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友达旗下BenQ Solar 续攻太阳能发电厂来源:energytrend 发布时间:2014-10-22 10:44:20

,BenQ Solar G-racking 推出太阳能支架解决方案,提供斜屋顶式系统,适用于常见的金属、沥青等各式屋顶建材。背接触式高效太阳能组件 SunForte,组件效率达 20.3%,也已开发出异质
于友达厂区屋顶的森劲电厂,于 2014 年底累计总发电量可达 16.3MW,为全台最大屋顶型太阳能电厂。在公共建筑型电厂专案方面,于台中公有房舍屋顶建置的太阳光电系统工程,预计于 2014 年 11 月底陆续完工。

中来光伏纪事:从质疑到10%中的第一来源:pv-tech 发布时间:2014-10-22 10:12:09

,在这种新材料背板刚出现并投入光伏市场时不乏有很多反对的声音,中来作为定位涂覆膜生产与销售的企业,也受到各方的质疑。涂覆型背板的开发与兴起跟整个市场局势息息相关,在前几年光伏市场很好的时候,由于

台湾友达光电宣布累计完成23.4MW高效光伏太阳能项目来源:世纪新能源网 发布时间:2014-10-21 23:59:59

项目达23.4MW。友达指出,在大型电厂项目方面,建置在友达厂区屋顶的森劲电厂今年底累计总发电量可达16.3MW,每天发电量55800度约可供给5580家户使用,为全台最大屋顶型太阳能电厂。在公共建筑
电厂项目上,在台中公有房舍屋顶的太阳光电系统工程预计今年11月底陆续完工;另外,友达表示,已完成嘉义与屏东永久屋部落约100户屋顶太阳能电厂项目,协助推动小区型电厂计划。此外,利用农渔舍既有空间,在

OFweek视点:太阳能光伏企业新近动态盘点(图)来源: 发布时间:2014-10-21 00:03:59

组件制造商天合光能(Trina Solar)的P型单晶硅光伏组件达到335.2W,日前打破世界纪录。该纪录由其一个Honey组件创立,得到TUV Rheinland认证,击败此前326.3W的里程碑。该
出了组件原型,这些原型利用商用 PERC(钝化发射极背场点接触)电池,将最大输出功率提升了10% -- 而这也只是 ZWS 帮助提升太阳能组件输出功率的开始。OFweek视点:SunEdison 进来

世界首创硅桨新技术 可将太阳能电池转换效率提高0.5%来源:energytrend 发布时间:2014-10-18 08:30:35

帝人公司9月29日宣布,与其美国子公司NanoGram共同开发出了世界首创的L-BSF(深结局部背场 ,Local Back Surface Fields)型高转换效率太阳能电池制造用材
料NanoGram硅浆及其加工技术。目前已确认,由此L-BSF型太阳能电池转换效率可提高0.5%。 L-BSF型太阳能电池因在背面电极和正下方部分配备杂质扩散层,可高效收集太阳能电池基板内产生的电力。因此帝

帝人开发出有效提高太阳能电池转换效率的“可印刷电子材料”来源:日经BP社 发布时间:2014-10-16 07:24:02

帝人公司9月29日宣布,与其美国子公司NanoGram共同开发出了世界首创的L-BSF(深结局部背场 ,Local Back Surface Fields)型高转换效率太阳能电池制造用材料NanoGram硅浆及其加工技术。

中来光伏“背板非氟不用” 连推四款新品来源: 发布时间:2014-10-15 09:14:59

化;第四,卷对卷一段法工艺,生产效率高;第五,适用于于各种恶劣极端气候环境。中来股份成立于2008年,主营背膜,主要产品为涂覆膜(中等表面能四氟型太阳电池背膜)。据悉,在涂覆膜市场中,中来股份

中来光伏推出四款新产品 坚持“背板非氟不用”来源:Solarzoom 发布时间:2014-10-15 07:28:20

鼓包,不粉化;第四,卷对卷一段法工艺,生产效率高;第五,适用于于各种恶劣极端气候环境。 中来股份成立于2008年,主营背膜,主要产品为涂覆膜(中等表面能四氟型太阳电池背膜)。据悉,在涂覆

中来光伏推出四款新产品 坚持“背板非氟不用”原则来源:Solarzoom 发布时间:2014-10-14 23:59:59

一段法工艺,生产效率高;第五,适用于于各种恶劣极端气候环境。中来股份成立于2008年,主营背膜,主要产品为涂覆膜(中等表面能四氟型太阳电池背膜)。据悉,在涂覆膜市场中,中来股份占据了60%以上

EU PVSEC:夏普酝酿生产混合HBC太阳能电池来源:PV-Tech 发布时间:2014-09-30 13:44:10

非晶硅(a-Si:H)、N型单晶硅(c-Si)异质结背接触(HBC)技术,转换效率为25.1%,比较接近松下公司(Panasonic Corp)该月早些时候宣布的其最新HIT电池开发25.6%的效率,也
沿着夏普目前采购的混合生产线。 夏普曾于2012年初展示背接触结构与异质结结构的结合,其转换效率达21.7%。 此后一直进行迅速的逐步改进,最终在硅片双面上沉积的a-Si:H层中产生超过25