多晶制绒

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2009国际太阳能光伏产业(无锡)展览会来源:Solarbe.com 发布时间:2009-03-03 17:06:56

体生产线的电池板切割设备、清洗设备、设备、扩散设备、镀膜设备、刻蚀设备、印刷设备、烧结设备、测试设备、非硅体生产线装备及最新薄膜技术电池的各种生产技术与测试设备; ■ 光伏产品及控制设备
:光伏模块及组件、多晶硅单晶硅原材料、光伏设备安装及配件、光伏输配电器材、光伏电源/电池、充电器、控制器、逆变器、水泵、太阳能发电系统设备、太阳能转换设备、燃料电池、硅太阳电池、薄膜太阳电池; ■ 光伏发电

技术为王 访中电光伏CEO王润生博士来源:Solarbe.com 发布时间:2009-02-18 09:39:09

领先才能带来企业发展的可持续性。” 在新的4条SE生产线现场参观中,笔者对偌大的生产车间里有条不紊的运作印象深刻,、扩散、刻蚀、淀积、丝网印刷以及测试等环节井井有条。中电光伏是在太阳电池制造中采用
,2008年Q1的硅片成本为88.4%,Q2占了90.3%,技术更新所带来的利润几乎被昂贵的硅料价格淹没。2008年Q4,多晶硅硅料短缺、售价偏高以及质量难以保证的问题得到了缓解,为降低太阳发电的成本创造

浇铸多晶硅片比重上升 单体电池成本下降来源: 发布时间:2009-02-11 11:13:59

多晶硅电池片平均效率分别可达17%和15.8%。 决定电池效率的因素主要分散在电池生产的各道工艺环节当中,从硅棒生长、切割,到电池的制备。就电池制备而言,又先后经历清洗、扩散、镀膜

分析:晶硅电池片项目对光伏产业链的拉动来源: 发布时间:2008-12-29 09:42:59

单晶硅电池的转换效率最高,国内已达到17.6%。多晶硅电池的转换率也突破了16%。制造太阳能晶硅电池需要经过很多工艺,其中包括硅片清洗、表面、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜和丝网印刷等

中国光伏企业需发挥性价比优势 做强光伏设备来源: 发布时间:2008-12-19 10:29:59

大生产线设备中的8种,其中有6种(扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/机、石英管清洗机、低温烘干炉)已在国内生产线上占据主导地位,2种(管式PECVD、快速烧结炉)与进口设备并存但份额正逐步增大。此外
硅材料生产、硅片加工到太阳能电池芯片的生产以及相应的纯水制备、环保处理、净化工程的建设,已经初步具备成套供应能力,部分产品如扩散炉、等离子刻蚀机、单晶炉、多晶铸锭炉等开始少量出口,可提供10种太阳能电池

国产光伏设备提升竞争实力 须重视售后服务来源: 发布时间:2008-12-18 09:46:59

设备的总体的技术状况是:虽然已具备整线装备能力,但自动化水平较低,部分设备尚需实现突破。在湿法腐蚀和清洗设备方面,全自动清洗设备、全自动PSG去除设备,国内已经能够制造,并接近国际水平,初步具备参与
产业链上下游的企业有时间规划下一步的发展。 光伏产业链日趋完整太阳能市场依旧向好 我国光伏产业链已经日趋完整,已经形成多晶硅材料、铸锭、电池片、平衡部件等光伏应用产品和

(二)光伏设备:中低端有作为 三领域待突破来源:中国电子报 发布时间:2007-06-26 19:26:54

多晶铸锭炉正逐步推向市场。   西安理工大学附属工厂、北京京运通公司、北京京仪世纪公司:专业从事单晶炉生产,产品性价比高。   深圳捷佳创公司:专业生产清洗/设备。   北京七星华创电子

(一)光伏设备:中低端有作为 三领域待突破来源:中国电子报 发布时间:2007-06-26 19:22:34

电池制造,它包括清洗、、扩散、刻蚀、减反射膜制备、电极印刷、低温烘干、高温烧结、自动测试分捡等。   经过数年的艰苦努力,我国光伏设备企业已基本具备太阳能电池制造整线装备能力,部分产品如扩散炉、等离子
刻蚀机等开始少量出口,可提供10种太阳能电池大生产线设备中的8种,其中有6种(扩散炉、等离子刻蚀机、清洗/机、石英管清洗机、低温烘干炉)已在国内生产线占据主导地位,2种(管式PECVD、快速烧结炉

太阳能光伏技术——世界太阳能开发利用现状来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-08 17:29:30

两倍还多,如表2所示。单晶硅太阳电池的平均效率为15%,澳大利亚新南威尔士大学的实验室效率已达24.4%;多晶硅太阳电池效率也达14%,实验室最大效率为19.8%;非晶硅太阳电池的稳定效率,单结6~9
)42.047.054.058.261.070.781.090.612 表3商品化光伏直流组件效率预测(%) 电池技术199019952000 2010 单晶硅12151822 浇铸多晶硅11141620 带状硅12141721

太阳能光伏技术——多晶薄膜与薄膜太阳电池来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-08 17:25:55

进行HCI腐蚀处理。 为制备多晶硅薄膜太阳龟池,在激活层表面进行腐蚀形成绒面织构,并在其上进行n-型杂质扩散形成p-n结,然后进行表面钝化处理和沉积减反射层,并制备上电极,进行背面腐蚀和氢化
开展了在多种衬底上使用直接和间接加热源的方法沉积多晶CdS薄膜。薄膜制备方法主要有喷涂法、蒸发法等。 1.1 CdS薄膜结构特性 CdS是非常重要的:Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料。C北薄膜