多晶硅硅

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双节期间光伏太阳能行业新闻汇总来源: 发布时间:2018-02-02 14:13:15

2012年10月4日 保利協鑫多晶硅硅烷气首期装置成功投产并顺利产出高纯度硅烷气 2012年10月4日

保利协鑫(HK3800)公布2015年半年财报:营收179.4亿来源:世纪新能源网 发布时间:2018-02-02 14:02:07

继续保持多晶硅硅料、长晶切片技术、成本、服务等全球领先的优势,利用我们产 业链前端原材料的优势,推动高效产品及系统的终端应用,形成产业链前后两端的战略协 同,进一步提升业务盈利能力。电力业务稳健发展
对华光伏产品「双反案」第一次行政複审终判结果,大幅调高对中国多晶硅太阳能电池的双反税率。虽然此举没有直接涉及中国的多晶硅和硅片产品,但对中国产电池组件产品出口造成负面影响。另一方面,由于美国、德国

廉锐:光伏产业链正在遭遇前所未有的挑战来源: 发布时间:2018-02-02 14:01:15

2012年,市场面临的第一个重要挑战就是总需求的增速是放缓了,我们很难回到以前那种爆发式的增长情况了。  遇到的第二个挑战就是产能的增速超过了需求的增速,现在大家看到的是我们统计和预测的多晶硅硅
。  我们目前研究的供应链部分是光伏上游部分以及下游的市场,从多晶硅到硅片、电池、组件以及相应的设备,另外在下游不同的区域,我们所看到的市场需求以及安装的行为,相信我们有不同的研究报告。首先跟大家分享的

新兴产业:金刚线与光伏的前世今生!来源:光伏盒子 发布时间:2018-01-25 18:44:28

金刚线切割后,显著降低了成本。在单晶硅片采用金刚线切割之前,单、多晶硅硅片成本差别接近20-30%,在2015-2016年单晶硅片普及金刚线切割以后,单多晶成本差别迅速缩减,进而推动了单晶硅片的渗透率
成本)。 金刚线切割的效果评估 多晶产业应用:黑硅+金刚线切割组合,在多晶硅片制造中进入规模推广时期 多晶产业应用:黑硅+金刚线切割组合,在多晶硅片制造中进入规模推广时期 多晶

道康宁、天威新能源达成合作 引领最新太阳能解决方案来源:世纪新能源网 发布时间:2018-01-25 14:03:47

16.8%,在多晶硅组件中表现非常出众。在加速老化测试中,该组件也表现出非常低的功率衰减:300次冷热循环之后衰减率为0% (- 40C到85C),在湿热环境下1500小时之后衰减率为0.2%(85
的控股子公司。公司以建设国内一流、国际先进水平的现代化大型光伏企业为目标,主要从事光伏太阳能中、下游产品晶体硅硅片、光伏电池、组件、光伏系统工程的研究、制造、销售和服务。

新兴产业:金刚线与光伏的前世今生来源:PV兔子 发布时间:2018-01-24 10:35:08

,显著降低了成本。在单晶硅片采用金刚线切割之前,单、多晶硅硅片成本差别接近20-30%,在2015-2016年单晶硅片普及金刚线切割以后,单多晶成本差别迅速缩减,进而推动了单晶硅片的渗透率快速提高
)。 金刚线切割的效果评估 多晶产业应用:黑硅+金刚线切割组合,在多晶硅片制造中进入规模推广时期 多晶硅切割市场情况 目前多晶切割主流仍是砂浆切割,主要是遇到了一定的技术瓶颈,目前

京运通展出900KG世界最大多晶硅锭产品来源: 发布时间:2018-01-23 16:50:51

索比光伏网讯:世纪新能源网 www.ne21.com (记者张松)现场报道2012年3月20日,SOLARCONChina中国光伏产业设备领导企业京运通(601908 )展出900KG多晶硅硅
锭产品。据悉,该产品是京运通最新自主多晶硅铸锭炉产品所生产,重量900KG,是目前世界最大多晶硅锭产品。高约2.5米的6.25寸单晶硅棒 北京京运通科技股份有限公司成立于2002年8月8日,并于2008年

赛维LDK发布M3太阳能硅片 效率达17.5-18%来源: 发布时间:2018-01-17 19:04:59

用M2制成的太阳能电池平均转换率比用普通多晶硅片高0.3%-0.5%,即该产品量产平均转换效率可达17.1%-17.5%,而此次M3将比于M2多晶硅硅片效率提高0.7个百分点。新日光能源科技、升阳光

多晶硅片需求强劲,台湾GET销售额持续增长来源:pv-tech 发布时间:2017-12-06 23:59:59

),与上月相比增长6%。公司指出,标准多晶硅片以及用于大幅提高转换效率的金刚线黑硅硅片需求强劲。为保持竞争性、满足顾客需求,GET公司正在将产能转换到金刚线黑硅和蚀刻技术上。技术转换是太阳能发展领域的主流趋势之一。11月份,公司硅片工厂设施运行利用率为95%。

太阳能电池片科普系列——单晶硅篇来源:北极星太阳能光伏网(独家) 发布时间:2017-12-04 15:59:38

单晶硅硅片生产厂家大多采用这种技术。把高纯多晶硅放入高纯石英坩埚,在硅单晶炉内熔化;然后用一根固定在籽晶轴上的籽晶插入熔体表面,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶体便在籽晶下端生长。 其基本原理
如图所示。多晶硅硅料置于坩埚中经加热熔化,待温度合适后,经过将籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤,完成一根单晶硅锭的拉制。炉内的传热、传质、流体力学、化学反应等过程都直接影响到单晶的生长及