多晶硅片

，和上月的 US$9.477/KG 相比减少了 0.25%。 硅片环节，多晶硅片的人民币月均价为从5月的 RMB1.92/Pc 持续减少至6月的 RMB1.908/Pc，下滑幅度为 0.65%; 美金

，和上月的 US$9.477/KG 相比减少了 0.25%。硅片环节，多晶硅片的人民币月均价为从5月的 RMB1.92/Pc 持续减少至6月的 RMB1.908/Pc，下滑幅度为 0.65

可以进一步降低成本;硅片晶花分选可以更好的解决组件外观问题。针对上述四点原因，协鑫一一攻克。 在外观方面，协鑫方面宣称，鑫单晶硅片采用金刚线切割，外观与常规多晶硅片相似，采取碱制绒后与直拉单晶无明

吉瓦以上的多晶市场带来深刻变革，加快实现光伏平价上网的目标。 编辑点评： 金刚线切多晶是硅片端降本的最有效途径之一。在龙头企业的带动下，如今金刚线切多晶已是大势所趋。保利协鑫11月的金刚线切多晶硅片
平均量产效率已达到20.1%，最高效率达到20.6%，再次实现了产业化多晶电池平均效率的突破。在多晶高效电池技术路线的选择上，协鑫集成以金刚线切割多晶硅片降低成本、增加多晶竞争优势，配合金刚线多晶硅片的

，PERC与黑硅技术在单晶和多晶上将得到普遍采用。 黑硅技术助力多晶电池提效降本 对于多晶电池而言，黑硅技术并非是一项新技术。该技术主要是源于2017年金刚线切多晶硅片的普及从而得到推广。 金刚线
切片技术在硅片端可显著降低成本，但金刚线切多晶硅片后，硅片表面损伤层减少，不利于使用传统酸腐蚀方案对硅片进行绒面制备，因此需解决多晶金刚线切割硅片的绒面制绒问题。 黑硅技术是解决该问题的主要路径。该

位于新加坡国立大学(NUS)的新加坡太阳能研究所(SERIS)的研究人员宣布，他们开发出一种用于金刚线多晶硅片切割(mc-Si)后纳米级制绒的成本极低的技术。 新加坡太阳能研究所指出，由于现有蚀刻
工艺价格昂贵并且会降低转换效率，广泛使用的金刚线多晶硅片切割受到限制。反应离子蚀刻(RIE)并非低成本工艺，而金属催化化学蚀刻(MCCE)技术会增加金属颗粒污染物。 新加坡太阳能研究所DWS硅片制绒

采用p 型多晶硅片(156 mm156 mm)，彩色多晶硅太阳电池样品的制备流程如图1 所示。所有样品经多晶硅太阳电池生产的常规工艺进行制绒、扩散、刻蚀后，用板式PECVD 调节一次性镀膜工艺，在

。 由于七月需求出现空窗，加上多晶硅片价格小幅跌价、单晶电池片价格快速下滑，都影响了整体市场对于后势的看法。目前看来硅料新产能仍旧持续开出，高成本产能虽有部分延后复产，但市场上多晶用硅料供应还是偏多
市场意外。而在单晶价格不变的情况下，铸碇单晶的价格也基本维持。多晶硅片的价格虽然微幅下滑，但整体订单情况仍是与六月类似，因此后续价格可能配合硅料跌价做反应，没有太大的需求衰退。 随着越来越多硅片企业

$9.427/KG 增长至 US$9.431/KG。 在硅片端，多晶硅片的人民币报价保持在 RMB1.91/Pc;其美金报价保持在 US$0.253/Pc 不变。单晶硅片人民币报价和美金报价分别为

界光伏市场中的比例仅在10%左右。 EnergyTrend预测今年全球单晶组件市场份额将突破50%，在全球最大的单一光伏市场中国，业内预测今年将是单多晶市场份额逆转的一年。 作为全球最大的多晶硅片
。 铸锭单晶是利用原来多晶硅片的铸锭生产工艺，生产的晶体结构接近单晶的一种类单晶产品，具有比多晶更高效率，比单晶更低成本的特点，是多晶应对单晶挑战的一种升级产品。 那么，保利协鑫能借助铸锭单晶扭转单多晶