多晶片

：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。 　　抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。 　　抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20um
的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。 　　目前国内主要采用CZ法 　　CZ法

，其中采用多刀砂轮进行表面刻槽，对10cmX10cm面积硅片的工序时间可降到30秒，具有了一定的实用潜力。 多孔硅作为多晶硅太阳电他的减反射膜具有实用意义，其减反射的作用已能与双重减反射膜相比
，成本昂贵。现在已经开发出多线切割法，可以切出很薄（～100Pm）的硅片，切割损失小（～30％），硅片表面切割损伤轻，有利于提高电池效率，切割成本低。2．1．2多晶硅材料 由于硅材料占太阳电池