多晶硅准入条件

晶硅光伏行业和薄膜光伏行业两种不同的情况，将去过剩产量的重点放在晶硅，而对产业化尚处于起步阶段的薄膜光伏产业，市场竞争力和认可度就是他们的准入条件。事实上在《条件》出台前，一些薄膜光伏企业已经因为缺乏
太阳电池技术，并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒(CIGS)光电转换效率达20.4%，碲化镉(CdTe)薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平(20.4%)。而且这两种

2010年出台的《多晶硅行业准入条件》相比，新的文件以规范条件替代了准入条件，淡化了门槛意味，意在规范行业发展，实现去产能化，而并非对不合标准的中小企业宣判死刑。事实上，在被认为受新的规范影响较大的浙江

区别对待晶硅光伏行业和薄膜光伏行业两种不同的情况，将去过剩产量的重点放在晶硅，而对产业化尚处于起步阶段的薄膜光伏产业，市场竞争力和认可度就是他们的准入条件。事实上在《条件》出台前，一些薄膜光伏企业已经因为
持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒(CIGS)光电转换效率达20.4%，碲化镉(CdTe)薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平(20.4%)。而且这两种薄膜电池全面

区别对待晶硅光伏行业和薄膜光伏行业两种不同的情况，将去过剩产量的重点放在晶硅，而对产业化尚处于起步阶段的薄膜光伏产业，市场竞争力和认可度就是他们的准入条件。事实上在《条件》出台前，一些薄膜光伏企业已经因为
技术，并持续取得重大的技术突破。实验室铜铟镓硒（CIGS）光电转换效率达20.4%，碲化镉（CdTe）薄膜电池效率也已达到19.6%，都已经接近或达到多晶硅电池的水平（20.4%）。而且这两种薄膜电池

、电池、电池组件等制造行业。原有《多晶硅行业准入条件》同时废止。 光伏制造业关注的焦点，集中在《规范条件》对生产规模和工艺技术的规定。 《规范条件》对工艺的条件，要求企业每年用在研发及工艺改进
1000万元以上将带来一场洗牌效应，逐步淘汰低端产能，促进整个光伏产业的发展。 研发及工艺改进费不低于总销售额3% 此次《规范条件》涉及的光伏制造业，主要为光伏用多晶硅、硅棒、硅锭、硅片

行业。原有《多晶硅行业准入条件》同时废止。光伏制造业关注的焦点，集中在《规范条件》对生产规模和工艺技术的规定。《规范条件》对工艺的条件，要求企业每年用在研发及工艺改进的费用，不能低于总销售额的3
1000万元以上将带来一场洗牌效应，逐步淘汰低端产能，促进整个光伏产业的发展。研发及工艺改进费不低于总销售额3%此次《规范条件》涉及的光伏制造业，主要为光伏用多晶硅、硅棒、硅锭、硅片、电池、电池组件等制造

或高新技术企业资质，每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元人民币。 此外，光伏制造企业按产品类型在产能方面设定了准入标准，包括多晶硅项目每期规模大于3000吨/年；硅锭
，《规范条件》中各项技术指标的制订属于最低的基本门槛，实际上行业中优势企业各项指标已经远高于准入条件的要求。以江苏中能为例，单线生产能力已经达到全球最大的15000吨/年，是准入要求3000吨/年的5倍

、技术中心或高新技术企业资质，每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元人民币。 此外，光伏制造企业按产品类型在产能方面设定了准入标准，包括多晶硅项目每期规模大于3000吨/年
，《规范条件》中各项技术指标的制订属于最低的基本门槛，实际上行业中优势企业各项指标已经远高于准入条件的要求。以江苏中能为例，单线生产能力已经达到全球最大的15000吨/年，是准入要求3000吨/年的5

昨日（9月17日），由工信部主导的《光伏制造行业规范条件》在结束意见征求之后正式对外发布。相较以往，准入条件全面提高。 记者获悉，按照本次公布的准入条件，今后具有省级以上独立研发机构、技术中心
或高新技术企业资质，每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元人民币。 除去在技术上的资金要求外，工信部也在多晶硅和单晶硅的光电转换率上做足文章，要求企业生产的

根据行业发展情况和宏观调控要求会同有关部门适时进行修订。原《多晶硅行业准入条件》（工联电子第 137 号）同时废止。
企业按产品类型应分别满足以下要求： 1.多晶硅项目每期规模大于 3000 吨/年； 2.硅锭年产能不低于 1000 吨； 3.硅棒年产能不低于 1000 吨； 4.硅片年产