大尺寸单晶硅

近日，国家863计划项目超大规模集成电路配套材料重大专项中的TDR－150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）项目在北京正式通过科技部的验收，这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸
集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。 单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在

的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。 　　目前国内主要采用CZ法 　　CZ法
　　单晶硅棒品质规格： 单晶硅棒的主要技术参数 型号 P型或A型 晶向 111100 电阻率

光电他的报道出现于1941年。贝尔实验室Chapin等人1954年开发出效率为6％的单晶硅光电池，现代硅太阳电池时代从此开始。硅太阳电他于1958年首先在航天器上得到应用。在随后10多年里，硅太阳电池在
，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti／Pd金属化电极和减反射膜等。后来的高效电池是在这些早期实验和理论基础上的发展起来的。1．2．1单晶硅高效电池

近日，国家863计划项目超大规模集成电路配套材料重大专项中的TDR－150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）项目在北京正式通过科技部的验收，这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸
集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。 　　单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在