多晶硅设备

光伏产业链上游包括原料高纯度多晶硅材料的生产，单晶硅和多晶硅的制造，硅片的生产;中游包括光伏电池，光伏组件(玻璃，支架等)以及逆变电器环节;下游是光伏发电的应用端包括光伏电站和分布式发电。两头在外是
，99.9999%(小数点后4-6位)的高纯度硅料和硅片(包括单晶硅和多晶硅)的制造具有一定的垄断性，此前被美、日、欧的企业垄断，包括美国Hemlock、SunEdison、日本Tokuyama、德国

，而Perc电池片之所以猛烈下跌我认为核心原因还是Perc产业环节自身扩张速度过快，市场需求增速赶不上产能增速而导致的过剩现象。 调研电池片关键设备厂商这一点得到了明确的反馈，捷佳伟创的PECVD设备
出货量表明今年每个月平均Perc电池片新增产能达到了4~5GW，全年设备发货量预计会达到50GW的水平，这在历史上市未曾有过的装机狂热时期。 本轮Perc电池片价格下跌的影响 影响1：Perc产能

Perc电池片之所以猛烈下跌我认为核心原因还是Perc产业环节自身扩张速度过快，市场需求增速赶不上产能增速而导致的过剩现象。 调研电池片关键设备厂商这一点得到了明确的反馈，捷佳伟创的PECVD设备
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Perc电池片之所以猛烈下跌我认为核心原因还是Perc产业环节自身扩张速度过快，市场需求增速赶不上产能增速而导致的过剩现象。 调研电池片关键设备厂商这一点得到了明确的反馈，捷佳伟创的PECVD设备
出货量表明今年每个月平均Perc电池片新增产能达到了4~5GW，全年设备发货量预计会达到50GW的水平，这在历史上市未曾有过的装机狂热时期。 本轮Perc电池片价格下跌的影响 影响1：Perc产能

强调称，太阳能行业正在经历重大的技术变革，特别是向PERC(钝化发射极背面电池)的转变以及最近从多晶硅片向单晶的转移。 由于这些发展，让采用高效p型单晶PERC、双面电池、半切和叠瓦技术的组件开始了
成为p型单晶和多晶硅片的流行选择(每瓦成本更低)。由于生产成本较低，至2014年，125mm x 125mm P型硅片几乎从市场上消失了，只有一些使用了125mm x 125mm n型硅片的IBC和HJT

作主旨报告时表示，协鑫2020年底将实现全流程自动化与信息化的对接工作3.5，2023年实现光伏智能制造4.0。 金善明认为，在硅片端，持续降低的多晶硅料成本、持续降低的铸锭能耗及综合成本、金刚线切片
、核心参数建模及监控、产品良率预测等应用。阿里云系统依据大数据分析，实施不间断数据模拟和反馈，实时参与生产的异常反馈及工艺设备的不断改良，使得切片良率提升0.1%，公司每年可节省上千万的费用。 作为

旨报告时表示，协鑫2020年底将实现全流程自动化与信息化的对接工作3.5，2023年实现光伏智能制造4.0。 金善明认为，在硅片端，持续降低的多晶硅料成本、持续降低的铸锭能耗及综合成本、金刚线切片
、核心参数建模及监控、产品良率预测等应用。阿里云系统依据大数据分析，实施不间断数据模拟和反馈，实时参与生产的异常反馈及工艺设备的不断改良，使得切片良率提升0.1%，公司每年可节省上千万的费用。 作为协鑫

炉成本得到有效摊薄。当然多晶硅锭的单炉量大，规模效应相对较弱。龙头厂商通过技改扩产，实现规模效应，并且平抑市场波动，使得非硅成本持续下降。 电池片及组件工艺改进实现降本。光伏制造业技术迭代较快，而
差异主要源自硅片环节。因此，在硅片环节两技术工艺成本则基本决定了最终组件产成品的成本。而硅片行业是典型的重资产制造业，设备资本开支相对较大，而两种工艺所采购设备的截然不同，使得硅片企业一旦选择某种工艺

、激光工艺、导电浆料与金属化工艺的供应商们持续改进技术和设备，以提升设备生产能力和在线率，并降低物料和能量消耗。 与此同时，选择性发射极、多主栅和隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)等技术也正在被引入
成本的情况下实现双面发电，在系统端实现10%至25%的发电增益，极大增强了PERC技术的竞争力与未来发展潜力。 TOPCon技术通过电池背面的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层实现整面的背钝化，而且多子可以

、激光工艺、导电浆料与金属化工艺的供应商们持续改进技术和设备，以提升设备生产能力和在线率，并降低物料和能量消耗。 与此同时，选择性发射极、多主栅和隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)等技术也正在被引入
成本的情况下实现双面发电，在系统端实现10%至25%的发电增益，极大增强了PERC技术的竞争力与未来发展潜力。 TOPCon技术通过电池背面的隧穿氧化层和掺杂多晶硅层实现整面的背钝化，而且多子可以