太阳能料源

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光伏企业动态每日速览(第十一期)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-06-26 08:45:59

日本多晶硅大厂 M.Setek,与美国太阳能大厂 SunPower 合资 AUO SunPower 太阳能电池厂,其高效率的与电池使得 BenQ 太阳能的组件达到极大化的转换效率,而完整的垂直整合太阳能价值链,更能提供客户世界级的一流产品与技术。

BenQ 太阳能获日本 JET 认证来源: 发布时间:2012-06-25 16:51:59

SunPower 合资 AUO SunPower 太阳能电池厂,其高效率的与电池使得 BenQ 太阳能的组件达到极大化的转换效率,而完整的垂直整合太阳能价值链,更能提供客户世界级的一流产品与技术

获日本 JET 认证  BenQ 太阳能整合资源积极布局日本市场来源:Solarbe 发布时间:2012-06-25 14:40:52

SunPower 太阳能电池厂,其高效率的与电池使得 BenQ 太阳能的组件达到极大化的转换效率,而完整的「垂直整合太阳能价值链」,更能提供客户世界级的一流产品与技术

冲动的惩罚:大跃进之后的悲剧赛维来源: 发布时间:2012-06-25 08:44:59

,便创造了中国企业赴美IPO融资额纪录,公司创始人彭小峰也以400亿元身家超越尚德的施正荣,成为中国能源业首富。此后3年,赛维更是一跃成为世界上产能最大的太阳能硅片生产商,并不断向光伏产业上下游拓展
。上至上游的硅料硅片,下至下游的系统安装,以及中间环节的电池及组件,赛维的触角触及光伏领域几乎每个端口。一个垂直一体化的光伏帝国正在冉冉升起。赛维LDK新余总部数年间,赛维先后在南昌、合肥、苏州等地

获日本JET认证 BenQ太阳能整合资源积极布局日本市场来源: 发布时间:2012-06-24 23:59:59

SunPower太阳能电池厂,其高效率的与电池使得BenQ 太阳能的组件达到极大化的转换效率,而完整的「垂直整合太阳能价值链」,更能提供客户世界级的一流产品与技术。BenQ太阳能目前已成功于欧、亚、非洲等

检讨“光伏跃进”之企业样本:生死赛维来源:每日经济新闻 发布时间:2012-06-22 17:56:32

业首富。   此后3年,赛维更是一跃成为世界上产能最大的太阳能硅片生产商,并不断向光伏产业上下游拓展。上至上游的硅料硅片,下至下游的系统安装,以及中间环节的电池及组件,赛维的触角触及光伏领域几乎每个
端口。一个垂直一体化的光伏帝国正在冉冉升起。   数年间,赛维先后在南昌、合肥、苏州等地投资建设多晶硅电池及组件,2011年12月,又在内蒙古投资100亿元建多晶硅料基地。   好花不常开

检讨“光伏跃进“之企业样本——生死赛维来源:每日经济 发布时间:2012-06-21 23:59:59

中国能源业首富。此后3年,赛维更是一跃成为世界上产能最大的太阳能硅片生产商,并不断向光伏产业上下游拓展。上至上游的硅料硅片,下至下游的系统安装,以及中间环节的电池及组件,赛维的触角触及光伏领域几乎每个端口
。一个垂直一体化的光伏帝国正在冉冉升起。数年间,赛维先后在南昌、合肥、苏州等地投资建设多晶硅电池及组件,2011年12月,又在内蒙古投资100亿元建多晶硅料基地。好花不常开,好景不长在。赛维此前的

台湾旭泓推出量产级20.2%高效率单晶电池CELCO来源:世纪新能源网 发布时间:2012-06-20 23:59:59

。 许桂章表示,目前旭泓产能为350MW,目前CELCO的产能约为70MW,未来希望可以全数转至生产CELCO,而旭泓的矽晶圆,除了中美晶之外,其它则来自于日本、韩国、中国等矽晶圆厂。 旭泓目前
索比光伏网讯:台湾旭泓昨20日召开新产品及技术联合发表会,旭泓此次推出的是全球可量产的最高转换效率P Type单晶电池CELCO,转换效率高达20.2%,旭泓董事长许桂章表示,旭泓的单晶太阳能

宏伟太阳能计划——美国如何解决世界能源危机来源:科学人 发布时间:2012-06-06 23:59:59

,分布在研究制造太阳能组件的单位,这些空缺远多于失业量大的矿物燃 料工业。大量减少进口石油每年将能减少3千亿美元支出,假设原油价格每桶60美元(平均价格将较现在高)。虽然一旦太阳能发电站架设了就需要维护和

太阳能光伏丝网印刷设备来源: 发布时间:2012-05-25 13:25:44

的结构和主要技术特点图7.3为全自动丝网印刷设备示意图。太阳能印刷线是针对硅太阳电池生产线新研制的集自动上料,自动印刷,自动传输,自动烘干和自动传输的流水线式印刷烘干系统(如图7.4)。其主要技术特点
索比光伏网讯:丝网印刷是太阳能电池制造的重要工艺,它质量的好坏会对太阳能电池的性能特别是电性能产生重要影响。在太阳能电池的一般生产工艺中,经过扩散制结,等离子刻蚀去周边和PECVD制减反膜,下一工艺