坩埚

、多晶生长、顶部收顶、退火冷却。晶胚形成在熔炼过后，要把硅溶液的温度降低到1440 ℃左右，并保持一段时间，然后，使坩埚底部开始冷却，冷却到熔点以下6-10 ℃左右，即1404-1408 ℃左右
，底部红外测温的数据不完全是硅液底部的温度，因为，该测点与坩埚底部的硅液还隔了至少一层坩埚，因此，红外温度仅能参考，还是要根据每台炉子各自的经验数据。这时，底部会形成熔点以下的过冷液体，由于坩埚底部的

，熔化时，是从四周开始熔化，这时，由于测温点在坩埚中部，因此，四周可能已经熔化并到了很高的温度，但中间的温度并不高，因此，如果采用温度设定的控制方式，可能功率会加得很大。功率大，容易导致坩埚四壁的温度
上升，而坩埚由于是采用石英材质的，一旦温度超过1600 ℃以上，将很容易与硅发生反应，造成坩埚侵蚀；如果温度再上升到1700 ℃，则坩埚会与硅发生剧烈反应，导致硅液飞溅，坩埚熔穿。严重时，硅液甚至会溅

，通过底部加热提高坩埚底部的硅液温度，使硅液在坩埚中会自然形成对流，也有利于杂质的逸出。此外，当杂质的浓度低到一定程度时，饱和蒸汽压的概念已经失去了意义。因此，对于1个ppm以下的杂质，靠真空挥发的作用
。解决这个问题的方法是，在坩埚侧面加装热电偶，参考平时无渣时的硅液温度，根据热电偶温度来推测硅液温度。这样也依然会有误差，但通常会比依靠红外温度读数再减去若干度要准确一些。（三）真空气体反应在真空

时，是从四周开始熔化，这时，由于测温点在坩埚中部，因此，四周可能已经熔化并到了很高的温度，但中间的温度并不高，因此，如果采用温度设定的控制方式，可能功率会加得很大。功率大，容易导致坩埚四壁的温度上升，而
坩埚由于是采用石英材质的，一旦温度超过1600℃以上，将很容易与硅发生反应，造成坩埚侵蚀；如果温度再上升到1700℃，则坩埚会与硅发生剧烈反应，导致硅液飞溅，坩埚熔穿。严重时，硅液甚至会溅到炉顶，导致

索比光伏网讯:图1： 上海普罗一炉四锭多晶硅铸锭炉专用的坩埚上下料车工作示意图（可一次取放两只G5 或G6坩埚，载重量３吨）多晶硅铸锭炉的装料注意事项多晶硅铸锭的装料是一个很关键的过程，这个过程常常
得多。其次，在装料的过程中，一定要注意不能将坩埚损坏。坩埚是石英陶瓷的，其强度很脆，很容易在硅块的撞击下碎裂。要是真的碎裂还是幸运的，因为能够当场发现，至多坩埚报废，损失几千元。但绝大多数情况下，坩埚

。吊接保温桶的吊钩是否稳固，等等。石墨支撑结构石墨支撑结构指的是支撑坩埚的平台。这个平台的作用除了支撑坩埚外，还起着在加热时传热、结晶时底部降温和均热的作用。此外，在平台上，还有一些结构，供万一漏硅时硅
液从这些沟槽中流到炉底的接硅槽中。此外，平台上还有机构是供叉车装卸物料坩埚的机构。石墨平台通常是由若干个石墨柱支撑的，因此，要检查这些石墨柱和平台是否完好。支撑是否平稳，以及石墨柱与炉底的结构是否稳固

从2009年开始一炉四锭的铸锭炉研发的。研究一炉四锭的出发点是，在提高单炉产量的同时，尽量利用现有型号的坩埚和开方设备，毕竟，能装2吨硅料的坩埚至今也没有诞生，可能今后也不会有，而开方机，如果从现有
，上海普罗就成功使用自行研制的RDS3.0系列铸出了多晶硅锭。 普罗将一炉四锭的提纯铸锭炉的型号定为RDS4系列。第一代的单炉额定产量为1800~2000公斤，型号为RDS4.5系列；在G6坩埚和

四锭的铸锭炉研发的。研究一炉四锭的出发点是，在提高单炉产量的同时，尽量利用现有型号的坩埚和开方设备，毕竟，能装2吨硅料的坩埚至今也没有诞生，可能今后也不会有，而开方机，如果从现有的G6扩大到G7、G8
RDS3.0系列铸出了多晶硅锭。普罗将一炉四锭的提纯铸锭炉的型号定为RDS4系列。第一代的单炉额定产量为1800~2000公斤，型号为RDS4.5系列；在G6坩埚和开方设备成熟后，普罗于2012年推出

本次募投项目计算，本次募投项目单炉产量达到3.63MW，相比公司银川隆基三期的单炉2.60MW增加近40%。而多晶投料水平已经逐步接近规模与成本的临界值，在大型热场、坩埚等成本取得突破下降前，单炉投料
多晶铸锭一炉的生产时间差异不大（基本均为一个月9-11炉），这就使得投料量较大的多晶铸锭在单位kg的电费、折旧、坩埚、人工等方面，具有明显的摊薄效应，成本也就更低，这点也是目前多晶铸锭具备成本优势的