多晶硅太阳电池

途径是用宽带隙的a-Si：H作为窗口层或发射层，单晶硅、多晶硅作衬底，形成所谓的异质结太阳电池。这种电池既利用了薄膜电池的制造工艺优势，又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点，具有实现高效、低成本太阳电池

、多晶硅和CIs(CuInSe)三种光伏电池材料的影响。关键词：单晶硅;多晶硅;CIS;温度;光照强度1前言能源对人类社会生存和发展起着举足轻重的作用。随着社会的发展，人类对能源的需求日益增长，化石能源也
，但是距离大规模生产，并与晶体硅太阳电池抗衡需要大量的工作去做。光照强度和温度影太阳电池的转换率。本文的实验在光照强度和温度变化两种情况下采用了典型的测量方法以记录了晶体硅和CIS(CuInSe。)的

皮尔在贝尔实验室制成的第一块实用单晶电池的光电转换效率只有6%。1958年太阳能电池即投入空间应用，装备在美国先锋1号卫星电源上。第二年第一块多晶硅太阳电池问世，效率只有5%。到1980年实验室制备的
单晶硅太阳电池效率就达到了20%，多晶硅电池也达到了14.5%。而今随着类单晶、选择性发射极等技术的出现，即使是大规模量产它们各自的效率也要高于上述数据，而成本却以每年7.5%的速度下降。同时，薄膜

主导产品，公司掌握了"高效单晶硅太阳能电池组件"、"大面积多晶硅太阳电池组件"生产技术采用先进的透光玻璃及高品质EVA做出高效率组件。公司产品以出口为主，直接向太阳能电池组件的终端用户光伏发电厂的
系统集成供应商行列。(2012年3月，取消公司2011年10月拟用定增募资5亿元增资天达光伏用于多晶硅太阳电池技改项目，该项目建成后天达光伏将具备年产300MW太阳电池片和250MW太阳电池组件的产能

1968年至1969年底，半导体所承担了为实践1号卫星研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射，造成电池衰减，使电池无法
长时间在空间运行。 1969年，半导体所停止了硅太阳电池研发，随后，天津18所为东方红二号、三号、四号系列地球同步轨道卫星研制生产太阳电池阵。 1975年宁波、开封先后成立太阳电池

太阳电池的生产迅速增长。2004年，洛阳单晶硅厂与中国有色设计总院共同组建的中硅高科自主研发出了12对棒节能型多晶硅还原炉，以此为基础，2005年，国内第一个300吨多晶硅生产项目建成投产，从而拉开了中国

产能规模，成为全球最大的薄膜太阳电池供应商。百世德预计，薄膜太阳电池将进一步扩大太阳电池的应用市场，与晶体硅太阳电池技术一起，共同普及太阳电池技术的产业化。目前，赛维LDK生产的硅片主要应用在欧洲的

在过去的5年中，太阳能组件价格急速下滑，造成这一现象的原因是多方面的，其中包括经济衰退、太阳能电池需求下降、多晶硅的供应增加、行业产能扩张以及去年增加来自中国生产商的低成本竞争。中国光伏
反击，美国7家晶体硅太阳电池生产商组成美国太阳能制造联盟（the Coalition for American Solar Manufacturing），由SolarWorld公司领导，目的在于通过

索比光伏网讯:摘要高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其
,天津300130;2北京市太阳能研究所,北京100083)关键词 背接触硅太阳电池 少子寿命 接触电极0引言已经商业化的常规硅太阳电池,发射区和发射区电极均位于电池正面。由于太阳能级硅材料少子扩散

。尤其是在多晶硅主流技术方面我国仍与这些企业存在一定差距。核心技术影响成本控制，当技术上升到一定水平后，我国依靠廉价劳动力资源取得的成本优势将不再体现。业界专家表示，冰冻三尺非一日之寒，此次太阳能光伏
制定多晶硅、硅锭/硅片、太阳能电池等产品和光伏系统相关标准，积极参与制定国际标准。对此，李雷说，重视技术创新是关键。政府行业主管理部门应该鼓励技术创新，在财税政策等方面给予创新企业优惠，提升其创新发展的