础上,认为《条件》对薄膜光伏企业的一些要求和规定,可能会影响薄膜光伏行业的健康发展。对此,龙焱公司提出以下几点看法和建议
:一、《条件》的出台是为了加速我国光伏产业整合进程,促进过大而缺少竞争力的产能退出市场。2012年我国晶硅组件出货量为23GW,而薄膜组件实际出货量只有400MW,仅占总出货量的2%。也就是说,薄膜电池

吴选之:保护和支持中国薄膜光伏产业来源:中国能源报 发布时间:2013-09-24 23:59:59

家能规模生产碲化镉薄膜组件的光伏企业,龙焱公司深表支持,并在认真学习和研究的基础上,认为《条件》对薄膜光伏企业的一些要求和规定,可能会影响薄膜光伏行业的健康发展。对此,龙焱公司提出以下几点看法和建议
:一、 《条件》的出台是为了加速我国光伏产业整合进程,促进过大而缺少竞争力的产能退出市场。2012年我国晶硅组件出货量为23GW,而薄膜组件实际出货量只有400MW,仅占总出货量的2%。也就是说

汉能附属购母公司薄膜太阳能技术来源: 发布时间:2013-09-22 08:48:59

和制造CIGS薄膜太阳能组件的技术和非技术信息、33项注签专利、125项注签专利申请、就注签专利申请可能发出之专利、在生效日期或之后就任何上述各项可能重新发出的专利,以及该等知识产权任何其后的发展和
据报道,汉能太阳能9月18日公布,旗下附属同意向汉能控股收购MiaSol之CIGS薄膜太阳能技术之全部知识产权,作价为3.5亿元人民币(约4.45亿港元)。该公司表示,获转让知识产权包括任何有关开发

汉能太阳能3.5亿人币购母企薄膜太阳能技术来源:阿思达克财经网 发布时间:2013-09-20 21:08:34

不同的CIGS薄膜太阳能技术,包括CIGS柔性薄膜技术,对集团而言至关重要,集团可透过收购,利用MiaSole的技术开发新一代高效能CIGS柔性薄膜组件以迎合市场需求。对CIGS技术的正面评价、以及政府透过上网电价和补贴等利好政策作为强烈支持,集团已准备好随时把握快速增长的柔性薄膜太阳能市场。

工信部发布《光伏制造行业规范条件》来源:中国证券网 发布时间:2013-09-17 14:47:33

%; 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于 14.5%和 15.5%; 5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于

20130917国家工信部-光伏制造业行业规范条件来源: 发布时间:2013-09-17 10:35:51

单晶硅电池的光电转换效率分别不低 于 16%和 17%; 4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率 分别不低于 14.5%和 15.5%; 5.硅基、铜铟镓硒( CIGS) 、碲化镉

光伏制造行业规范条件来源:工业和信息化部 发布时间:2013-09-16 23:59:59

%和15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。(五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求:1.多晶硅满足
CIGS、CdTe 及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。(六)多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2 年内分别不高于3.2%和4.2%,25 年内不高于20

工信部《光伏制造行业规范条件》来源: 发布时间:2013-09-16 16:45:34

能不低于 200MWp; 7.薄膜电池组件年产能不低于 50MWp。 (四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1 级品 的要求; 2.
硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄 膜电池组件的光电转换效率分别不低于 8%、10%、11%、10%。 (五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《硅多晶