多晶硅薄膜电池

,均为地面电站。全市太阳能光伏发电的开发应用从初始的在居民建筑上的小规模实验和示范，逐步发展到在厂区建筑物上的推广应用，以及中节能10MWp、大唐禹城1MWp光伏电站等大型并网光伏电站的规模化建设。此外，全市太阳能光伏发电电池从以单晶硅为主，逐步发展到单晶硅、多晶硅、薄膜电池的多样化应用。

扶持薄膜太阳电池技术，并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒（CIGS）光电转换效率达20.4%，碲化镉（CdTe）薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平（20.4
： 　　一、《条件》的出台是为了加速我国光伏产业整合进程，促进过大而缺少竞争力的产能退出市场。2012年我国晶硅组件出货量为23GW，而薄膜组件实际出货量只有400MW，仅占总出货量的2%。也就是说，薄膜电池

，规范产业发展秩序，加快推进光伏产业转型升级。《规范条件》对光伏制造企业按产品类型在产能方面设定了准入标准：多晶硅项目每期规模大于3000吨/年;硅锭年产能不低于1000吨;硅棒年产能不低于1000吨
;硅片年产能不低于5000万片;晶硅电池年产能不低于200MWp(兆瓦);晶硅电池组件年产能不低于200MWp;薄膜电池组件年产能不低于50MWp。《规范条件》还明确规定了对现有及新建企业及项目产品需

推进中小光伏企业合并重组，达到一定的规模。 例如，《规范条件》对光伏制造企业按产品类型在产能方面设定了准入标准：多晶硅项目每期规模大于3000吨/年；硅锭年产能不低于1000吨；硅棒年产
能不低于1000吨；硅片年产能不低于5000万片；晶硅电池年产能不低于200兆瓦；晶硅电池组件年产能不低于200兆瓦；薄膜电池组件年产能不低于50兆瓦。《规范条件》还明确规定了对现有及新建企业及项目产品需满足

。 《规范条件》对光伏制造企业按产品类型在产能方面设定了准入标准：多晶硅项目每期规模大于3000吨／年；硅锭年产能不低于1000吨；硅棒年产能不低于1000吨；硅片年产能不低于5000万片；晶硅电池年产
能不低于200MWp(兆瓦)；晶硅电池组件年产能不低于200MWp；薄膜电池组件年产能不低于50MWp。 《规范条件》还明确规定了对现有及新建企业及项目产品需满足的生产条件以及光伏制造项目能耗、水

太阳电池技术，并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒(CIGS)光电转换效率达20.4%，碲化镉(CdTe)薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平(20.4%)。而且这两种
、《条件》的出台是为了加速我国光伏产业整合进程，促进过大而缺少竞争力的产能退出市场。2012年我国晶硅组件出货量为23GW，而薄膜组件实际出货量只有400MW，仅占总出货量的2%。也就是说，薄膜电池在

持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒(CIGS)光电转换效率达20.4%，碲化镉(CdTe)薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平(20.4%)。而且这两种薄膜电池全面
：一、《条件》的出台是为了加速我国光伏产业整合进程，促进过大而缺少竞争力的产能退出市场。2012年我国晶硅组件出货量为23GW，而薄膜组件实际出货量只有400MW，仅占总出货量的2%。也就是说，薄膜电池

伏制造企业按产品类型在产能方面设定了准入标准：多晶硅项目每期规模大于3000吨／年；硅锭年产能不低于1000吨；硅棒年产能不低于1000吨；硅片年产能不低于5000万片；晶硅电池年产
能不低于200MWp（兆瓦）；晶硅电池组件年产能不低于200MWp；薄膜电池组件年产能不低于50MWp。《规范条件》还明确规定了对现有及新建企业及项目产品需满足的生产条件以及光伏制造项目能耗、水耗的指标，其废气、废水

技术，并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒（CIGS）光电转换效率达20.4%，碲化镉（CdTe）薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平（20.4%）。而且这两种薄膜电池

。 《规范条件》对光伏制造企业按产品类型在产能方面设定了准入标准：多晶硅项目每期规模大于３０００吨／年；硅锭年产能不低于１０００吨；硅棒年产能不低于１０００吨；硅片年产能不低于５０００万片
；晶硅电池年产能不低于２００ＭＷｐ（兆瓦）；晶硅电池组件年产能不低于２００ＭＷｐ；薄膜电池组件年产能不低于５０ＭＷｐ。 《规范条件》还明确规定了对现有及新建企业及项目产品需满足的生产条件以及光伏制造