多晶硅太阳电池

来竞争者的无声宣言。 专利壁垒 2012年，京瓷公司对外宣布获得了三栅线电极结构专利，专利号4953562于当年3月在日本发行，是其追溯到2004年的多晶硅太阳电池17.7%创纪录转换效率
7月中旬，日本光伏组件制造商京瓷集团一纸诉讼将韩华QCells旗下日本公司状告至东京地方法院，关于太阳电池三栅线电极构造的专利侵权争执案正式上演，不同于欧美双反策略，本土认证保护与专利壁垒是日本对外

壁垒成为日本对外来竞争者的无声宣言。专利壁垒2012年，京瓷公司对外宣布获得了三栅线电极结构专利，专利号4953562于当年3月在日本发行，是其追溯到2004年的多晶硅太阳电池17.7%创纪录转换效率
索比光伏网讯:7月中旬，日本光伏组件制造商京瓷集团一纸诉讼将韩华QCells旗下日本公司状告至东京地方法院，关于太阳电池三栅线电极构造的专利侵权争执案正式上演，不同于欧美双反策略，本土认证保护与专利

。 30MWp 太阳电池阵列由30 个1MWp 多晶硅电池子方阵组成，多晶硅光伏组件均采用固定方式安装于固定支架上。每个1MWp 子方阵设一座逆变器室及一个箱变，逆变器室及箱变位于子方阵的南侧，共30

薄膜电池)，产量达到40.3GW。与2012年相比，增长7.5%，多晶硅电池和单晶硅电池的比例约为3∶1。太阳能电池呈逐年增长发展态势，但近几年发展趋于平缓。从发展区域看，中国大陆以25.1GW的产量
分为单晶和多晶，区别在于所用硅片。单晶硅片由多晶硅原料经拉晶炉拉成单晶棒后再切片制成，多晶硅片是由多晶硅料经铸锭炉铸成多晶硅锭后再切片制成。不过，目前光伏市场上占优势的还是多晶硅电池。太阳能电池的基本

大规模生产的薄膜电池主要有3种：硅基薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池（CIGS）、碲化镉薄膜太阳能电池（CdTe）。而三者之中，铜铟镓硒(简称CIGS)薄膜太阳电池又因转换率高、性能稳定、制造成
本低、抗辐射能力强、零污染、光谱响应范围宽等特点，被国际上称为下一时代最有前途的廉价太阳电池之一，也是目前行业内公认的最具工业化前景的薄膜发电技术，广受关注和推崇。 　　国内首个CIGS

调试等服务。按照四个统一、便捷高效和一口对外的基本原则，为光伏用户提供一切便利，使之能顺利并网发电。 　　据了解，该居民家中的光伏发电总装机量为5.25千瓦，利用屋顶敷设的单晶硅及多晶硅太阳电池

以来多晶硅组件成本已降低70.1%，硅料、铸锭、切片、电池和组件等方面等技术的逐步成熟，未来三年时间，多晶硅组件的成本有望从0.51美元/瓦进一步降低至0.41美元/瓦，成本将继续下降且生命期还将持续
钙钛矿太阳电池与23-24%的晶体硅叠层技术将有望实现效率大于30%的低成本电池；薄膜电池可以应用于空间领域或汽车顶等特殊场合，具有传统晶体硅电池不可替代的优势；HIT电池将可能是高效高性能光伏组件

太阳能光伏技术经过近几十年的发展，已经在新能源领域确立了其重要地位。大力发展太阳能光伏发电已成为人类解决未来能源问题的重要途径。在产业界，当前太阳能技术的重点仍是硅太阳能电池，包括多晶硅和非晶硅薄膜
电池等。 由于多晶硅和非晶硅薄膜电池具有相对较高的转换效率和相对较低的成本，逐渐成为市场的主导产品。而其它种类的薄膜电池由于技术不是很成熟，似乎很难在短期内替代硅系太阳能电池。目前的硅系

多晶硅和非晶硅薄膜电池等。由于多晶硅和非晶硅薄膜电池具有相对较高的转换效率和相对较低的成本，逐渐成为市场的主导产品。而其它种类的薄膜电池由于技术不是很成熟，似乎很难在短期内替代硅系太阳能电池。目前的硅系
0.7到2.4eV光谱。南京大学的研究者们通过计算得出，在理想情况下，InGaN材料应用于单结、双结和三结太阳电池时，其转换效率可分别高达27.3%、36.6%和41.3%。但是，氮化物本身也存在很多

研究生院的56所高校和广东省重点建设的广东省211工程高校。中山大学太阳能系统研究所主要以太阳能材料与光伏技术的应用基础和关键技术为研究内容，力争在光伏物理、太阳能材料和太阳电池理论与实验三个方面
的整体研究处于国内领先水平；并建成在国内具有重要影响的太阳能信息中心和太阳能测试中心两个重要技术平台，以对国家太阳能发展战略和太阳能产业和技术标准产生重大影响。已建成的实验室包括太阳电池实验室、纳米功能