基板材料

就要耗费硅太阳能电池片7～8年的发电量），生产成本昂贵（主要原材料是高纯硅，每生产1MW规模的硅太阳能电池组件需要17t高纯度硅）。另外晶体硅属间接带隙半导体，光吸收系数低，电池厚度一般需要达到100m
薄膜电池是指在玻璃或柔性衬底上沉积Ⅲ一V族、Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜构成p-n结组装而成的太阳能电池，主要包括GaAs、CdTe、CdS和CIGS等几类。这些化合物薄膜电池属直接带隙半导体材料，光吸收系数高，带隙

太阳能电池片7～8年的发电量），生产成本昂贵（主要原材料是高纯硅，每生产1MW规模的硅太阳能电池组件需要17t高纯度硅）。另外晶体硅属间接带隙半导体，光吸收系数低，电池厚度一般需要达到100m以上才能吸收
玻璃或柔性衬底上沉积Ⅲ一V族、Ⅱ一Ⅵ族化合物薄膜构成p-n结组装而成的太阳能电池，主要包括GaAs、CdTe、CdS和CIGS等几类。这些化合物薄膜电池属直接带隙半导体材料，光吸收系数高，带隙宽度与

制造，用于制造基板的材料种类多，可靠选择范围广；有机薄膜太阳能电池，是直接利用有机高分子材料制成半导体薄膜，作为感光和发电材料，具有薄膜制程容易和柔软性强等特点。4）薄膜太阳能光伏产业发展的现状。在

为压延玻璃；在平板玻璃表面镀上通常厚度只有几微米的半导体材料制成的薄膜电池导电基片；集热式光伏系统使用的透镜或反光镜类的玻璃。这3种产品的特性和作用完全不同，其附加值也有很大的差别。 如今应用
。 玻璃中的铁是由原料本身、耐火材料或金属材质的生产设备等引入的，不可能完全避免。人们只能通过生产控制尽可能减少铁在玻璃中的含量。目前，太阳能电池玻璃的铁含量在0.008%~0.02%之间，而

不同的薄膜沉积在基板上，之后对这些薄膜进行电气连接。这意味着，高成本材料（如硅）的使用已保持在最低水平、组件生产复杂程度大大降低。Manz集团CIGS薄膜组件的生产成本约每瓦2.5元人民币，发电成本更是
薄膜电池还处于发展初期，转化效率以1~1.5%/年提升。除了效率，较真的还有成本。目前，晶硅电池成本约3.6元/瓦。而CIGS薄膜组件由于在完全集成的生产线上制造，制造工艺始于基本的玻璃基板，将几种

，将几种不同的薄膜沉积在基板上，之后对这些薄膜进行电气连接。这意味着，高成本材料(如硅)的使用已保持在最低水平、组件生产复杂程度大大降低。Manz集团CIGS薄膜组件的生产成本约每瓦2.5元人
0.2。而薄膜电池还处于发展初期，转化效率以1~1.5%/年提升。除了效率，较真的还有成本。目前，晶硅电池成本约3.6元/瓦。而CIGS薄膜组件由于在完全集成的生产线上制造，制造工艺始于基本的玻璃基板

大大降低了原材料成本。双结硅基薄膜组件是由玻璃基板，透明导电层，半导体层等构成（如图3所示）。双结硅基薄膜组件可应用于建筑整合式应用，屋顶，以及大型地面电站。目前，双结硅基薄膜组件的实验室转换效率以及
材料质量差异不会导致太阳能电池受影响。但是多晶硅电池片单片功率存在一定差异性，同样面积的组件功率好存在一定差异（通常情况存在20Wp-30Wp的差异）。多晶硅电池片的另一优点是在单位面积上可获得较高和

的多晶硅组件的使用寿命在25年。2、双结硅基薄膜组件介绍硅材料目前是太阳能电池的主导材料，而非晶硅太阳能电池使用的硅材料约为晶硅电池的百分之一，这就大大降低了原材料成本。双结硅基薄膜组件是由玻璃基板

转换特性的半导体器件，它直接将太阳辐射能转换成直流电，是光伏发电的最基本单元。光伏电池特有的电特性是借助于在晶体硅中掺入某些元素（例如：磷或硼等），从而在材料的分子电荷里造成永久的不平衡，形成具有特殊电
性能的半导体材料。在阳光照射下，具有特殊电性能的半导体内可以产生自由电荷，这些自由电荷定向移动并积累，从而在其两端形成电动势，当用导体将其两端闭合时便产生电流。这种现象被称为光生伏打效应，简称光伏效应

。人类利用太阳能发电有两种主要方式：一种是以硅晶体为主要材料来进行光电转换并制作成晶硅太阳能电池；另一种则是使用陶瓷、石墨、金属片等不同材料当基板来制造太阳能薄膜电池，当前工业化制作太阳能薄膜电池的材料