多硅晶
索比光伏网讯:c-Si晶体硅和HIT组件基本上随时间稳定持续衰减。碲化镉CdTe组件具有1-4个月的随温度影响的亚稳态波动，然后稳定持续衰减。铜锌锡硫CIGS组件具有1-12个月无规律的亚稳态波动
，然后稳定持续衰减。非晶薄膜a-Si组件具有年度周期性的光致衰减，加上稳定的持续衰减。为什么稳定性问题极其重要?历史已经翻开了新的一页，和火电比较，光伏发电的度电成本已经更低;现在的焦点是，在成本
c-Si晶体硅和HIT组件基本上随时间稳定持续衰减。
碲化镉CdTe组件具有1-4个月的随温度影响的亚稳态波动，然后稳定持续衰减。
铜锌锡硫CIGS组件具有1-12个月无规律的亚稳态波动，然后
稳定持续衰减。
非晶薄膜a-Si组件具有年度周期性的光致衰减，加上稳定的持续衰减。
为什么稳定性问题极其重要?
历史已经翻开了新的一页，和火电比较，光伏发电的度电成本已经更低;现在的焦点是，在成本
检测测试仪器生产。重点引进全自动大面积等离子增强化学气相沉积（PECVD）、多槽制绒清洗设备、激光刻蚀机、干法刻蚀机、离子注入机、高精度丝网印刷机等晶硅电池片生产线设备，大面积TCO导电玻璃镀膜设备
、用于背电极制备的多靶位磁控溅射系统，以及大尺寸、超薄硅片多线切割机、自动分选机等硅片生产设备。5.抓好重点项目建设。通过采取巩固一批、拓展一批、培育一批、引进一批等措施，持续推进光伏重点项目建设，继续
光伏产品和检测测试仪器生产。重点引进全自动大面积等离子增强化学气相沉积(PECVD)、多槽制绒清洗设备、激光刻蚀机、干法刻蚀机、离子注入机、高精度丝网印刷机等晶硅电池片生产线设备，大面积TCO导电玻璃
镀膜设备、用于背电极制备的多靶位磁控溅射系统，以及大尺寸、超薄硅片多线切割机、自动分选机等硅片生产设备。
5.抓好重点项目建设。
通过采取巩固一批、拓展一批、培育一批、引进一批等措施，持续
（PECVD）、多槽制绒清洗设备、激光刻蚀机、干法刻蚀机、离子注入机、高精度丝网印刷机等晶硅电池片生产线设备，大面积TCO导电玻璃镀膜设备、用于背电极制备的多靶位磁控溅射系统，以及大尺寸、超薄硅片多
共熔温度）的链式烧结炉里进行烧结，当温度升到共晶温度577℃时，在交界面处，铝原子和硅原子相互扩散，随着时间的增加和温度的升高，硅铝熔化速度加快，最后整个界面变成铝硅熔体，在交界面处形成组成为11.3
）、多槽制绒清洗设备、激光刻蚀机、干法刻蚀机、离子注入机、高精度丝网印刷机等晶硅电池片生产线设备，大面积TCO导电玻璃镀膜设备、用于背电极制备的多靶位磁控溅射系统，以及大尺寸、超薄硅片多线切割机、自动
这种趋势背后，则是单晶产品的绝对竞争力。即使多晶应用金刚线后，也无法反转局面。具体体现在以下两个方面：
1)硅片环节——每片成本差距很小
单晶这两年的降本，并不全是靠金刚线，拉晶技术的显著升级
则是另一半重要因素，不管是投料量、成晶率、提拉速还是耗电量均大幅改善提升。
目前每公斤的拉晶非硅成本已不到50元。与铸锭非硅成本相比，每片差距0.3-0.4元左右。未来，铸锭成本已较低，下降空间有限
? 一、中国硅片产能过剩有多严重? 2018年，大部分硅片企业都会将砂浆切片切换为金刚线切片，金刚线切割改造以后，多晶硅片企业的产能立刻提升25%，同时金刚线会不断细化，出片数也会不断提高。同时，铸锭
持久可靠的收益，让光伏成为贫困户脱贫的“希望之光”。保利协鑫副总裁吕锦标：单晶、多晶硅片价差0.6元/片是分水岭保利协鑫副总裁吕锦标近日接受采访时表示，单晶、多晶竞争力差异体现在硅片端,硅片又分为长晶
