多晶硅的三大生产工艺之比较

背景下，原有的生产企业不断扩大生产规模，同时许多新企业积极投资新的生产线，国内多晶硅项目近年来也大量涌现。预计2009年到2010年间，多晶硅原材料将能逐渐满足光伏产业发展的需求，价格上涨有望得到一定

新工艺。但硅烷是易燃易爆气体，不易保存，生产安全问题不如改良西门子法易于处理。硅烷热分解炉比较复杂，硅棒直径受到限制，这也是该方法尚待解决的问题。 粒状多晶硅是采用流化床法生产的，经过十余年开发

，窗口效应的利用等是影响电池性能的主要因素。 为了制备太阳电池，在CdS膜表面喷涂转型物质，如含Cu+的氯化亚铜溶液，或采用常规浸泡工艺，使之形成一定厚度的Cu2S层，并经热扩散等工艺和喷涂金属

输出了6条MW级生产线。美、日各公司还用自己的产品分别安装了室外发电的试验电站，最大的有100kW容量。在80年代中期，世界上太阳电他的总销售量中非晶硅占有40％，出现非晶硅、多晶硅和单晶硅三

是为了降低成本，其优点是能直接制备出适于规模化生产的大尺寸方型硅锭，设备比较简单，制造过程简单、省电、节约硅材料，对材质要求也较低。晶界及杂质影响可通过电他工艺改善；由于材质和晶界影响，电池效率较低。电池工艺主要