多结电池
应用市场，占据了全球新增装机容量的70%以上。2009年德国占据了全球一半以上的装机量。原因是出于对上网电价在2010 年可能降低的担心，投资者急于在此之前完成电站的安装。 在制造方面，生产的光伏电池
瓦数要比新增装机容量高40%（分别为9.3GW和7.3GW）。 目前中国制造占据了光伏产能的主导地位，2009年度共计制造了全球32%的电池。中国大陆和台湾地区共计占据了全球供应总量的45%。欧洲的
概要 天合光能位于江苏省常州市，1997年12月作为系统工程公司开始运营。目前作为一家垂直统合型太阳能电池厂商，涉足单结晶硅及多结晶硅电池单元到模块的制造业务。2006年12月在纽约股市
硅用量为6.0g/W （5）转换效率在单结晶硅方面为17.3％，在多结晶硅方面为16.2％ （6）使用市售设备，但已通过自主造与其他公司形成差异。并持有相关专利。 （7）在质量管理上，材料、晶圆、电池
IQE而言是一个重要里程碑。IQE作为一家国际领先的砷化镓晶片外包制造商拥有丰富的经验，这提高了我们生产高性能砷化镓与锗基底多结太阳能电池的能力，无论是性能、均匀度还是产量，都比4英寸晶片工艺大大提高
先进半导体外延片产品及服务全球供应商IQE集团开发出高效三结聚光型太阳能电池外延生产工艺，采用直径6英寸(150毫米) 的锗基底与砷化镓基底进行生产，均获得令人满意的结果。集团在过去的两年间携手一些
成功研制对IQE而言是一个重要里程碑。IQE作为一家国际领先的砷化镓晶片外包制造商拥有丰富的经验，这提高了我们生产高性能砷化镓与锗基底多结太阳能电池的能力，无论是性能、均匀度还是产量，都比4英寸晶片工艺
先进半导体外延片产品及服务全球供应商—IQE集团开发出高效三结聚光型太阳能电池外延生产工艺，采用直径6英寸(150毫米) 的锗基底与砷化镓基底进行生产，均获得令人满意的结果。
集团在过去的两年
充满信心。 ●2009年，全球太阳能电池产量达到10.5GW，增长32％。太阳能发电的设置量为6.5GW，增长18％。中国太阳能电池产量达到4GW，增长50％，多结晶硅材料的产量达到2万吨，增长225
认为已经超过了全球份额的40％。 多结晶Si产量还将扩大 随着2008年Si价格的急剧下跌，以往一直处于可随意涉足的太阳能电池用多结晶Si生产的无序状态，也逐步有了限制。其结果是，在Si价格趋于平稳的
公布，但从中国的产量超过4GW来看，很多观点都认为“已经超过了全球份额的40％”。 多结晶Si产量还将扩大 随着2008年Si价格的急剧下跌，以往一直处于可随意涉足的太阳能电池用多结晶Si
转向高效的HCPV系统发电 (第三代聚光太阳能)。与前两代电池相比，CPV采用多结的III-V族化合物电池，具有大光谱吸收、高转换效率(HCPV系统转换效率可达25%，远高于目前晶硅电池17%左右的
）等大带隙的透明化合物半导体中添加锰（Mn）等“3d过渡金属”实现的。由此，无需制做多结型电池单元，而直接单纯接合即可开发出转换效率非常高的太阳能电池。虽然目前转移效率还比较低，但开路电压非常高
。但在这种情况下，为了将大范围波长的光转换成电，必须采用变化In添加率等的材料来开发多结型电池单元。而此次的研究有助于虽基于GaN但机理完全不同的太阳能电池。（记者：野泽 哲生）
美国复合半导体制造商RF Micro Devices (RFMD) 宣布，公司通过使用标准半导体晶片设备成功制造出太阳能电池，标志着6英寸砷化鎵(GaAs)基片上的III-V族多结光伏电池
量产方面获得突破。
去年RFMD开始与美国国家可再生能源实验室(NREL)合作，以NREL的电池设计知识产权为基础，开发高效能多结光伏电池的商用高产复合半导体制程。RFMD计划2012年开始
