多晶切片

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光伏行业可转债深度梳理来源:郁言债市 发布时间:2019-03-21 14:28:43

,硅片环节主流技术路线为多晶硅片。单晶硅片由于成本较高被视为硅片中的高端产品。在生产过程中,多晶硅片主要是将原材料多晶硅料进行铸锭后切片形成的硅片,相较于采用拉晶技术的单晶硅片杂质较多,故而

【观点澄清】光伏行业最优质的资产是那些前赴后继、向死而生的企业家来源:SolarWit 发布时间:2019-03-21 11:31:03

好事情,但对企业家们则意味着更多的风险和挑战。 2、资产要素若处于快速变化中,那么这份资产的潜在贬值速度可能就会大于折旧速度,例如硅料环节由高电价地区迁移往低电价地区;硅片环节由多晶硅片转变为
单晶硅片;切片环节由砂浆切割变为金刚线切割;电池片环节由常规电池变为Perc电池等等生产要素的变化,均会使得旧有资产加速贬值。 3、表达上述两个观点我希望给大家传递的意思是:光伏行业自身的特点使得企业家们

企业特写篇:阿特斯的全球电站及产能布局来源:索比光伏网 发布时间:2019-03-12 08:15:54

展会期间阿特斯重磅展出的多款高效最新技术产品包括: 1、410瓦BiHiKu双面黑硅多晶PERC双核电池组件 2、410瓦HiKu黑硅多晶PERC双核电池组件 3、335瓦HiDM叠瓦高效单晶
PERC组件,比主流300瓦单晶组件超出35瓦。 阿特斯超410瓦黑硅多晶PERC双面半片电池组件(BiHiKu),是全球首款仅正面功率就超过400瓦的双面多晶组件,多晶电池转换效率突破20%,组件背面

全面解析:阿特斯是家什么样的公司?来源:索比光伏网 发布时间:2019-03-11 15:50:57

,确保电池和组件效率持续提升。 2018年,阿特斯为国家领跑者项目,推出的十款领跑者满分组件产品,最高功率超405瓦,是全球首款功率超400瓦的多晶组件产品,比市场上常规太阳能组件(325瓦),功率高出
展会期间阿特斯重磅展出的多款高效最新技术产品包括: 1、410瓦BiHiKu双面黑硅多晶PERC双核电池组件 2、410瓦HiKu黑硅多晶PERC双核电池组件 3、335瓦HiDM叠瓦高效单晶

2019年1月光伏发电最新政策汇总来源:光伏事 发布时间:2019-03-01 10:05:22

(2018-2025年)》,现予以公告,向社会公开征求意见。 根据《规划》,将重点发展光伏逆变器、电池片及组件等,提升拓展铸锭及切片、电池组件、光伏坡璃、光伏装备、光伏蓄能等,支持光伏产业关键技术和核心产品
、国际先进水平的科研院所,依托通威太阳能、海润光伏、晶澳太阳能、彩虹合肥光伏坡璃等一批光伏龙头企业,加快构建世界级光伏产业集群,积极完善以多晶硅原料-太阳能电池-集成组件-发电工程组成的光伏产业链。在总结复制推广

2019年1月光伏最新政策汇总来源:光伏事 发布时间:2019-03-01 10:01:13

发展规划(2018-2025年)》,现予以公告,向社会公开征求意见。 根据《规划》,将重点发展光伏逆变器、电池片及组件等,提升拓展铸锭及切片、电池组件、光伏坡璃、光伏装备、光伏蓄能等,支持光伏产业
领先、国际先进水平的科研院所,依托通威太阳能、海润光伏、晶澳太阳能、彩虹合肥光伏坡璃等一批光伏龙头企业,加快构建世界级光伏产业集群,积极完善以多晶硅原料-太阳能电池-集成组件-发电工程组成的光伏产业链

1月光伏新政:部委4+地方19来源:光伏事 发布时间:2019-03-01 08:39:36

年)》,现予以公告,向社会公开征求意见。 根据《规划》,将重点发展光伏逆变器、电池片及组件等,提升拓展铸锭及切片、电池组件、光伏坡璃、光伏装备、光伏蓄能等,支持光伏产业关键技术和核心产品研发,提高
,依托通威太阳能、海润光伏、晶澳太阳能、彩虹合肥光伏坡璃等一批光伏龙头企业,加快构建世界级光伏产业集群,积极完善以多晶硅原料-太阳能电池-集成组件-发电工程组成的光伏产业链。在总结复制推广高新区建设

深度报告||光伏行业新“黄金十年”:平价上网拉开序幕来源:国海证券 发布时间:2019-02-28 13:51:15

多晶硅的铸锭法,对应设备分别为单晶硅生长炉和多晶硅铸锭炉。 二是切片环节,目前主要采取金刚线切割的方式,对应的设备和耗材分别为切片机和金刚石线。 从成本端来看,扣除硅料的影响外

国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁200MW N型电池及组件项目废气塔设备采购招标公告来源:索比光伏网 发布时间:2019-02-27 17:26:01

认定以信用中国(www.creditchina.gov.cn)网站检索结果为准。 1.5 业绩 投标人近3年内具有太阳能电池或多晶硅或切片或半导体行业2个及以上废气塔设备供货合同业绩(附合同及验收

技术干货丨晶硅电池表面钝化技术研究来源:电子世界 发布时间:2019-02-26 11:03:03

表面复合中心;(2)硅片在切片过程中表面留下的切割损伤,造成很多缺陷和晶格畸变,增加了更多的复合中心;(3)硅片表面吸附的带正、负电荷的外来杂质,也会成为复合中心(见图1)。 2.表面钝化介质薄膜研究
的氧化层和重掺杂的多晶硅层组成,可以实现载流子的选择性通过,多子可以穿透这两层钝化层,而少子则被阻挡,可以实现电池整面的钝化接触,提高电池的转换效率。基于TOPCon结构的电池,Fraunhofer在