多硅晶

为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走。坩埚缓慢下降，从而是硅锭离开加热区，多晶铸锭用的坩埚为石英陶瓷坩埚，在铸锭过程中引入的氧碳杂质较少，这样在光照条件下
多晶铸锭工艺生产单晶。B.采用磁控拉晶工艺或着区熔单晶工艺，减少氧含量的引入，提高单晶硅棒的品质。C.由掺硼改为掺镓，避免硼氧复合的出现。　　4、结论本文简单描述了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了

寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。 　　多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走
可以想办法改善，但对于光学损失的差异，针对单晶没有更好的解决方法。随着光伏产业的快速发展，使晶体硅太阳电池及其组件成为研究的热点，以实现太阳电池组件效益的最大化。电池封装为组件不仅可以使电池的电压、电流

有至 0.9%，但从 1 月份开始，从美国进口量 呈现连续增加的趋势，2 月份从美国进口占比回调至 9.8%。另外从台湾进口多 晶硅量连续半年维持在千吨以上，2 月份从台湾进口量在 1317 吨，占总
出口为 706 吨，环比减少 9.1%。附表: 2015 年-2016 年我国多晶硅进口情况（单位：吨、美元/千克） 数据来源：海关中国有色金属工业协会硅业分会 刘晶

、波利尼西亚政府等。LED照明业务：在2015年8月，公司完成收购硅衬底GaN LED技术的领跑者晶能光电集团59%股权，以进军LED照明业务及进一步执行为客户提供一站式清洁能源解决方案的发展战略。在2016年
1月，晶能光电全球首创硅衬底LED技术荣获国家技术发明一等奖。　　太阳能产品生产及销售业务集团面向中国及国际市场的客户制造及销售太阳能硅晶片、电池片和组件产品。截至2015年12月31日止年度

数据【单晶VS多晶】一、 材料性能对比单多晶的晶体生长工艺不同，单晶硅的晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，导致单晶硅片与多晶硅片在晶体品质、电学

对比数据 【单晶VS多晶】 一、 材料性能对比 单多晶的晶体生长工艺不同，单晶硅的晶面取向相同、无晶界，品质优异，而多晶硅的晶面取向不同、晶界繁杂、位错密布，晶格缺陷增多，导致单晶硅片与

伏主业，做大辅材产业。做强光伏主业，主要从哪些方面入手呢？产品结构方面，继续紧紧围绕晶澳市场需求，加快调整产品结构，砍掉繁杂品种，把集团产能集中在主流产品上。优化生产工艺方面，拉晶单位完善二次加料工艺
，做好多晶硅料的搭配使用，降低原料成本。切片工艺方面，继续优化金刚线切割薄片工艺，以保持世界先进水平。当前光伏制造环节的硅料、辅材耗材成本、材料单耗等成本压缩渠道逐渐接近极限，那么，晶龙产业链条终端

表示，团队开发的钙钛矿太阳能电池材料成本大幅降低，只要约单硅晶电池的1%，在实验室的产电效率可达20%，约为单硅晶电池的8成，最重要的是除了强光外，还能在一般室内光照（弱光）下产电，同样光源可以用

能电池，吴春桂表示，团队开发的钙钛矿太阳能电池材料成本大幅降低，只要约单硅晶电池的1%，在实验室的產电效率可达20%，约为单硅晶电池的8成，最重要的是除了强光外，还能在一般室内光照（弱光）下產电，同样