多晶电池片
多晶电池片形成陷光的微纳米结构，降低电池片反射、提高多晶效率，更重要的一点，它对金刚线切割多晶硅片要求不会太高。需注意的是，这类电池可与多晶硅片的产线形成强强联合。事实上，与单晶硅相比，多晶硅的
速度可能会稍慢，目前立项备案与环评都还在进行中。协鑫集成使用的PERC技术搭配了黑硅，转换效率平均在19.5%-20.5%左右。一位电池业内权威人士向第一财经记者透露，黑硅技术是指多晶电池片形成陷光的微
电池的建设速度可能会稍慢，目前立项备案与环评都还在进行中。协鑫集成使用的PERC技术搭配了黑硅，转换效率平均在19.5%-20.5%左右。一位电池业内权威人士向第一财经记者透露，黑硅技术是指多晶电池片
里已探测到存在硅基物质，如果行星开采发展起来，我们可以在太空上找到合适的晶硅材料，进行半熔或全熔的多晶硅冶炼，制成高效多晶电池片和组件。所有制程都是机器人和自动流水线。一颗小行星的铂金含量可能完全超过地球的全部储量，那么很有可能太空里晶体硅的含量也会大大出于我们想象，甚至以后我们要向太空进口硅料呢。
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，MCCE）。除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅晶圆端降本、电池片端提效
)。 除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅晶圆端降本、电池片端提效两方面
，MCCE）。除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成奈米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅晶圆端降本、电池片端提效
技术，可彻底解决多晶电池片的光衰问题，为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。再加上硅片的边缘改善、尺寸加大等措施，鑫多晶S4将为客户提供60片组件功率输出增加5.5W的解决方案。未来，保利协鑫
主辅材，明显改善了多晶电池片的光衰、黑边等问题，提高了后端组件的输出功率。来自保利协鑫客户的数据显示，基于鑫多晶 S4的组件输出功率可以增加5.5W（60片型）。
除了更高效的硅片产品，黑硅技术
技术，可彻底解决多晶电池片的光衰问题，为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。再加上硅片的边缘改善、尺寸加大等措施，鑫多晶S4将为客户提供60片组件功率输出增加5.5W的解决方案。未来，保利协鑫
晶体结构的优化控制。相较于单晶的单一晶体结构，多晶产品效率在硅片环节的提升空间更大，汪晨指出。保利协鑫最新一代高效多晶产品S4应用了全新的共掺杂技术、最新多晶技术平台和高纯主辅材，明显改善了多晶电池片的
