多结太阳能电池

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张根发:高效太阳能电池的实验室效率已达到27%来源:Solarbe.com 发布时间:2010-08-13 09:16:01

、薄膜太阳能电池在汽车上的广泛应用等课题。 联孚集团以高效多结太阳能电池和碲化镉薄膜太阳能电池研究为主要突破点,并结合太阳能电池在汽车上的应用为目标的发展战略,重点研究开发高效多结太阳能电池,目前已经

采访中国太阳能电池产业的核心地带:江苏省(二)来源:日经BP社 发布时间:2010-07-12 07:56:49

概要   天合光能位于江苏省常州市,1997年12月作为系统工程公司开始运营。目前作为一家垂直统合型太阳能电池厂商,涉足单结晶硅及多结晶硅电池单元到模块的制造业务。2006年12月在纽约股市
上接本站报道: 采访中国太阳能电池产业的核心地带:江苏省(一)  本文为太阳能电池企业聚积的江苏省进行的实地采访报道的第二篇。上次介绍了笔者为了解中国太阳能电池产业的整体情况而前往南京采访江苏省

IQE集团成功开发新型6英寸CPV用途晶片来源: 发布时间:2010-05-17 10:22:59

IQE而言是一个重要里程碑。IQE作为一家国际领先的砷化镓晶片外包制造商拥有丰富的经验,这提高了我们生产高性能砷化镓与锗基底多结太阳能电池的能力,无论是性能、均匀度还是产量,都比4英寸晶片工艺大大提高
先进半导体外延片产品及服务全球供应商IQE集团开发出高效三结聚光型太阳能电池外延生产工艺,采用直径6英寸(150毫米) 的锗基底与砷化镓基底进行生产,均获得令人满意的结果。集团在过去的两年间携手一些

IQE成功开发新型6英寸CPV用途晶片来源:Pv-tech.org 发布时间:2010-05-17 09:41:33

成功研制对IQE而言是一个重要里程碑。IQE作为一家国际领先的砷化镓晶片外包制造商拥有丰富的经验,这提高了我们生产高性能砷化镓与锗基底多结太阳能电池的能力,无论是性能、均匀度还是产量,都比4英寸晶片工艺
先进半导体外延片产品及服务全球供应商—IQE集团开发出高效三结聚光型太阳能电池外延生产工艺,采用直径6英寸(150毫米) 的锗基底与砷化镓基底进行生产,均获得令人满意的结果。 集团在过去的两年

迅速扩大的中国太阳能电池产业:从业界关键人物的发言看产业实况(上)来源:日经BP社 发布时间:2010-04-21 09:35:48

充满信心。 ●2009年,全球太阳能电池产量达到10.5GW,增长32%。太阳能发电的设置量为6.5GW,增长18%。中国太阳能电池产量达到4GW,增长50%,多结晶硅材料的产量达到2万吨,增长225

从“SOLARCON China 2010”分析我国太阳能电池产业来源: 发布时间:2010-04-06 09:18:59

认为已经超过了全球份额的40%。  多结晶Si产量还将扩大 随着2008年Si价格的急剧下跌,以往一直处于可随意涉足的太阳能电池多结晶Si生产的无序状态,也逐步有了限制。其结果是,在Si价格趋于平稳的

从“SOLARCON China 2010”解读中国太阳能电池产业来源:日经BP社 发布时间:2010-04-06 09:04:43

公布,但从中国的产量超过4GW来看,很多观点都认为“已经超过了全球份额的40%”。 多结晶Si产量还将扩大   随着2008年Si价格的急剧下跌,以往一直处于可随意涉足的太阳能电池多结晶Si

优势显现 关注第三代聚光太阳能技术来源: 发布时间:2010-04-02 09:28:59

转向高效的HCPV系统发电 (第三代聚光太阳能)。与前两代电池相比,CPV采用多结的III-V族化合物电池,具有大光谱吸收、高转换效率(HCPV系统转换效率可达25%,远高于目前晶硅电池17%左右的
显示,基于三接面三五族化合物太阳能电池HCPV系统成本为每瓦3.6美元。而根据三安光电介绍,Emcore目前系统成本已为3美元/瓦,三安系统成本为2.5美元/瓦,低于目前硅基太阳能发电系统4美元/瓦的

GaN类半导体的终极太阳能电池来源:日经BP社 发布时间:2010-03-24 09:11:23

)等大带隙的透明化合物半导体中添加锰(Mn)等“3d过渡金属”实现的。由此,无需制做多结型电池单元,而直接单纯接合即可开发出转换效率非常高的太阳能电池。虽然目前转移效率还比较低,但开路电压非常高
。但在这种情况下,为了将大范围波长的光转换成电,必须采用变化In添加率等的材料来开发多结型电池单元。而此次的研究有助于虽基于GaN但机理完全不同的太阳能电池。(记者:野泽 哲生)

RFMD公司生产首个III-V太阳能电池:2012年量产成本可降低来源:Pv-tech.org 发布时间:2010-03-17 09:34:03

美国复合半导体制造商RF Micro Devices (RFMD) 宣布,公司通过使用标准半导体晶片设备成功制造出太阳能电池,标志着6英寸砷化鎵(GaAs)基片上的III-V族多结光伏电池
量产方面获得突破。 去年RFMD开始与美国国家可再生能源实验室(NREL)合作,以NREL的电池设计知识产权为基础,开发高效能多结光伏电池的商用高产复合半导体制程。RFMD计划2012年开始