多晶硅型

的普及；在电池效率提升方面，有PERC电池的扩产，后续还会有N型双面电池等新型高效电池的发展。所以总体而言，补贴的退坡将很大程度上引发组件的价格下降。而从目前组件工艺改进及电池效率提升来看，行业已经对
。金刚线改造带来更高切割速度和更低硅耗，毫无疑问，无法普及金刚线切割技术的多晶硅厂商将会逐渐被淘汰。对于组件厂商来说，由于“降本增效”的要求，未来将是高效组件的天下。目前来看， PERC组件、黑硅组件

金刚线切割等工艺优化的普及；在电池效率提升方面，有PERC电池的扩产，后续还会有N型双面电池等新型高效电池的发展。所以总体而言，补贴的退坡将很大程度上引发组件的价格下降。而从目前组件工艺改进及电池效率提升
更高切割速度和更低硅耗，毫无疑问，无法普及金刚线切割技术的多晶硅厂商将会逐渐被淘汰。对于组件厂商来说，由于降本增效的要求，未来将是高效组件的天下。目前来看， PERC组件、黑硅组件、双玻组件、双面组件

印刷行程。 二、丝网印刷流程三、银电极银电极的主要作用是输出电流。与电池PN结两端形成欧姆接触，P型区接触的电极为电流输出的正极，N型区接触的电极是电流输出的负极。正面电极由两部分构成，主栅线和副栅线
、流程（电池片）篇、工艺流程(硅片)篇、制绒篇、扩散篇、刻蚀篇、(镀膜)PECVD篇、丝网印刷篇、烧结篇、组件封装篇、多晶硅铸锭篇原创：北极星（每天不定量更新）

电子变得非常活跃，叫做N型半导体。晶体硅太阳能电池片主要是用硅半导体材料作为基体制成较大面积的平面PN结，即在规格大约为15 cm15 cm的P型硅片上经扩散炉扩散磷原子，扩散出一层很薄的经过
重掺杂的N型层。然后经刻蚀到达PECVD在整个N型层表面上镀上一层减反射膜用来减少太阳光的反射损失，达到丝网在扩散面印刷上金属栅线作为太阳能电池片的正面接触电极。在刻蚀面印刷金属膜，作为太阳能电池片的背面

领跑基地。那么哪些技术可以满足技术领跑者标准呢？在技术指标上，《通知》要求2017年应用领跑基地采用的多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率应分别达到17%和17.8%以上；技术领跑基地采用的
多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率应分别达到18%和18.9%以上。对应的电池效率和组件功率要求如下表所示。（见配图）领跑者前沿技术应用基地的企业评选标准项目与配分为：投资能力（10分）、业绩水平

》)，2017年拟建设不超过10个应用领跑基地和3个技术领跑基地，现将名单进行公示，公示期为2017年11月23日-29日。更多详情2. 重磅：商务部上调韩国进口多晶硅反倾销税2016年2月14日，江苏中能
硅业科技发展有限公司、江西赛维LDK光伏硅科技有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、重庆大全新能源有限公司(以下称国内产业申请人)向商务部提出正式申请，主张终裁后韩国向中国出口的太阳能级多晶硅倾销幅度加大

得N型半导体。三、刻蚀在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成
又不同，就需要设定不同的温度来分别实现合金化。连载文章欢迎查看更多太阳能电池片科普系列：发电原理篇、流程（电池片）篇、工艺流程(硅片)篇、制绒篇、扩散篇、刻蚀篇、(镀膜)PECVD篇、丝网印刷篇、烧结篇、组件封装篇、多晶硅铸锭篇原创：北极星（每天不定量更新）

，N-PERT、HIT技术短期内技术成本难以显著下降，PERC技术更具性价比优势。他也表示，南京某光伏企业MWT建成1GW规模化产线，是让人眼前一亮的技术，该MWT组件成本甚至低于常规多晶硅组件，厚度仅为
150微米，可以与单多晶硅、PERC、HIT甚至双面电池技术通通兼容，称之为MWT+。通过技术创新可以将光伏度电成本直降40%，即使在当前成本下，光伏电价通过系统技术创新就可以下降到0.4-0.5元

部分晶格上的Si原子形成n型半导体，部分则留在了SiO2中形成PSG（磷硅玻璃）。1、磷硅玻璃会使得电池片在空气中表面容易受潮，导致电流和功率的衰减；2、死层增加了发射区电子的复合，以致少子寿命的降低
体会对扩散后硅片的下表面及边缘进行腐蚀,以去除边缘的N型硅,打破硅片表面短路通路。因此刻蚀对于液位高度的控制需要特别精确。反应方程式：3Si + 4HNO3+18HF =3H2 + 4NO2