多晶硅电池效率

到世界光伏市场份额的10%左右，伴随着多晶硅价格的走高，薄膜太阳能电池的发展有望进一步加速。当然薄膜电池也存在自身的不足，如硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低
，Solarworld等一批世界级的光伏企业。　　在光伏产品中，晶体硅太阳能电池是太阳能电池的主流，与半导体工业用电子级晶体硅相比，太阳能级多晶硅的纯度要求较低，为99.9999%，而前者需要的纯度达到

的不同，电池效率可以达到5.6%3。 　　为了进一步提高电流密度，进而提高电池的效率，我们使用等离子体粗糙处理来实现新型的电池概念。迄今为止，在多晶硅太阳能电池的衬底结构中，衬底都用作背反射器。通过
　　如果效率和成本目标能够实现，薄膜晶体硅太阳能电池有潜力替代目前在光伏市场上占主导地位的多晶硅太阳能电池。 　　目前在工业上，硅的成本大约占硅太阳能电池生产成本的一半。为减少硅的消耗量，光伏

，通过对硅块表面的研磨和检测，我们会进一步提高硅片质量，控制后期不合格硅片的产生。在未来，我们将实现对所有多晶硅块硬点和寿命的测试，从而提高硅片的合格率，提高电池效率，进而增强英利太阳能产品的可靠性
　　记者从河北省保定市获悉，英利集团年产400兆瓦多晶硅太阳能电池项目近日正式开工建设，该项目分别由英利集团旗下的英利新能源和英利能源（中国）两家公司进行建设，将使保定拥有世界上最先进的太阳能电池

领域。太阳能电池是光伏发电系统中的关键部分，包括硅系太阳电池(单晶硅、多晶硅、非晶硅电池)和非硅系太阳能电池等。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅材料较少，又无效率衰退问题，并且可以在廉价衬底材料上制备，其
成本远低于单晶硅电池，经济效益较好。此外，非多晶硅薄膜电池也具有极大的发展潜力。 　　在晶体硅太阳能电池的产业链上分布着晶硅制备、硅片生产、电池制造、组件封装四个环节。上游环节的企业掌握技术优势，具有

太阳电池∕组件生产迅速增长，2004 年的产量是2002 年的6倍。电池和组件性能不断提高，商业化电池效率由八十年代的10－12％提高到12－14％。太阳电池∕组件成本20年来不断降低，售价由八十年代初的
实现国产化的材料和部件，其性能比国外偏低，如银、铝浆、EVA等。组件封装低铁绒面玻璃、TPT 尚未投放市场。光伏产业链上游小、下游大的不平衡状态，其中最严重的是太阳级多晶硅生产是空白，完全依赖进口

两倍还多，如表2所示。单晶硅太阳电池的平均效率为15%，澳大利亚新南威尔士大学的实验室效率已达24.4%；多晶硅太阳电池效率也达14%，实验室最大效率为19.8%；非晶硅太阳电池的稳定效率，单结6～9
)42.047.054.058.261.070.781.090.612 表3商品化光伏直流组件效率预测(%) 电池技术199019952000 2010 单晶硅12151822 浇铸多晶硅11141620 带状硅12141721

ＳＩＯ２膜上直接用ＣＶＤ法沉积薄膜，得到晶粒尽寸为几十微米的多晶硅薄膜，但发现薄膜中晶粒之间有较大的孔隙，这些孔隙导致晶粒之间的电传导减弱，使得下下电极之间极易短路，以致电池效率很低。我们进一步采用
影响，若要再大幅度地降低单晶硅太阳电池成本是非常困难的。作为单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳电池，其中包括非晶硅薄膜太阳电池，硒铟铜和碲化镉薄膜电池，多晶硅薄膜太阳电池。在这几种薄膜电池中，最

厚0.05m-0.1m，铜过渡区厚度为1m，在一定的结深和过渡区范围内，电池效率与高浓度Cu2S层厚度（结深）成正比，与铜过渡区厚度成反比，并计算出电他的极限效率为18％，实际工艺可能达到12.5
％。黄芳龙进一步研究了扩散对Cu2S/CdS太阳电池效率及稳定性的影响。扩散会改变电池各元素的组成比，导致电池效率下降，特别是封装材料中C和Cu2S层中Cu的扩散最甚。因此选择无机材料作为封装材料和在

输出了6条MW级生产线。美、日各公司还用自己的产品分别安装了室外发电的试验电站，最大的有100kW容量。在80年代中期，世界上太阳电他的总销售量中非晶硅占有40％，出现非晶硅、多晶硅和单晶硅三足鼎立
悬挂键得到适量氢的完全补偿，使得隙态密度低，结构保持最高的稳定性。寻找理想廉价的工艺技术来实现这种理想的结构，应能从根本上消除光致衰退，这是一项非常困难的任务。2．6 a-Si太阻电池效率低的原因

研究，电池前面有倒金字塔织构化结构，2cmX2cm电池效率达到了19．8％，大面（5cmX5cm）激光刻槽埋栅电池效率达到了18．6％。1．3多晶硅高效电池 多晶硅太阳电他的出现主要