多晶硅电池效率

技术的首席发明人黄颖(音译)博士表示， 我们的技术更简单、更便宜、没有使用金属，电池效率超过20%。出于这些原因，我坚信我们的技术会成为多晶硅太阳能电池制造商使用的主流制绒技术。 新加坡太阳能
位于新加坡国立大学(NUS)的新加坡太阳能研究所(SERIS)的研究人员宣布，他们开发出一种用于金刚线多晶硅片切割(mc-Si)后纳米级制绒的成本极低的技术。 新加坡太阳能研究所指出，由于现有蚀刻

，得出采用硅粉籽晶生长硅晶体晶粒均匀性最好，并能提高整锭电池效率。朱笛笛等得出0.154mm粒径范围的多晶硅颗粒籽晶的引晶效果好，并能提高电池的光电转换效率。晶澳太阳能的黄新明等用Si3N4包覆
，努力做到籽晶保留面积达到100%，提高整锭电池效率0.1%左右; b)通过共掺杂技术，解决多晶电池的光衰问题，为提升电池效率的PERC工艺奠定基础; c)铸造更大尺寸的多晶硅锭也是未来发展的方向，G8

硅片通常少子寿命较大，电池效率可以做得更高，但是工艺更加复杂。一直以来，以n-PERT电池、HIT电池为代表的N型电池都被当做未来晶硅电池发展的必经之路。但是P型PERC电池的出现，让N型电池陷入尴尬
。 因为在PERC电池效率的提升之下，n-PERT电池的效率优势已经荡然无存。而作为N型电池的另一热点，HIT虽然在近年来炒的火热，但是困于成本过高，一直难有大规模量产。PERC作为P型电池的代表发展

少子寿命较大，电池效率可以做得更高，但是工艺更加复杂。一直以来，以n-PERT电池、HIT电池为代表的N型电池都被当做未来晶硅电池发展的必经之路。但是P型PERC电池的出现，让N型电池陷入尴尬。 因为
在PERC电池效率的提升之下，n-PERT电池的效率优势已经荡然无存。而作为N型电池的另一热点，HIT虽然在近年来炒的火热，但是困于成本过高，一直难有大规模量产。PERC作为P型电池的代表发展的如

较高，普通多晶硅可能满足不了要求; 三、氧化层厚度和均匀性需要控制得较好，因为这直接影响到n+层的扩散质量; 四、需解决丝网印制的精确对位，对位越精确，n++层的宽度就可越窄，效率提高越多
)fineline priting印刷小于80m的细栅。但要提高电池效率，印刷浆料必须(a)在低表面浓度下也能保证低接触电阻，或者(b)本身含磷掺杂源并在烧结时能扩散入Si形成重掺; (2)inkjet

5月27日，天合光能宣布，其光伏科学与技术国家重点实验室所研发的高效N型单晶i-TOPCon太阳电池光电转换效率高达24.58%，创造了大面积TOPCon电池效率新的世界纪录。 据悉，该电池采用
了大面积工业级磷掺杂的直拉N型硅片衬底，集成超薄遂穿氧化硅/掺杂多晶硅钝化接触技术，利用量子遂穿效应和表面钝化，实现面积为244.62平方厘米的电池正面光电转换效率达到24.58%。

界光伏市场中的比例仅在10%左右。 EnergyTrend预测今年全球单晶组件市场份额将突破50%，在全球最大的单一光伏市场中国，业内预测今年将是单多晶市场份额逆转的一年。 作为全球最大的多晶硅
。 铸锭单晶是利用原来多晶硅片的铸锭生产工艺，生产的晶体结构接近单晶的一种类单晶产品，具有比多晶更高效率，比单晶更低成本的特点，是多晶应对单晶挑战的一种升级产品。 那么，保利协鑫能借助铸锭单晶扭转单多晶

常规片要大，对硅片质量要求较高，普通多晶硅可能满足不了要求; 三、氧化层厚度和均匀性需要控制得较好，因为这直接影响到n+层的扩散质量; 四、需解决丝网印制的精确对位，对位越精确，n++层的宽度就可
种子层。代替的方案有： (1)fineline priting印刷小于80m的细栅。但要提高电池效率，印刷浆料必须(a)在低表面浓度下也能保证低接触电阻，或者(b)本身含磷掺杂源并在烧结时能扩散入

致力于降低P型单晶PERC和N型单晶硅片的氧和金属含量水平，从而降低LeTID产生的影响。 公司表示，P型单晶PERC电池效率仅下降约1%，而N型单晶电池效率仅会下降约0.2%，符合即将推出的
IEC63202-1标准。 协鑫集成还指出，它利用姊妹公司协鑫能源控股(最大的多晶硅片生产商)推出的铸造单晶铸锭技术开发出了低氧含量电池。 协鑫集成还指出，它利用同系公司保利协鑫能源控股

上调到156.75mm，并减小单晶硅片的倒角，推出了M2尺寸的硅片。该尺寸标准修正在2017年得到SEMI标准委员会的审核通过。这样单多晶硅片边长实际上已经开始统一到156.75mm这个尺寸上。多晶硅片国标在
，推荐几个基于目前大规模生产中较为广泛应用的几种硅片尺寸，并对未来硅片尺寸给出预期指导。这里的晶体硅片包括CZ直拉法拉制的单晶硅片，铸锭法生长的多晶硅片和铸锭单晶硅片。 硅片尺寸确立的原则 首先，我们